FDC796N
2004年2月
FDC796N
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷，低R
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
12.5 A， 30 V.
R
DS （ ON）
= 9毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 12毫欧@ V
GS
= 4.5 V
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
低栅电荷
高功率和电流处理能力
快速开关速度。
应用
DC / DC转换器
电源管理
负荷开关
底部排水
G
S
S
S
SuperSOT-6
TM
1
S
6
5
4
2
3
S
FLMP
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±
20
（注1A ）
单位
V
A
W
°C
12.5
40
2
1.1
55
+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1B ）
60
111
0.5
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.796
设备
FDC796N
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDC796N版本D（ W）
FDC796N
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注：1 。
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±
20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
25
10
±100
1
2
– 5.6
7.4
9.5
9
48.4
1444
342
135
V
GS
= 15 mV时，
（注2 ）
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
抗性
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
I
D
= 12.5 A
V
GS
= 10 V,
I
D
= 11 A
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.5 A，T
J
=125°C
V
DS
= 10 V,
I
D
= 12.5 A
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
3
V
毫伏/°C的
9
12
16
m
S
pF
pF
pF
20
7.6
42
23
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
动态特性
F = 1.0 MHz的
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
1.25
10
3.8
26
13
开关特性
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 12.5 A,
14
4
5
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
= 1.5 A
（注2 ）
1.5
0.73
25
15
1.2
A
V
nS
nC
I
F
= 12.5 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊接安装
的漏极引脚表面。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
60 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜
b)
安装在111 ° C / W
对2盎司最小焊盘
铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDC796N版本D（ W）
FDC796N
2004年2月
FDC796N
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷，低R
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
12.5 A， 30 V.
R
DS （ ON）
= 9毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 12毫欧@ V
GS
= 4.5 V
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
低栅电荷
高功率和电流处理能力
快速开关速度。
应用
DC / DC转换器
电源管理
负荷开关
底部排水
G
S
S
S
SuperSOT-6
TM
1
S
6
5
4
2
3
S
FLMP
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±
20
（注1A ）
单位
V
A
W
°C
12.5
40
2
1.1
55
+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1B ）
60
111
0.5
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.796
设备
FDC796N
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDC796N版本D（ W）
FDC796N
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注：1 。
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±
20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
25
10
±100
1
2
– 5.6
7.4
9.5
9
48.4
1444
342
135
V
GS
= 15 mV时，
（注2 ）
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
抗性
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
I
D
= 12.5 A
V
GS
= 10 V,
I
D
= 11 A
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.5 A，T
J
=125°C
V
DS
= 10 V,
I
D
= 12.5 A
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
3
V
毫伏/°C的
9
12
16
m
S
pF
pF
pF
20
7.6
42
23
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
动态特性
F = 1.0 MHz的
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
1.25
10
3.8
26
13
开关特性
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 12.5 A,
14
4
5
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
= 1.5 A
（注2 ）
1.5
0.73
25
15
1.2
A
V
nS
nC
I
F
= 12.5 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊接安装
的漏极引脚表面。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
60 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜
b)
安装在111 ° C / W
对2盎司最小焊盘
铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDC796N版本D（ W）
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