FDD3510H双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
2008年4月
FDD3510H
双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
N通道： 80V ， 13.9A ， 80mΩ P通道： -80V ， -9.4A ， 190mΩ
特点
Q1 ： N沟道
最大
DS （ ON）
= 80mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 4.3A
最大
DS （ ON）
= 88mΩ在V
GS
= 6V ，我
D
= 4.1A
Q2 ： P通道
最大
DS （ ON）
= 190mΩ在V
GS
= -10V ，我
D
= -2.8A
最大
DS （ ON）
= 224mΩ在V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.6A
100 ％ UIL测试
符合RoHS
逆变器
H- BRIDGE
概述
这些双N和P沟道增强
电源模式
MOSFET采用飞兆半导体的出品
先进的PowerTrench
过程一直特别
量身定制
最大限度地减少通态电阻和
YET
维护
出色的开关性能。
应用
D1
D1/D2
D2
G1
G2
S2
G1
S1
双DPAK 4L
S1
N沟道
G2
S2
P沟道
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续
- 连续
- 脉冲
功率消耗单操作
P
D
E
AS
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
工作和存储结温范围
T
C
= 25°C
（注1 ）
T
A
= 25 ° C（注1A ）
T
A
= 25 ° C（注1B ）
（注3）
37
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
参数
Q1
80
±20
13.9
4.3
20
35
3.1
1.3
54
mJ
°C
-55到+150
Q2
-80
±20
-9.4
-2.8
-10
32
W
A
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJC
热阻，结到外壳，单操作为Q1
热阻，结到外壳，单操作Q2
（注1 ）
（注1 ）
3.5
3.9
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD3510H
设备
FDD3510H
包
TO-252-4L
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2008飞兆半导体公司
FDD3510H Rev.C
1
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FDD3510H双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
TYPE
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，引用至25℃
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
DS
= 64V, V
GS
= 0V
V
DS
= -64V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
80
-80
84
-67
1
-1
±100
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
I
D
= 250μA ，引用至25℃
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.3A
V
GS
= 6.0V ，我
D
= 4.1A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.3A ，T
J
= 125°C
V
GS
= -10V ，我
D
= -2.8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.6A
V
GS
= -10V ，我
D
= -2.8A ，T
J
= 125°C
V
DD
= 10V ，我
D
= 4.3A
V
DD
= -5V ，我
D
= -2.8A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
2.0
-1.0
2.6
-1.6
-6.7
4.6
64
70
121
153
184
259
15
6.8
80
88
152
190
224
322
4.0
-3.0
V
毫伏/°C的
r
DS （ ON）
静态漏极至源极导通电阻
m
Q2
Q1
Q2
g
FS
正向跨导
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
Q1
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
Q2
V
DS
= -40V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
600
660
56
50
27
25
1.7
7.2
800
880
75
70
41
40
pF
pF
pF
F = 1MHz的
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
Q2
V
GS
= -10V, V
DD
= -40V ，我
D
= -2.8A
Q1
V
DD
= 40V ，我
D
= 4.3A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
Q2
V
DD
= -40V ，我
D
= -2.8A,
V
GS
= -10V ，R
根
= 6
Q1
V
GS
= 10V, V
DD
= 40V ，我
D
= 4.3A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
7
6
2
3
16
25
2
5
13
14
2.3
1.9
3.2
2.9
13
11
10
10
29
40
10
10
18
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
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2
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FDD3510H双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
TYPE
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.
R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
确定
深受用户的电路板设计。
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 2.6A
V
GS
= 0V时，我
S
= -2.6A
Q1
I
F
= 4.3A ，的di / dt = 100A / S
Q2
I
F
= -2.8A ，的di / dt = 100A / S
（注2 ）
（注2 ）
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.8
-0.8
29
30
28
30
1.2
-1.2
46
48
45
48
V
ns
nC
Q1
一。装在当40℃ / W的
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在当96℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
Q2
一。装在当40℃ / W的
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在当96℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
3.起始物为
J
= 25 ° C，N -CH ： L = 3MH ，我
AS
= 5A ，V
DD
= 80V, V
GS
= 10V ; P- CH ： L = 3MH ，我
AS
= -6A ，V
DD
= -80V, V
GS
= -10V.
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MOSFET
典型特征（ Q1 N沟道）
T
J
= 25 ° C除非另有说明
20
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10V
I
D
,
漏电流（ A）
V
GS
= 6V
V
GS
= 4.5V
4.0
3.5
3.0
V
GS
= 4V
V
GS
= 3.5V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
15
脉冲宽度= X
s
占空比= X ％ MAX
2.5
V
GS
= 4.5V
10
V
GS
= 4V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
5
10
15
20
I
D
,
漏极电流（ A）
V
GS
= 6V
5
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 10V
0
0
1
2
3
V
DS
,
漏源极电压（ V）
4
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
300
源导通电阻
(
m
)
2.2
归
漏极至源极导通电阻
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-75
I
D
= 4.3A
V
GS
= 10V
I
D
= 4.3A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
r
DS （ON ） ，
漏
200
T
J
= 125
o
C
100
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
0
2
4
6
8
10
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
20
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
20
10
V
GS
= 0V
I
D
，漏电流（ A）
15
V
DS
= 5V
1
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
10
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
0.1
5
T
J
= -55
o
C
0.01
T
J
= -55
o
C
0
2
3
4
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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MOSFET
典型特征（ Q1 N沟道）
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 4.3A
1000
C
国际空间站
电容（pF）
V
DD
= 40V
8
6
V
DD
= 30V
V
DD
= 50V
100
C
OSS
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
，栅极电荷（ NC）
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
RSS
10
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
15
I
D
,
漏电流（ A）
5
I
AS
，雪崩电流（ A）
4
12
V
GS
= 10V
3
T
J
= 25
o
C
9
V
GS
= 6V
2
T
J
= 125
o
C
6
3
R
θ
JC
= 3.5 C / W
o
1
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100
o
125
150
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
T
C
,
外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
50
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率（ W）
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
10
5
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
10
100us
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
10
4
1
10
3
单脉冲
R
θ
JC
= 3.5
o
C / W
T
C
= 25
o
C
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JC
= 3.5
o
C / W
1ms
10ms
100ms
DC
10
2
0.1
0.05
0.5
1
T
C
= 25
o
C
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
10
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T，脉冲宽度（秒）
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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