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FDD6670AS

2005年5月

FDD6670AS

概述

30V N沟道的PowerTrench

SyncFET

特点

76 A， 30 V

R

DS （ ON）

最大= 8.0毫欧@ V

GS

= 10 V

R

DS （ ON）

最大= 10.4毫欧@ V

GS

= 4.5 V

包括SyncFET肖特基体二极管

低栅极电荷（ 29nC典型值）

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力

.

该FDD6670AS被设计来取代单一的

MOSFET和同步DC肖特基二极管： DC

电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成

最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低

和低栅极电荷。

该FDD6670AS

R

DS （ ON）

包括MOSFET的专利组合

与肖特基二极管单片集成。该

该FDD6670AS的性能，因为低侧开关

在同步整流器是从区分

该FDD6670A在用并行性能

肖特基二极管。

应用

DC / DC转换器

低端笔记本

D

G

S

TO-252

S

G

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

功耗

T

A

=25

o

C除非另有说明

参数

评级

30

±20

（注3）

（注1A ）

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

单位

V

A

W

76

100

70

3.2

1.3

-55到+150

T

J

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

R

θJC

R

θJA

R

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

1.8

40

96

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDD6670AS

设备

FDD6670AS

FDD6670AS_NL

（注4 ）

带尺寸

13’’

胶带宽度

16mm

QUANTITY

2500台

FDD6670AS版本A （ X）

2005

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDD6670AS

电气特性

符号

W

DSS

I

AR

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源雪崩能源

漏源雪崩电流

测试条件

单脉冲，V

DD

= 15 V，I

D

=14A

最小典型最大

245

14

单位

mJ

A

漏源雪崩额定值

（注2 ）

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏

（注2 ）

V

GS

= 0 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 10毫安，引用至25℃

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125°C

V

GS

=

±20

V, V

DS

= 0 V

30

29

500

6.5

±100

V

毫伏/°C的

A

mA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

V

DS

= V

GS

, I

D

= 1毫安

I

D

= 10毫安，引用至25℃

V

GS

= 10 V,

I

D

= 13.8 A

I

D

= 11.7 A

V

GS

= 4.5 V,

V

GS

= 10 V，I

D

= 13.8A ，T

J

= 125°C

V

GS

= 10 V,

V

DS

= 15 V,

V

DS

= 5 V

I

D

= 13.8 A

1

1.8

–3.3

6.8

8.3

9.3

3

V

毫伏/°C的

8.0

10.4

11.6

m

I

D（上）

g

FS

50

52

A

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

（注2 ）

V

DS

= 15 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 0 V,

1580

440

170

1.8

pF

V

GS

= 15 mV时， F = 1.0 MHz的

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

V

DS

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

10

12

28

20

22

45

36

27

29

42

23

40

22

ns

nC

V

DS

= 15 V,

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

15

16

26

13

总栅极电荷在V

GS

=10V

总栅极电荷在V

GS

=5V

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

= 15 V,

I

D

= 13.8 A,

29

16

4.6

5.5

漏源二极管特性

V

SD

t

rr

Q

rr

漏源二极管正向

电压

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 3.5 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 7 A

I

F

= 3.5 A,

d

iF

/d

t

= 300 A / μs的

（注2 ）

0.46

0.59

20

15

0.7

V

ns

nC

（注3）

FDD6670AS版本A （ X）

FDD6670AS

电气特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一）R

θJA

= 40 ℃/安装在当W

1in

2

2盎司纯铜垫

B ）R

θJA

= 96 ° C / W安装时

上的最小垫。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

P

D

R

DS （ ON）

3.

最大电流的计算公式为：

其中，P

D

最大功耗在T

C

= 25℃和R

DS （ ON）

是在T

J（下最大）

和V

GS

= 10V 。封装电流限制为21A

4.

FDD6670AS_NL是无铅产品。该FDD6670AS_NL标志将出现在卷标上。

FDD6670AS版本A （ X）

FDD6670AS

典型特征

100

2.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

V

GS

= 10V

4.0V

V

GS

= 3.0V

I

D

，漏电流（ A）

80

2.2

6.0V

60

4.5V

3.5V

1.8

3.5V

40

1.4

4.0V

4.5V

6.0V

3.0V

20

1

10V

2.5V

0

0.5

1

1.5

2

V

DS

，漏源电压（V ）

2.5

0.6

0

20

40

60

I

D

，漏电流（ A）

80

100

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.025

1.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 64A

V

GS

= 10V

1.4

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

I

D

= 32A

0.02

1.2

0.015

1

T

A

= 125

o

C

0.01

0.8

T

A

= 25 C

o

0.6

-50

-25

0

25

50

75

o

T

J

，结温（ C）

100

125

0.005

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

图3.导通电阻变化与

温度。

100

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

I

S

，反向漏电流（ A）

V

DS

= 5V

80

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= 0V

10

60

1

T

A

= 125

o

C

25

o

C

T

A

= 125 C

40

o

-55

o

C

0.1

-55 C

0.01

o

20

25

o

C

0

1

1.5

2

2.5

3

3.5

V

GS

，门源电压（ V）

4

4.5

0.001

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

0.6

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDD6670AS版本A （ W）

FDD6670AS

典型特征

（续）

10

V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

=13.8A

2400

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

8

20V

电容（pF）

V

DS

= 10V

1800

C

国际空间站

6

15V

1200

C

OSS

4

600

2

C

RSS

0

5

10

15

20

Q

g

，栅极电荷（ NC）

25

30

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

图7.栅极电荷特性。

100

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

R

DS （ ON）

极限

100

s

1ms

10ms

100ms

1s

10s

图8.电容特性。

50

单脉冲

R

θ

JA

= 96 ° C / W

T

A

= 25°C

I

D

，漏电流（ A）

40

10

30

1

DC

20

0.1

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θ

JA

= 96

o

C / W

T

A

= 25 C

o

10

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏源电压（V ）

100

0

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

R（T ），规范有效

瞬态热阻

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 96 ° C / W

P（ PK）

t

1

t

2

单脉冲

0.01

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，时间（秒）

1

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1c中所述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDD6670AS版本A （ W）