FDD6612A/FDU6612A
2004年2月
FDD6612A/FDU6612A
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷，低R
DS （ ON）
，开关速度快和
非常低R
DS （ ON）
在小包装。
特点
30 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 28毫欧@ V
GS
= 4.5 V
低栅电荷
快速开关
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
应用
DC / DC转换器
电机驱动
D
D
G
S
I- PAK
(TO-251AA)
摹 S
G
D- PAK
TO-252
(TO-252)
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@T
C
=25°C
@T
A
=25°C
脉冲
（注3）
（注1A ）
（注1A ）
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
评级
30
±20
30
9.5
60
36
2.8
1.3
-55到+175
单位
V
V
A
P
D
功耗
@T
C
=25°C
@T
A
=25°C
@T
A
=25°C
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
3.9
45
96
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD6612A
FDU6612A
设备
FDD6612A
FDU6612A
包
D- PAK （TO- 252）
Ⅰ- PAK （TO- 251 ）
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
12mm
不适用
QUANTITY
2500台
75
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源雪崩能源
漏源雪崩电流
测试条件
单脉冲，V
DD
= 27 V，I
D
=10 A
民
典型值
最大单位
51
10
mJ
A
漏源雪崩额定值
（注2 ）
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
30
25
1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V,
I
D
= 9.5 A
I
D
= 8 A
I
D
= 9.5 A，T
J
=125°C
I
D
= 9.5 A
1
2.0
–5.1
15
20
23
28
3
V
毫伏/°C的
20
28
33
m
g
FS
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
660
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时，
V
GS
= 0 V,
170
90
F = 1.0 MHz的
2.3
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
9
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
5
24
4
6.7
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 9.5 A,
2.1
2.7
18
10
38
8
9.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
电气特性
符号
I
S
V
SD
TRR
QRR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大单位
2.3
A
V
nS
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
IF = 9.5 A，
I
S
= 2.3 A
（注2 ）
0.8
20
10
1.2
DIF / DT = 100 A / μs的
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一）R
θJA
= 45 ℃/安装在当W
1in
2
2盎司纯铜垫
B ）R
θJA
= 96 ° C / W安装时
上的最小垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
P
D
R
DS （ ON）
3.
最大电流的计算公式为：
其中，P
D
最大功耗在T
C
= 25℃和R
DS （ ON）
是在T
J（下最大）
和V
GS
= 10V 。封装电流限制为21A
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
典型特征
60
4.5V
2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
5.0V
V
GS
= 3.5V
50
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
40
1.8
1.6
4.0V
4.0V
30
1.4
4.5V
5.0V
6.0V
20
3.5V
1.2
10
3.0V
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
1
10V
0.8
0
10
20
I
D
，漏电流（ A）
30
40
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压
0.06
1.8
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 9.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 5 A
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.05
1.6
1.4
0.04
1.2
0.03
1
T
A
= 125
o
C
0.8
0.02
T
A
= 25
o
C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（
o
C)
125
150
0.01
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化
withTemperature
60
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
50
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
40
1
30
0.1
20
0.01
T
A
= 125
o
C
10
25
o
C
-55
o
C
0.001
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
5
5.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 9.5A
V
DS
= 10V
8
电容（pF）
20V
1000
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
800
C
国际空间站
600
6
15V
4
400
C
OSS
200
2
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
12
14
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
100
100s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θJA
= 96℃ / W
T
A
= 25 C
o
图8.电容特性
50
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
R
DS （ ON）
极限
40
单脉冲
o
R
θJA
= 96℃ / W
T
A
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
10
30
1
20
0.1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
图9.最高安全工作区
图10.单脉冲最大
功耗
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 96℃ / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
o
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
2004年2月
FDD6612A/FDU6612A
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷，低R
DS （ ON）
，开关速度快和
非常低R
DS （ ON）
在小包装。
特点
30 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 28毫欧@ V
GS
= 4.5 V
低栅电荷
快速开关
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
应用
DC / DC转换器
电机驱动
D
D
G
S
I- PAK
(TO-251AA)
摹 S
G
D- PAK
TO-252
(TO-252)
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@T
C
=25°C
@T
A
=25°C
脉冲
（注3）
（注1A ）
（注1A ）
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
评级
30
±20
30
9.5
60
36
2.8
1.3
-55到+175
单位
V
V
A
P
D
功耗
@T
C
=25°C
@T
A
=25°C
@T
A
=25°C
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
3.9
45
96
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD6612A
FDU6612A
设备
FDD6612A
FDU6612A
包
D- PAK （TO- 252）
Ⅰ- PAK （TO- 251 ）
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
12mm
不适用
QUANTITY
2500台
75
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源雪崩能源
漏源雪崩电流
测试条件
单脉冲，V
DD
= 27 V，I
D
=10 A
民
典型值
最大单位
51
10
mJ
A
漏源雪崩额定值
（注2 ）
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
30
25
1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V,
I
D
= 9.5 A
I
D
= 8 A
I
D
= 9.5 A，T
J
=125°C
I
D
= 9.5 A
1
2.0
–5.1
15
20
23
28
3
V
毫伏/°C的
20
28
33
m
g
FS
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
660
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时，
V
GS
= 0 V,
170
90
F = 1.0 MHz的
2.3
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
9
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
5
24
4
6.7
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 9.5 A,
2.1
2.7
18
10
38
8
9.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
电气特性
符号
I
S
V
SD
TRR
QRR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大单位
2.3
A
V
nS
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
IF = 9.5 A，
I
S
= 2.3 A
（注2 ）
0.8
20
10
1.2
DIF / DT = 100 A / μs的
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一）R
θJA
= 45 ℃/安装在当W
1in
2
2盎司纯铜垫
B ）R
θJA
= 96 ° C / W安装时
上的最小垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
P
D
R
DS （ ON）
3.
