FDD10AN06A0_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2012年12月
FDD10AN06A0_F085
N沟道的PowerTrench
MOSFET
60V ， 50A ， 10.5mΩ
特点
r
DS （ ON）
= 9.4mΩ （典型值） ，V
GS
= 10V ，我
D
= 50A
Q
g
（ TOT ）= 28nC （典型值） ，V
GS
= 10V
低米勒电荷
低的Qrr体二极管
UIS能力（单脉冲，重复脉冲）
符合AEC Q101
符合RoHS
以前发育类型82560
应用
电机/身体负荷控制
ABS系统
动力管理
喷射系统
DC-DC转换器和离线式UPS
分布式电源架构和VRM的
主开关的12V和24V系统
漏
（法兰）
门
来源
D
G
S
TO-252AA
FDD系列
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
I
D
连续（T
C
＆ LT ; 115
o
C，V
GS
= 10V)
连续（T
AMB
= 25℃ ，V
GS
= 10V ，其中R
θJA
= 52℃ / W）
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注1 ）
功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
o
o
o
参数
评级
60
±20
50
11
图4
429
135
0.9
-55至175
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳TO- 252
热阻结到环境TO- 252
热阻结到环境TO- 252 ， 1英寸
2
铜层的面积
1.11
100
52
o
o
o
C / W
C / W
C / W
该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。对于
要求副本，请AEC Q101为： http://www.aecouncil.com/
http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html ：可靠性数据可以在这里找到。
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试
认证。
2012仙童半导体公司
FDD10AN06A0_F085牧师C1
FDD10AN06A0_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDD10AN06A0
设备
FDD10AN06A0_F085
包
TO-252AA
带尺寸
330mm
胶带宽度
16mm
QUANTITY
2500台
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150 C
o
60
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 50A ，V
GS
= 10V
I
D
= 50A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
2
-
-
-
4
V
0.0094 0.0105
0.020
0.023
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 30V
I
D
= 50A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
1840
340
110
28
3.5
9.8
6.4
7.8
-
-
-
37
4.6
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
(V
GS
= 10V)
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= 30V ，我
D
= 50A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 10
-
-
-
-
-
-
-
8
79
32
32
-
131
-
-
-
-
97
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 50A
I
SD
= 25A
I
SD
= 50A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 50A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
27
23
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
起始物为
J
= 25℃时，L = 8.58mH ，我
AS
= 10A.
2012仙童半导体公司
FDD10AN06A0_F085牧师C1
FDD10AN06A0_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
80
电流限制
按封装
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
0
25
50
75
100
125
o
60
0.8
0.6
40
0.4
20
0.2
0
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ C）
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
环境温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
1000
跨
可能限流
在这个区域
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
V
GS
= 10V
175 - T
C
150
I
DM
峰值电流（ A）
100
40
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（S ）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2012仙童半导体公司
FDD10AN06A0_F085牧师C1
FDD10AN06A0_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
500
10s
100
I
D
，漏电流（ A）
100s
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
DC
1ms
10ms
起始物为
J
= 25
o
C
10
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
起始物为
J
= 150
o
C
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
图5.正向偏置安全工作区
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
100
100
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
75
V
GS
= 10V
75
V
GS
= 7V
V
GS
= 6V
50
50
T
J
= 25
o
C
25
T
J
= 175
o
C
0
3
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
4
7
T
J
= -55
o
C
25
T
C
= 25
o
C
0
0
0.5
1.0
1.5
V
GS
= 5V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
2.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
18
漏极至源极导通电阻（ MΩ）
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
16
图8.饱和特性
2.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
2.0
14
V
GS
= 6V
1.5
12
V
GS
= 10V
10
1.0
V
GS
= 10V ，我
D
= 50A
8
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图9.漏极至源极导通电阻VS漏
当前
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2012仙童半导体公司
FDD10AN06A0_F085牧师C1
FDD10AN06A0_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.4
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.2
归一化门
阈值电压
归一漏极至源极
击穿电压
1.2
I
D
= 250A
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.9
-80
-40
T
J
，结温（
o
C)
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
3000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C，电容（pF ）
1000
C
OSS
C
DS
+ C
GD
图12.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
GS
，门源电压（ V）
V
DD
= 30V
8
6
C
RSS
=
C
GD
4
100
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
2
任意波形
降序排列：
I
D
= 50A
I
D
= 11A
0
5
10
15
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
25
30
50
0.1
0
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
60
图13.电容VS漏极至源极
电压
图14.门充电波形恒
门电流
2012仙童半导体公司
FDD10AN06A0_F085牧师C1
QQ：2881677436 复制
