FDD6N50 / FDU6N50 500V N沟道MOSFET
2006年1月
的UniFET
FDD6N50
/FDU6N50
500V N沟道MOSFET
特点
6A ， 500V ，R
DS （ ON）
= 0.9 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型值12.8 NC）
低C
RSS
（典型的9 pF的）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
TM
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品
条纹， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
D
G
S
D- PAK
FDD系列
I- PAK
摹 S
FDU系列
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FDD6N50/FDU6N50
500
6
3.8
24
±30
270
6
8.9
4.5
89
0.71
-55到+150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
分钟。
--
--
马克斯。
1.4
83
单位
° C / W
° C / W
2006仙童半导体公司
1
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FDD6N50 / FDU6N50 REV 。一
FDD6N50 / FDU6N50 500V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDD6N50
FDD6N50
FDU6N50
设备
FDD6N50TM
FDD6N50TF
FDU6N50TU
包
D- PAK
D- PAK
I- PAK
T
C
= 25 ° C除非另有说明
带尺寸
380mm
380mm
-
胶带宽度
16mm
16mm
-
QUANTITY
2500
2000
70
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3A
V
DS
= 40V ，我
D
= 3A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
分钟。
500
--
--
--
--
--
3.0
--
--
--
--
--
典型值。
--
0.5
--
--
--
--
--
0.76
2.5
720
95
9
6
55
25
35
12.8
3.7
5.8
最大单位
--
--
1
10
100
-100
5.0
0.9
--
940
190
13.5
20
120
60
80
16.6
--
--
V
V /°C的
A
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
基本特征
动态特性
开关特性
V
DD
= 250V ，我
D
= 6A
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
（注4,5）
V
DS
= 400V ，我
D
= 6A
V
GS
= 10V
--
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 6A
V
GS
= 0V时，我
S
= 6A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
275
1.7
6
24
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2. I
AS
= 6A ，V
DD
= 50V ，L = 13.5mH ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
图6A中， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
FDD6N50 / FDU6N50 REV 。一
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FDD6N50 / FDU6N50 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
20
上图：
V
GS
10.0 V
8.0V
7.5 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
图2.传输特性
10
1
I
D
，漏电流[ A]
15
I
D
，漏电流[ A]
150∩
10
0
下图：
10
25∩
-55∩
10
-1
5
∝
注意事项：
1. 250
レ
脉冲测试
s
2. T
C
= 25∩
∝
记
1. V
DS
= 40V
s
2. 250
レ
脉冲测试
0
0
10
20
30
40
50
10
-2
V
DS
，漏源电压[V]
2
4
6
8
10
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
R
DS （ ON）
[
ヘ
] ，漏源导通电阻
2.5
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
1
2.0
V
GS
= 10V
1.5
1.0
V
GS
= 20V
10
0
150∩
25∩
∝
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250
レ
脉冲测试
s
0.5
∝
注：t
J
= 25∩
0.0
0
5
10
15
20
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
12
图6.栅极电荷特性
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
V
DS
= 100V
1000
V
GS
，栅源电压[V]
10
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
C
国际空间站
C
OSS
电容[ pF的]
8
6
100
C
RSS
∝
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
2
∝
注：我
D
= 6A
10
0
1
0
10
10
0
5
10
15
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
0.9
注意事项：
1.0
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 3 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
8
图10.最大漏极电流
与外壳温度
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10我们
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10毫秒
10
0
DC
I
D
，漏电流[ A]
10
3
10
1
100美
6
4
∝
注意事项：
10
-1
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
2
10
-2
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[ ∩ ]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
Z
ヨ
JC
热响应
(t),
D = 0 .5
0 .2
0 .1
10
-1
∝
N 2 O TE S：
1 . Z
ヨ
J·C
= 1 .4
∩
/ W M A X 。
(t)
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
ヨ
J·C
(t)
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
t
2
0
1
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
10
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
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FDD6N50 / FDU6N50 500V N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
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