最大电流的计算公式为：
其中，P
D
最大功耗在T
C
= 25℃和R
DS （ ON）
是在T
J（下最大）
和V
GS
= 10V 。封装电流限制为21A
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
典型特征
60
4.5V
2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
5.0V
V
GS
= 3.5V
50
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
40
1.8
1.6
4.0V
4.0V
30
1.4
4.5V
5.0V
6.0V
20
3.5V
1.2
10
3.0V
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
1
10V
0.8
0
10
20
I
D
，漏电流（ A）
30
40
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压
0.06
1.8
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 9.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 5 A
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.05
1.6
1.4
0.04
1.2
0.03
1
T
A
= 125
o
C
0.8
0.02
T
A
= 25
o
C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（
o
C)
125
150
0.01
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化
withTemperature
60
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
50
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
40
1
30
0.1
20
0.01
T
A
= 125
o
C
10
25
o
C
-55
o
C
0.001
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
5
5.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 9.5A
V
DS
= 10V
8
电容（pF）
20V
1000
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
800
C
国际空间站
600
6
15V
4
400
C
OSS
200
2
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
12
14
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
100
100s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θJA
= 96℃ / W
T
A
= 25 C
o
图8.电容特性
50
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
R
DS （ ON）
极限
40
单脉冲
o
R
θJA
= 96℃ / W
T
A
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
10
30
1
20
0.1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
图9.最高安全工作区
图10.单脉冲最大
功耗
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 96℃ / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
o
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
2004年2月
FDD6612A/FDU6612A
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷，低R
DS （ ON）
，开关速度快和
非常低R
DS （ ON）
在小包装。
特点
30 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 28毫欧@ V
GS
= 4.5 V
低栅电荷
快速开关
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
应用
DC / DC转换器
电机驱动
D
D
G
S
I- PAK
(TO-251AA)
摹 S
G
D- PAK
TO-252
(TO-252)
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@T
C
=25°C
@T
A
=25°C
脉冲
（注3）
（注1A ）
（注1A ）
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
评级
30
±20
30
9.5
60
36
2.8
1.3
-55到+175
单位
V
V
A
P
D
功耗
@T
C
=25°C
@T
A
=25°C
@T
A
=25°C
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
3.9
45
96
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD6612A
FDU6612A
设备
FDD6612A
FDU6612A
包
D- PAK （TO- 252）
Ⅰ- PAK （TO- 251 ）
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
12mm
不适用
QUANTITY
2500台
75
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源雪崩能源
漏源雪崩电流
测试条件
单脉冲，V
DD
= 27 V，I
D
=10 A
民
典型值
最大单位
51
10
mJ
A
漏源雪崩额定值
（注2 ）
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
30
25
1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V,
I
D
= 9.5 A
I
D
= 8 A
I
D
= 9.5 A，T
J
=125°C
I
D
= 9.5 A
1
2.0
–5.1
15
20
23
28
3
V
毫伏/°C的
20
28
33
m
g
FS
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
660
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时，
V
GS
= 0 V,
170
90
F = 1.0 MHz的
2.3
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
9
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
5
24
4
6.7
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 9.5 A,
2.1
2.7
18
10
38
8
9.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
电气特性
符号
I
S
V
SD
TRR
QRR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大单位
2.3
A
V
nS
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
IF = 9.5 A，
I
S
= 2.3 A
（注2 ）
0.8
20
10
1.2
DIF / DT = 100 A / μs的
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一）R
θJA
= 45 ℃/安装在当W
1in
2
2盎司纯铜垫
B ）R
θJA
= 96 ° C / W安装时
上的最小垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
P
D
R
DS （ ON）
3.
