FDD6N20 / FDU6N20 N沟道MOSFET
2007年5月
FDD6N20 / FDU6N20
N沟道MOSFET
200V ， 4.5A ， 0.8Ω
特点
R
DS （ ON）
= 0.6Ω （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 2.3A
低栅极电荷（典型值4.7nC ）
低C
RSS
（典型值6.3pF ）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
符合RoHS
的UniFET
TM
tm
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品
条纹， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
S
D
G
D- PAK
FDD系列
G
S
I- PAK
FDU系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
o
参数
评级
200
±30
25
o
C)
o
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
o
- 连续（T
C
=
- 脉冲
4.5
2.7
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
18
60
4.5
4.0
4.5
40
0.32
-55到+150
300
- 连续（T
C
= 100 C)
- 减免上述25℃
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
评级
3.1
110
单位
o
C / W
2007仙童半导体公司
FDD6N20 / FDU6N20版本A
1
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FDD6N20 / FDU6N20 N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
T
C
= 25
o
C除非另有说明
器件标识
FDD6N20
FDD6N20
FDU6N20
设备
FDD6N20TM
FDD6N20TF
FDU6N20TU
包
D- PAK
D- PAK
I- PAK
带尺寸
380mm
380mm
-
胶带宽度
16mm
16mm
-
QUANTITY
2500
2000
70
电气特性
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V ，T
C
=
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
125
o
C
200
-
-
-
-
-
0.28
-
-
-
-
-
1
10
±100
V
V/
o
C
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.3A
V
DS
= 40V ，我
D
= 2.3A
（注4 ）
3.0
-
-
-
0.6
2.9
5.0
0.8
-
V
Ω
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 160V ，我
D
= 6A
V
GS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
（注4,5）
170
45
6.3
4.7
1.2
2.2
230
60
9.5
6.1
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
-
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 100V ，我
D
= 6A
R
G
= 25Ω
（注4,5）
-
-
-
-
8.3
5.6
15
12.8
26.7
21.2
40
35.5
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 4.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 6A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
120
0.4
4.5
18
1.4
-
-
A
A
V
ns
μC
注意事项：
1 ：重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
2： L = 5.9mH ，我
AS
= 4.5A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3: I
SD
≤
4.5A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4 ：脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5 ：基本上是独立的工作温度典型特征
FDD6N20 / FDU6N20版本A
2
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FDD6N20 / FDU6N20 N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
20
图2.传输特性
20
10
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
=
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
10
150 C
o
1
1
o
25 C
-55 C
*注意：
1. V
DS
= 25V
2. 250
μ
s脉冲测试
o
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
0.1
0.1
2. T
C
= 25 C
o
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0.1
2
4
6
8
V
GS
，栅源电压[V]
10
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
2.5
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
50
R
DS （ ON）
[
Ω
]
,
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
2.0
1.5
10
150 C
25 C
o
o
1.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
0.5
*注：t
J
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
0.0
0
2
4
6
8
I
D
，漏电流[ A]
10
12
1
0.4
2. 250
μ
s脉冲测试
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.8
图5.电容特性
1000
C
OSS
C
国际空间站
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 50V
V
DS
= 100V
V
DS
= 160V
8
电容[ pF的]
100
C
RSS
6
4
10
5
0.1
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
2
*注：我
D
= 6A
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0
0
1
2
3
4
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
5
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FDD6N20 / FDU6N20 N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 2.3A
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
1.1
1.0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
图9.最高安全工作区
50
20
μ
s
图10.最大漏极电流
与外壳温度
5
10
I
D
，漏电流[ A]
100
μ
s
4
I
D
，漏电流[ A]
400
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1ms
10ms
DC
3
2
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
1
0.01
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
0
25
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度
[
C
]
150
图11.瞬态热响应曲线
5
热响应
[
Z
θ
JC
]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
o
0.1
0.02
0.01
单脉冲
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 3.1 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.01
-5
10
10
-4
10
10
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
-1
10
0
10
1
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栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
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