FDD8444L的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2007年4月
FDD8444L
N沟道PowerTrench MOSFET的
40V ， 50A ， 6.0mΩ
特点
典型
DS （ ON）
= 3.8mΩ在V
GS
= 5V ，我
D
= 50A
典型Q
G（ TOT ）
= 46nC在V
GS
= 5V
低米勒电荷
低Q
rr
体二极管
UIS能力（单脉冲/重复脉冲）
符合AEC Q101
符合RoHS
A
稀土
I
DF
tm
应用
汽车引擎控制
动力管理
电磁阀和电机驱动器
电子变速箱
分布式电源架构和VRM的
主开关的12V和24V系统
M
E
N
TA
TIO
L
E
N
MP
2006
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDD8444L版本A （ W）
LE
1
www.fairchildsemi.com
FDD8444L的N-沟道PowerTrench
MOSFET
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
漏源极电压
V
GS
I
D
E
AS
P
D
栅极至源极电压
漏电流连续（T
C
< 150℃ ，V
GS
= 10V)
o
参数
评级
40
±20
（注1 ）
o
单位
V
V
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
50
16
参见图4
连续（T
AMB
= 25℃ ，V
GS
= 10V ，其中R
θJA
= 52℃ / W）
脉冲
单脉冲雪崩能量
功耗
减免上述25
o
C
（注2 ）
295
153
1.02
-55到+175
T
J
, T
英镑
工作和存储温度
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境TO- 252 ， 1英寸的铜焊盘面积
2
0.98
52
o
o
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8444L
设备
FDD8444L
包
TO-252AA
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 32V,
V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
T
J
= 150 C
o
40
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
I
D
= 50A ，V
GS
= 10V
I
D
= 50A ，V
GS
= 5V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 50A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 50A ，V
GS
= 5V,
T
J
= 175
o
C
1
-
-
-
-
1.8
3.5
3.8
4.0
6.8
3
5.2
6.0
6.5
10.7
mΩ
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
GS
= 0 5V
V
GS
= 0 2V
V
DD
= 20V
I
D
= 50A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5530
605
400
1.7
46
5.4
16.3
10.9
21
-
-
-
-
60
7
-
-
-
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
nC
FDD8444L版本A （ W）
2
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FDD8444L的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
t
on
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= 20V ，我
D
= 50A
V
GS
= 5V ，R
GS
= 2Ω
-
-
-
-
-
-
-
18.7
46
42
19.2
-
104
-
-
-
-
96
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 50A
I
SD
= 25A
I
F
= 50A ，二
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
0.9
0.8
34
29
1.25
1.0
44
38
V
ns
nC
注意事项：
1:
封装电流限制为50A 。
2:
起始物为
J
= 25
o
C，L = 0.37mH ，我
AS
= 40A.
该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。为
的要求的副本，请参阅AEC Q101在： http://www.aecouncil.com/
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试
认证。
FDD8444L版本A （ W）
3
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