【FDD107AN06LA02004年1月FDD107AN06LA0N沟道的PowerTrenchMO】,IC型号FDD107AN06LA0,FDD107AN06LA0 PDF资料,FDD107AN06LA0经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDD107AN06LA0

2004年1月

FDD107AN06LA0

N沟道的PowerTrench

MOSFET

60V ， 10A ， 107mΩ

特点

r

DS （ ON）

= 92mΩ （典型值），V

GS

= 5V ，我

D

= 10A

Q

g

（ TOT ）= 4.2nC （典型值），V

GS

= 5V

低米勒电荷

低Q

RR

体二极管

UIS能力（单脉冲，重复脉冲）

符合AEC Q101

以前发育类型83524

应用

电机/身体负荷控制

ABS系统

动力管理

喷射系统

DC-DC转换器和离线式UPS

分布式电源架构和VRM的

主开关的12V和24V系统

漏极（法兰）

D

门

来源

G

TO-252AA

FDD系列

S

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

连续（T

C

= 25

o

C，V

GS

= 10V)

I

D

连续（T

C

= 25℃ ，V

GS

= 5V)

连续（T

C

= 100℃ ，V

GS

= 5V)

连续（T

A

= 25℃ ，V

GS

= 5V ，R

θJA

= 52℃ / W）

脉冲

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量（注1 ）

功耗

减免上述25℃

工作和存储温度

o

参数

评级

60

±20

10.9

10

7.1

3.4

图4

9

25

0.17

-55至175

单位

V

A

mJ

W

W/

o

C

o

C

热特性

R

θJC

R

θJA

R

θJA

热阻结到外壳TO- 252

热阻结到环境TO- 252

热阻结到环境TO- 252 ， 1英寸的铜焊盘面积

2

6.0

100

52

o

C / W

该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。对于

要求副本，请AEC Q101为： http://www.aecouncil.com/

http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html ：可靠性数据可以在这里找到。

所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试

certificatio

n.

2004仙童半导体公司

FDD107AN06LA0牧师A1

FDD107AN06LA0

包装标志和订购信息

器件标识

FDD107AN06LA0

设备

FDD107AN06LA0

包

TO-252AA

带尺寸

330mm

胶带宽度

16mm

QUANTITY

2500台

电气特性

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

B

VDSS

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

V

DS

= 50V

V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V

T

C

= 150 C

o

60

-

1

250

±100

V

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

门源阈值电压

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

I

D

= 10.9A ，V

GS

= 10V

r

DS （ ON）

漏极至源极导通电阻

I

D

= 10A ，V

GS

= 5V

I

D

= 10A ，V

GS

= 5V,

T

J

= 175

o

C

1

-

0.076

0.092

0.221

3

0.091

0.107

0.254

V

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gs2

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷为5V

阈值的栅极电荷

门源栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏“米勒”充电

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

V

GS

= 0V至5V

V

GS

= 0V至1V

V

DD

= 30V

I

D

= 10A

I

g

= 1.0毫安

-

360

45

14

4.2

0.5

1.9

1.4

1.5

-

5.5

0.7

-

pF

nC

开关特性

(V

GS

= 5V)

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

V

DD

= 30V ，我

D

= 10A

V

GS

= 5V ，R

GS

= 47

-

13

54

17

18

-

100

-

53

ns

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

RR

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SD

= 10A

I

SD

= 5A

I

SD

= 10A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

I

SD

= 10A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

-

1.25

1.0

32

27

V

ns

nC

注意事项：

1:

起始物为

J

= 25℃时，L = 270μH ，我

AS

= 8A.

2004仙童半导体公司

FDD107AN06LA0牧师A1

FDD107AN06LA0

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

12

功耗乘法器

1.0

I

D

，漏电流（ A）

9

V

GS

= 5V

6

V

GS

= 10V

0.8

0.6

0.4

3

0.2

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

图1.归功耗与

环境温度

2

1

Z

θJC

归一化

热阻抗

占空比 - 降序排列

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

P

DM

0.1

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJC

个R

θJC

+ T

C

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

单脉冲

0.01

10

-5

10

-4

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

图3.归一化最大瞬态热阻抗

100

T

C

= 25

o

C

跨

可能限流

在这个区域

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

I = I

25

175 - T

C

150

I

DM

峰值电流（ A）

V

GS

= 10V

20

V

GS

= 5V

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

T，脉冲宽度（ S）

10

-1

10

0

10

1

图4.峰值电流容量

2004仙童半导体公司

FDD107AN06LA0牧师A1

FDD107AN06LA0

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

100

10s

I

AS

，雪崩电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

50

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

10

100s

10

起始物为

J

= 25

o

C

1ms

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

DC

单脉冲

T

J

=最大额定

T

C

= 25

o

C

10ms

1

起始物为

J

= 150

o

C

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

100

1

0.001

0.01

0.1

1

10

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

图5.正向偏置安全工作区

注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515

图6.松开电感式开关

能力

20

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DD

= 15V

I

D

，漏电流（ A）

15

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= 10V

15

V

GS

= 5V

V

GS

= 4V

10

V

GS

= 3.5V

5

V

GS

= 3V

0

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

T

C

= 25

o

C

10

T

J

= 175

o

C

5

T

J

= 25

o

C

T

J

=

0

2

3

4

5

V

GS

，门源电压（ V）

-55

o

C

0

0.5

1.0

1.5

2.0

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.传热特性

200

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

I

D

= 10.9A

150

归一漏极至源极

抗性

图8.饱和特性

2.5

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

r

DS （ ON）

，漏极到源极

ON电阻（mΩ ）

2.0

1.5

1.0

100

I

D

= 1A

0.5

V

GS

= 10V ，我

D

=10.9A

50

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

0

-80

-40

0

40

80

120

(

o

C)

160

200

T

J

，结温

图9.漏极至源极导通电阻VS门

电压和漏极电流

图10.归一漏极至源极ON

电阻与结温

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FDD107AN06LA0

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

归一漏极至源极

击穿电压

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

归一化门

阈值电压

1.0

1.2

I

D

= 250A

1.1

0.8

1.0

0.6

0.4

-80

-40

0

40

80

120

o

0.9

160

200

-80

-40

0

40

80

120

o

160

200

T

J

，结温（ C）

T

J

，结温（ C）

图11.归一化栅极阈值电压Vs

结温

500

C

国际空间站

=

C

GS

+ C

GD

C，电容（pF ）

图12.归漏极至源极

击穿电压VS结温

10

V

GS

，门源电压（ V）

V

DD

= 30V

8

100

C

RSS

=

C

GD

C

OSS

C

DS

+ C

GD

6

4

任意波形

降序排列：

I

D

= 10A

I

D

= 1A

0

2

4

Q

g

，栅极电荷（ NC）

6

8

2

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

10

0.1

1

10

60

V

DS

，漏源极电压（ V）

0

图13.电容VS漏极至源极

电压

图14.门充电波形恒

栅电流

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