FDD4243 40V P沟道PowerTrench
MOSFET
FDD4243
40V P沟道PowerTrench
MOSFET
-40V ， -14A ，
44m
特点
概述
最大
DS （ ON）
= 44mΩ在V
GS
= -10V ，我
D
= -6.7A
最大
DS （ ON）
= 64mΩ在V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5.5A
高性能沟道技术极低r
DS （ ON）
符合RoHS
2007年11月
这种P沟道MOSFET已经采用飞兆半导体生产
安森美半导体专有的PowerTrench
技术
提供低R
DS （ ON）
优化BVDSS能力提供
在应用中实现出色的性能优势。
应用
逆变器
电源
S
G
S
D
G
D
O -2 52
T
-PA
（ TO -252 ）
D
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
- 连续（包装有限公司）
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
工作和存储结温范围
T
C
= 25°C
（注1A ）
（注3）
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1 ）
（注1A ）
参数
评级
-40
±20
-14
-24
-6.7
-60
84
42
3
-55
+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
3.0
40
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD4243
设备
FDD4243
包
D-PAK(TO-252)
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2007仙童半导体公司
FDD4243 Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
FDD4243 40V P沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
=
-250A,
V
GS
= 0V
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
DS
=
-32V,
V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
V
GS
= ±20V, V
GS
= 0V
-40
-32
-1
-100
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
=
-250A
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
GS
=
-10V,
I
D
=
-6.7A
V
GS
=
-4.5V,
I
D
=
-5.5A
V
GS
=
-10V,
I
D
=
-6.7A,
T
J
= 125°C
V
DS
=
-5V,
I
D
=
-6.7A
-1.4
-1.6
4.7
36
48
53
16
44
64
69
S
m
-3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
1165
165
90
4
1550
220
135
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DD
=
-20V,
I
D
=
-6.7A
V
GS
=
-10V
V
DD
=
-20V,
I
D
=
-6.7A
V
GS
=
-10V,
R
根
= 6
6
15
22
7
21
3.4
4
12
26
35
14
29
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
=
-6.7A
（注2 ）
0.86
29
30
1.2
43
44
V
ns
nC
I
F
=
-6.7A,
的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
1:
R
θJA
是结点到外壳和外壳至环境，其中热的情况下引用定义为焊接安装的漏引脚表面的热阻之和。
θJC
is
通过设计保证，同时
θJC
是通过用户的电路板的设计来确定。
一。在安装于1时40℃ / W的
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在一个最小焊盘时96℃ / W 。
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
3:
起始物为
J
= 25℃时，L = 3MH ，我
AS
= 7.5A ，V
DD
= 40V, V
GS
= 10V.
FDD4243 Rev.C1
2
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FDD4243 40V P沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
60
-I
D
，漏电流（ A）
3.5
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= -3.0V
50
40
30
20
10
0
0
V
GS
= -10V
V
GS
= - 6V
V
GS
= -5V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -4V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= - 3.0V
V
GS
= -4V
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -5V
V
GS
= -6V
V
GS
= -10V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1
2
3
4
-V
DS
，漏源极电压（ V）
5
0
10
20
30
40
-I
D
，漏电流（ A）
50
60
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
120
r
DS （ ON）
，沥去
源导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
I
D
= -6.7A
V
GS
= -10V
I
D
= -6.7A
100
80
60
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
40
20
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温
(
o
C
)
150
2
3
4
5
6
7
8
9
-V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.归一导通电阻
VS结温
-
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
30
V
GS
= 0V
60
50
40
30
20
10
0
1
T
J
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
-
I
D
，漏电流（ A）
10
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
= -55
o
C
1
T
J
= -55
o
C
2
3
4
5
-V
GS
，门源电压（ V）
6
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
-V
GS
，门源电压（ V）
10
I
D
= -6.7A
3000
V
DD
= -10V
8
6
4
2
0
电容（pF）
1000
C
国际空间站
V
DD
= -20V
V
DD
= -30V
C
OSS
100
50
0.1
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
RSS
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
，栅极电荷（ NC）
1
10
-V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
25
-I
D
，漏电流（ A）
20
15
10
5
R
θ
JC
= 3.0 C / W
o
10
-
I
AS
，雪崩电流（ A）
8
6
4
T
J
= 25
o
C
V
GS
= -10V
不限按包
V
GS
= -4.5V
2
T
J
= 125
o
C
1
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
30
0
25
50
75
100
125
o
150
T
C
，外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
10000
对于温度
100
-I
D
，漏电流（ A）
100us
V
GS
= -10V
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
150
–
T
C
---------------------
-
125
T
C
= 25
o
C
10
1000
I = I
25
1ms
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
TJ =最大额定
TC = 25
O
C
10ms
100ms
100
单脉冲
0.1
0.5
1
10
100
30
-5
10
10
-4
-V
DS
，漏源极电压（ V）
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
FDD4243 Rev.C1
4
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FDD4243 40V P沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JC
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
0.01
单脉冲
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
0.003
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
FDD4243 Rev.C1
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FDD4243 40V P沟道PowerTrench
MOSFET