最大电流的计算公式为：
其中，P
D
最大功耗在T
C
= 25℃和R
DS （ ON）
是在T
J（下最大）
和V
GS
= 10V 。封装电流限制为21A
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
典型特征
60
4.5V
2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
5.0V
V
GS
= 3.5V
50
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
40
1.8
1.6
4.0V
4.0V
30
1.4
4.5V
5.0V
6.0V
20
3.5V
1.2
10
3.0V
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
1
10V
0.8
0
10
20
I
D
，漏电流（ A）
30
40
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压
0.06
1.8
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 9.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 5 A
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.05
1.6
1.4
0.04
1.2
0.03
1
T
A
= 125
o
C
0.8
0.02
T
A
= 25
o
C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（
o
C)
125
150
0.01
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化
withTemperature
60
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
50
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
40
1
30
0.1
20
0.01
T
A
= 125
o
C
10
25
o
C
-55
o
C
0.001
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
5
5.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 9.5A
V
DS
= 10V
8
电容（pF）
20V
1000
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
800
C
国际空间站
600
6
15V
4
400
C
OSS
200
2
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
12
14
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
100
100s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θJA
= 96℃ / W
T
A
= 25 C
o
图8.电容特性
50
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
R
DS （ ON）
极限
40
单脉冲
o
R
θJA
= 96℃ / W
T
A
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
10
30
1
20
0.1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
图9.最高安全工作区
图10.单脉冲最大
功耗
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 96℃ / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
o
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
2004年2月
FDD6612A/FDU6612A
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷，低R
DS （ ON）
，开关速度快和
非常低R
DS （ ON）
在小包装。
特点
30 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 28毫欧@ V
GS
= 4.5 V
低栅电荷
快速开关
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
应用
DC / DC转换器
电机驱动
D
D
G
S
I- PAK
(TO-251AA)
摹 S
G
D- PAK
TO-252
(TO-252)
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@T
C
=25°C
@T
A
=25°C
脉冲
（注3）
（注1A ）
（注1A ）
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
评级
30
±20
30
9.5
60
36
2.8
1.3
-55到+175
单位
V
V
A
P
D
功耗
@T
C
=25°C
@T
A
=25°C
@T
A
=25°C
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
3.9
45
96
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD6612A
FDU6612A
设备
FDD6612A
FDU6612A
包
D- PAK （TO- 252）
Ⅰ- PAK （TO- 251 ）
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
12mm
不适用
QUANTITY
2500台
75
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源雪崩能源
漏源雪崩电流
测试条件
单脉冲，V
DD
= 27 V，I
D
=10 A
民
典型值
最大单位
51
10
mJ
A
漏源雪崩额定值
（注2 ）
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
30
25
1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V,
I
D
= 9.5 A
I
D
= 8 A
I
D
= 9.5 A，T
J
=125°C
I
D
= 9.5 A
1
2.0
–5.1
15
20
23
28
3
V
毫伏/°C的
20
28
33
m
g
FS
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
660
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时，
V
GS
= 0 V,
170
90
F = 1.0 MHz的
2.3
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
9
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
5
24
4
6.7
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 9.5 A,
2.1
2.7
18
10
38
8
9.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
电气特性
符号
I
S
V
SD
TRR
QRR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大单位
2.3
A
V
nS
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
IF = 9.5 A，
I
S
= 2.3 A
（注2 ）
0.8
20
10
1.2
DIF / DT = 100 A / μs的
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一）R
θJA
= 45 ℃/安装在当W
1in
2
2盎司纯铜垫
B ）R
θJA
= 96 ° C / W安装时
上的最小垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
P
D
R
DS （ ON）
3.
