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1998年5月

FDC636P

P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

概述

这些P沟道逻辑电平增强型功率

场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

专有的，高密度， DMOS技术。这很

高密度工艺特别是针对减少

通态电阻。这些设备特别适合

对于低电压应用，如蜂窝电话和

笔记本电脑的电源管理和其他电池

供电电路中的高侧开关和低线

需要在一个非常小的轮廓表面的功率损耗

贴装封装。

特点

-2.8 A， -20 V.

DS （ ON）

= 0.130

@ V

= -4.5 V

DS （ ON）

= 0.180

@ V

= -2.5 V.

SuperSOT

采用铜引线框架-6包装设计

优异的热和电性能。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流

能力。

SOT-23

SuperSOT -6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

.63

SuperSOT

针

-6

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

（注1A ）

FDC636P

-20

±8

-2.8

-11

1.6

0.8

-55到150

单位

英镑

θJA

θJC

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

1998仙童半导体公司

FDC636P Rev.B的

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

漏源击穿电压

击穿电压温度。系数

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

= -250 A

= -250 μA ，参考25℃

= -16 V, V

= 0 V

= 55

GSSF

GSSR

GS （ TH）

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

= 8 V, V

= 0 V

= -8 V, V

= 0 V

= V

, I

= -250 A

= -250 μA ，参考25

= -4.5 V，I

= -2.8 A

= 125 C

= -2.5 V，I

= -2.2 A

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

注意事项：

1. R

在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。

被担保

设计，同时

是通过用户的电路板的设计来确定。

a. 78

装在一个1在C / W的时

垫在FR - 4电路板2盎司铜。

b. 156

安装在2盎司Cu对FR-4板的最小垫时C / W。

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

-20

-22

-1

-10

100

-100

毫伏/

DSS

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

栅极阈值VoltageTemp.Coefficient

静态漏源导通电阻

-0.4

-0.6

0.11

0.17

0.146

-11

0.13

0.21

0.18

-1

毫伏/

GS （ TH）

DS （ ON）

通态漏电流

正向跨导

= -4.5 V, V

= -5 V

= -5 V，I

= -2.8 A

= -10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

390

170

开关特性

（注2 ）

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= -5 V，I

= -2.8 A,

= -4.5 V

= -10 V，I

= -1 A,

= -4.5 V ，R

根

= 6

0.9

8.5

漏源二极管的特性

连续源二极管电流

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

= -1.3 A

（注2 ）

-1.3

-0.77

-1.2

FDC636P Rev.B的

典型电气特性

漏源导通电阻

-I

，漏源电流（A ）

= -4.5V

DS （ ON）

归一化

-3.5V

-3.0V

- 2.5V

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

= -2.5V

-3.0V

-3.5V

-4.0V

-4.5V

- 2.0V

-5.0V

-V

，漏源电压（V ）

-I

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

1.6

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

0.5

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.4

= - 2.8A

= - 4.5V

= -1.4A

0.4

1.2

0.3

0.2

= 125°C

0.8

0.1

25°C

0.6

-50

-25

100

125

150

-V

，结温（ ° C）

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化

与温度。

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

-I

，反向漏电流（ A）

= -5V

-I

，漏电流（ A）

= -55°C

= 0V

25°C

125°C

0.1

TJ = 125°C

25°C

-55°C

0.01

0.001

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

-V

，门源电压（ V）

-V

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度。

FDC636P Rev.B的

典型电气特性

（续）

-V

，栅源电压（V ）

1000

= -2.8A

电容（pF）

= -5V

-10V

-15V

600

400

200

100

国际空间站

科斯

F = 1 MHz的

= 0 V

0.2

0.5

RSS

，栅极电荷（ NC）

0.1

-V

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

图8.电容特性。

-I

，漏电流（ A）

LIM

S（O

100

10m

功率（W）的

单脉冲

=156°C/W

= 25°C

0.5

0.1

0.05

= -4.5V

单脉冲

= 156 ° C / W

= 25°C

0.2

0.5

0.01

0.1

0.01

0.1

100

300

- V

，漏源电压（V ）

单脉冲时间（秒）

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大功率

耗散。

瞬态热阻

R（T ），规范有效

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P（ PK）

（吨） = R （t）的R *

= 156_C / W

- T

= P * R

(t)

占空比D = T

/ t

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，时间（秒）

100

300

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1b中描述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

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