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FDD5680
2000年7月
FDD5680
N沟道， PowerTrench MOSFET
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产
安森美半导体先进的PowerTrench工艺有
特别是针对已尽量减少接通状态
性，但维持优于低栅极电荷
开关性能。
特点
38 A， 60 V
DS （ ON）
= 0.021
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.025
@ V
GS
= 6 V.
低栅极电荷（ 33nC典型值） 。
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
应用
DC / DC转换器
电机驱动
D
D
G
S
TO-252
S
G
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
60
（注1 ）
（注1A ）
单位
V
V
A
最高可漏电流 - 连续
最大漏极电流
- 脉冲
o
±
20
38
8.5
100
60
2.8
1.3
-55到+150
P
D
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
T
A
= 25 C
T
A
= 25 C
o
o
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°
C
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻，结点到外壳
热阻，结点到环境
（注1 ）
（注1B ）
2.1
96
°
C / W
°
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD5680
2000
仙童半导体国际
设备
FDD5680
带尺寸
13’’
胶带宽度
16mm
QUANTITY
2500
FDD5680 ，版本C
FDD5680
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大单位
140
38
mJ
A
V
开关特性
单脉冲漏源
V
DD
= 30 V，I
D
= 38 A
雪崩能量
最大漏源雪崩电流
漏源击穿
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
电压
击穿电压
I
D
= 250
A，参考25
°
C
温度COEF网络cient
零栅压漏电流V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
门体漏电流，
前锋
门体漏电流，
反向
（注2 ）
60
60
1
100
-100
毫伏/
°
C
A
nA
nA
V
GS
= 20V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A，参考25
°
C
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.5 A，T
J
=125
°
C
V
GS
= 6 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 8.5 A
2
2.4
-6.4
0.017
0.028
0.019
4
V
毫伏/
°
C
0.021
0.042
0.025
I
D（上）
g
FS
50
30
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
1835
210
90
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 30 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
15
9
35
16
27
18
56
26
46
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 30 V，I
D
= 8.5 A,
V
GS
= 10 V,
33
6.5
7.5
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.3 A
（注2 ）
2.3
0.75
1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是结到壳体和壳体至环境阻力的地方的情况下热参考被定义为漏极标签的总和。
R
θJC
由设计而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一）R
θJA
安装时= 45℃ / W
在2盎司铜1平方英寸垫。
B ）R
θJA
安装时= 96℃ / W
在0.076垫2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
FDD5680 ，版本C
FDD5680
典型特征
60
V
GS
= 10V
50
40
30
1.4
2.2
6.0V
5.0V
4.5V
2
V
GS
= 4.0V
1.8
1.6
4.5V
5.0V
6.0V
7.0V
20
10
4.0V
1.2
1
10V
3.5V
0
0
1
2
3
4
0.8
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
，漏源电压（V ）
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压。
0.05
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I
D
= 8.5A
V
GS
= 10V
0.04
I
D
= 4.3A
T
A
= 125 C
0.03
o
0.02
T
A
= 25 C
0.01
o
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
o
0
125
150
3
4
5
6
7
8
9
10
T
J
，结温（ C）
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化
同门 - 源电压。
60
V
DS
= 5V
50
o
100
T
A
= -55 C
125 C
o
V
GS
= 0V
25 C
o
10
T
A
= 125 C
1
25 C
o
o
40
30
20
10
0
2
3
4
5
6
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
-55 C
o
0.8
1
1.2
1.4
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDD5680 ，版本C
FDD5680
典型特征
（续）
10
I
D
= 8.5A
8
V
DS
= 10V
30V
20V
2500
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
2000
C
国际空间站
6
1500
4
1000
2
500
C
OSS
C
RSS
0
10
20
30
40
50
60
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
Q
g
，栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
100
R
DS （ ON）
极限
10
1S
1
DC
0.1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 96℃ / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
100
o
o
60
100
s
1ms
10ms
功率（W）的
单脉冲
R
θ
JA
= 96℃ / W
T
A
= 25 C
40
o
o
100ms
10S
20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源电压（V ）
单脉冲时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
瞬态热阻
D = 0.5
0.2
R（T ） ，规范有效
0.1
0.1
0.05
0.01
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
=
96°C/W
0.02
单脉冲
P（ PK）
0.01
t
1
t
2
0.001
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA （T ）
占空比D = T
1
/ t
2
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
吨，时间（秒）
1
1
10
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态themal响应将取决于电路板的设计变化。
FDD5680 ，版本C
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