最大电流的计算公式为：
其中，P
D
最大功耗在T
C
= 25℃和R
DS （ ON）
是在T
J（下最大）
和V
GS
= 10V 。封装电流限制为21A
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
典型特征
60
4.5V
2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
5.0V
V
GS
= 3.5V
50
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
40
1.8
1.6
4.0V
4.0V
30
1.4
4.5V
5.0V
6.0V
20
3.5V
1.2
10
3.0V
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
1
10V
0.8
0
10
20
I
D
，漏电流（ A）
30
40
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压
0.06
1.8
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 9.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 5 A
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.05
1.6
1.4
0.04
1.2
0.03
1
T
A
= 125
o
C
0.8
0.02
T
A
= 25
o
C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（
o
C)
125
150
0.01
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化
withTemperature
60
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
50
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
40
1
30
0.1
20
0.01
T
A
= 125
o
C
10
25
o
C
-55
o
C
0.001
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
5
5.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 9.5A
V
DS
= 10V
8
电容（pF）
20V
1000
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
800
C
国际空间站
600
6
15V
4
400
C
OSS
200
2
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
12
14
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
100
100s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θJA
= 96℃ / W
T
A
= 25 C
o
图8.电容特性
50
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
R
DS （ ON）
极限
40
单脉冲
o
R
θJA
= 96℃ / W
T
A
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
10
30
1
20
0.1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
图9.最高安全工作区
图10.单脉冲最大
功耗
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 96℃ / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
o
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
2004年2月
FDD6612A/FDU6612A
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷，低R
DS （ ON）
，开关速度快和
非常低R
DS （ ON）
在小包装。
特点
30 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 28毫欧@ V
GS
= 4.5 V
低栅电荷
快速开关
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
应用
DC / DC转换器
电机驱动
D
D
G
S
I- PAK
(TO-251AA)
摹 S
G
D- PAK
TO-252
(TO-252)
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@T
C
=25°C
@T
A
=25°C
脉冲
（注3）
（注1A ）
（注1A ）
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
评级
30
±20
30
9.5
60
36
2.8
1.3
-55到+175
单位
V
V
A
P
D
功耗
@T
C
=25°C
@T
A
=25°C
@T
A
=25°C
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
3.9
45
96
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD6612A
FDU6612A
设备
FDD6612A
FDU6612A
包
D- PAK （TO- 252）
Ⅰ- PAK （TO- 251 ）
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
12mm
不适用
QUANTITY
2500台
75
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源雪崩能源
漏源雪崩电流
测试条件
单脉冲，V
DD
= 27 V，I
D
=10 A
民
典型值
最大单位
51
10
mJ
A
漏源雪崩额定值
（注2 ）
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
30
25
1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V,
I
D
= 9.5 A
I
D
= 8 A
I
D
= 9.5 A，T
J
=125°C
I
D
= 9.5 A
1
2.0
–5.1
15
20
23
28
3
V
毫伏/°C的
20
28
33
m
g
FS
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
660
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时，
V
GS
= 0 V,
170
90
F = 1.0 MHz的
2.3
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
9
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
5
24
4
6.7
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 9.5 A,
2.1
2.7
18
10
38
8
9.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
电气特性
符号
I
S
V
SD
TRR
QRR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大单位
2.3
A
V
nS
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
IF = 9.5 A，
I
S
= 2.3 A
（注2 ）
0.8
20
10
1.2
DIF / DT = 100 A / μs的
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一）R
θJA
= 45 ℃/安装在当W
1in
2
2盎司纯铜垫
B ）R
θJA
= 96 ° C / W安装时
上的最小垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
P
D
R
DS （ ON）
3.
最大电流的计算公式为：
其中，P
D
最大功耗在T
C
= 25℃和R
DS （ ON）
是在T
J（下最大）
和V
GS
= 10V 。封装电流限制为21A
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
典型特征
60
4.5V
2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
5.0V
V
GS
= 3.5V
50
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
40
1.8
1.6
4.0V
4.0V
30
1.4
4.5V
5.0V
6.0V
20
3.5V
1.2
10
3.0V
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
1
10V
0.8
0
10
20
I
D
，漏电流（ A）
30
40
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压
0.06
1.8
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 9.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 5 A
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.05
1.6
1.4
0.04
1.2
0.03
1
T
A
= 125
o
C
0.8
0.02
T
A
= 25
o
C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（
o
C)
125
150
0.01
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化
withTemperature
60
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
50
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
40
1
30
0.1
20
0.01
T
A
= 125
o
C
10
25
o
C
-55
o
C
0.001
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
5
5.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
FDD6612A/FDU6612A
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 9.5A
V
DS
= 10V
8
电容（pF）
20V
1000
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
800
C
国际空间站
600
6
15V
4
400
C
OSS
200
2
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
12
14
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
100
100s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θJA
= 96℃ / W
T
A
= 25 C
o
图8.电容特性
50
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
R
DS （ ON）
极限
40
单脉冲
o
R
θJA
= 96℃ / W
T
A
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
10
30
1
20
0.1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
图9.最高安全工作区
图10.单脉冲最大
功耗
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 96℃ / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
o
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）
QQ：2880707522 复制