FDD4243
40V P沟道PowerTrench
MOSFET
-40V ， -14A ，
44m
特点
概述
最大
DS （ ON）
= 44mΩ在V
GS
= -10V ，我
D
= -6.7A
最大
DS （ ON）
= 64mΩ在V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5.5A
高性能沟道技术极低r
DS （ ON）
符合RoHS
2006年11月
这种P沟道MOSFET已经采用飞兆半导体生产
安森美半导体专有的PowerTrench
技术
提供低R
DS （ ON）
优化BVDSS能力提供
在应用中实现出色的性能优势。
应用
逆变器
电源
S
G
S
D
G
D
O -2 52
T
-PA
（ TO -252 ）
D
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
工作和存储结温范围
T
C
= 25°C
（注1A ）
（注3）
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1 ）
（注1A ）
参数
评级
-40
±20
-14
-24
-6.7
-60
84
42
3
-55
+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
3.0
40
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD4243
设备
FDD4243
包
D-PAK(TO-252)
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2006仙童半导体公司
FDD4243 Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
FDD4243 40V P沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
=
-250A,
V
GS
= 0V
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
DS
=
-32V,
V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
V
GS
= ±20V, V
GS
= 0V
-40
-32
-1
-100
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
=
-250A
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
GS
=
-10V,
I
D
=
-6.7A
V
GS
=
-4.5V,
I
D
=
-5.5A
V
GS
=
-10V,
I
D
=
-6.7A,
T
J
= 125°C
V
DS
=
-5V,
I
D
=
-6.7A
-1
-1.6
4.7
36
48
53
16
44
64
69
S
m
-3
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
1165
165
90
4
1550
220
135
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DD
=
-20V,
I
D
=
-6.7A
V
GS
=
-10V
V
DD
=
-20V,
I
D
=
-6.7A
V
GS
=
-10V,
R
根
= 6
6
15
22
7
21
3.4
4
12
26
35
14
29
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
=
-6.7A
（注2 ）
0.86
29
30
1.2
43
44
V
ns
nC
I
F
=
-6.7A,
的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
1:
R
θJA
是结点到外壳和外壳至环境，其中热的情况下引用定义为焊接安装的漏引脚表面的热阻之和。
θJC
is
通过设计保证，同时
θJC
是通过用户的电路板的设计来确定。
一。在安装于1时40℃ / W的
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在一个最小焊盘时96℃ / W 。
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
3:
起始物为
J
= 25°C,
L = 3MH ，我
AS
= 7.5A ，V
DD
= 40V, V
GS
= 10V.
FDD4243 Rev.C
2
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FDD4243 40V P沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
60
-I
D
，漏电流（ A）
3.5
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= -3.0V
50
40
30
20
10
0
0
V
GS
= -10V
V
GS
= - 6V
V
GS
= -5V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -4V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= - 3.0V
V
GS
= -4V
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -5V
V
GS
= -6V
V
GS
= -10V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1
2
3
4
-V
DS
，漏源极电压（ V）
5
0
10
20
30
40
-I
D
，漏电流（ A）
50
60
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
120
r
DS （ ON）
，沥去
源导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
I
D
= -6.7A
V
GS
= -10V
I
D
= -6.7A
100
80
60
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
40
20
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温
(
o
C
)
150
2
3
4
5
6
7
8
9
-V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.归一导通电阻
VS结温
-
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
30
V
GS
= 0V
60
50
40
30
20
10
0
1
T
J
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
-
I
D
，漏电流（ A）
10
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
= -55
o
C
1
T
J
= -55
o
C
2
3
4
5
-V
GS
，门源电压（ V）
6
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
FDD4243 Rev.C
3
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FDD4243 40V P沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
-V
GS
，门源电压（ V）
10
I
D
= -6.7A
3000
V
DD
= -10V
8
6
4
2
0
电容（pF）
1000
C
国际空间站
V
DD
= -20V
V
DD
= -30V
C
OSS
100
50
0.1
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
RSS
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
，栅极电荷（ NC）
1
10
-V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
25
-I
D
，漏电流（ A）
20
15
10
5
R
θ
JC
= 3.0 C / W
o
10
-
I
AS
，雪崩电流（ A）
8
6
4
T
J
= 25
o
C
V
GS
= -10V
不限按包
V
GS
= -4.5V
2
T
J
= 125
o
C
1
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
30
0
25
50
75
100
125
o
150
T
C
，外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
10000
对于温度
100
-I
D
，漏电流（ A）
100us
V
GS
= -10V
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
150
–
T
C
----------------------
-
125
T
C
= 25
o
C
10
1000
I = I
25
1ms
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
TJ =最大额定
TC = 25
O
C
10ms
100ms
100
单脉冲
0.1
0.5
1
10
100
30
-5
10
10
-4
-V
DS
，漏源极电压（ V）
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
FDD4243 Rev.C
4
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FDD4243 40V P沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JC
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
0.01
单脉冲
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
0.003
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
FDD4243 Rev.C
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