1999年6月
FDC638P
P沟道2.5V指定的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这P -Channel 2.5V MOSFET指定使用产生
飞兆半导体的PowerTrench先进的过程，
已特别是针对减少通态电阻
然而保持出色的开关低栅极电荷
性能。
这些器件非常适合电池供电的应用：负载
开关和电源管理，电池充电电路，并
直流/直流转换。
特点
-4.5 A， -20 V.
DS （ ON）
= 0.045
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.065
@ V
GS
= -2.5 V.
低栅极电荷（典型为13nC ） 。
高性能沟道技术极低r
DS （ ON）
.
SuperSOT -6包：占地面积小（比标准小72 ％
SO- 8 ） ;低调（ 1mm厚） 。
TM
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
S
D
D
1
6
.63
针
1
8
2
G
D
D
5
SuperSOT
TM
-6
3
4
绝对最大额定值
符号参数
V
DSS
V
GSS
I
D
漏源电压
T
A
= 25 ° C除非另有笔记
评级
-20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
-4.5
-20
P
D
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
1.6
0.8
-55到150
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
1999飞兆半导体
FDC638P Rev.D
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55 C
I
GSSF
I
GSSR
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
o
o
-20
-18
-1
-10
100
-100
V
毫伏/ C
A
A
nA
nA
o
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
栅极阈值VoltageTemp.Coefficient
静态漏源导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -4.5 A
T
J
= 125 C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -3.8 A
o
o
-0.4
-0.9
3
0.039
0.054
0.057
-1.5
V
毫伏/ C
o
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
0.045
0.072
0.065
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -4.5 A
-20
6.5
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
1240
270
100
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -10 V，I
D
= -4.5 A,
V
GS
= -5 V
V
DD
= -5 V，I
D
= -1 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
8
15
45
30
13
1.8
3
16
27
65
50
19
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
is
通过设计保证，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
o
装在一个1在C / W的时
2
垫在FR - 4电路板2盎司铜。
b. 156
o
安装在一个最小焊盘时C / W。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
连续源二极管电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
（注2 ）
-1.3
-0.75
-1.2
A
V
FDC638P Rev.D
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
1999年6月
FDC638P
P沟道2.5V指定的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这P -Channel 2.5V MOSFET指定使用产生
飞兆半导体的PowerTrench先进的过程，
已特别是针对减少通态电阻
然而保持出色的开关低栅极电荷
性能。
这些器件非常适合电池供电的应用：负载
开关和电源管理，电池充电电路，并
直流/直流转换。
特点
-4.5 A， -20 V.
DS （ ON）
= 0.045
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.065
@ V
GS
= -2.5 V.
低栅极电荷（典型为13nC ） 。
高性能沟道技术极低r
DS （ ON）
.
SuperSOT -6包：占地面积小（比标准小72 ％
SO- 8 ） ;低调（ 1mm厚） 。
TM
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
S
D
D
1
6
.63
针
1
8
2
G
D
D
5
SuperSOT
TM
-6
3
4
绝对最大额定值
符号参数
V
DSS
V
GSS
I
D
漏源电压
T
A
= 25 ° C除非另有笔记
评级
-20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
-4.5
-20
P
D
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
1.6
0.8
-55到150
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
1999飞兆半导体
FDC638P Rev.D
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55 C
I
GSSF
I
GSSR
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
o
o
-20
-18
-1
-10
100
-100
V
毫伏/ C
A
A
nA
nA
o
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
栅极阈值VoltageTemp.Coefficient
静态漏源导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -4.5 A
T
J
= 125 C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -3.8 A
o
o
-0.4
-0.9
3
0.039
0.054
0.057
-1.5
V
毫伏/ C
o
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
0.045
0.072
0.065
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -4.5 A
-20
6.5
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
1240
270
100
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -10 V，I
D
= -4.5 A,
V
GS
= -5 V
V
DD
= -5 V，I
D
= -1 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
8
15
45
30
13
1.8
3
16
27
65
50
19
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
is
通过设计保证，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
o
装在一个1在C / W的时
2
垫在FR - 4电路板2盎司铜。
b. 156
o
安装在一个最小焊盘时C / W。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
连续源二极管电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
（注2 ）
-1.3
-0.75
-1.2
A
V
FDC638P Rev.D
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
QQ：2880707522 复制
