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FDC6333C
2001年10月
FDC6333C
30V & P沟道PowerTrench
MOSFET的
概述
这些N & P沟道MOSFET采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进
已特别针对减少流程
通态电阻，但保持优异
开关性能。
这些设备被设计成提供
在一个非常小的足迹出色的功耗
对于应用中的更大更昂贵
SO -8和TSSOP -8封装是不切实际的。
特点
Q1
2.5 A ， 30V 。
R
DS （ ON）
= 95毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 150毫欧@ V
GS
= 4.5 V
Q2
-2.0 A， 30V 。
R
DS （ ON）
= 150毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS （ ON）
= 220毫欧@ V
GS
= –4.5 V
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
SuperSOT -6包：占地面积小（小于72 ％小
SO- 8 ） ;低调（ 1mm厚） 。
应用
DC / DC转换器
负荷开关
液晶显示器逆变器
D2
S1
D1
Q2(P)
4
G2
3
2
1
Q1(N)
5
6
SuperSOT
TM
-6
销1
S2
G1
SuperSOT-6
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
Q1
30
±16
（注1A ）
Q2
–30
±25
–2.0
–8
0.96
0.9
0.7
-55到+150
单位
V
V
A
2.5
8
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
W
°C
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
130
60
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.333
设备
FDC6333C
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDC6333C版本C （ W）
FDC6333C
电气特性
符号
参数
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
V
GS
= 0 V,
I
D
= –250
A
I
D
= 250
μA ，参考文献。
至25℃
I
D
= –250
μA ，参考文献。
至25℃
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 16 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= 25 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= –16 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= –25 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= 250
μA ，参考文献。
至25℃
I
D
= –250
μA ，参考文献。
至25℃
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A，T
J
=125°C
V
GS
= -10 V，I
D
= –2.0 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= –1.7 A
V
GS
= 10 V，I
D
= -2.0 A，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
V
DS
= –5 V
V
DS
= 5 V
I
D
= 2.5 A
I
D
= –2.0A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
民
30
–30
典型值
最大单位
V
27
–22
1
–1
100
100
–100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
1
–1
1.8
–1.8
4
–4
73
90
106
95
142
149
3
–3
V
毫伏/°C的
95
150
148
130
220
216
m
Q2
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
Q1
Q2
Q1
Q2
8
–8
7
3
A
S
V
GS
= –10 V, V
DS
= –5 V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
Q1
Q2
Q1
Q2
反向传输电容
Q1
Q2
V
DS
=15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=–15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=–15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=–15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
282
185
49
56
20
26
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
（注2 ）
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
为
Q1:
V
DS
=15 V,
V
GS
= 10 V,
为
Q2:
V
DS
=–15 V,
V
GS
= –10 V,
4.5
I
DS
= 1 A
R
根
= 6
I
DS
= –1 A
R
根
= 6
4.5
6
13
19
11
1.5
2
9
9
12
23
34
20
3
4
6.6
5.7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
为
Q1:
V
DS
=15 V,
V
GS
= 10 V,
为
Q2:
V
DS
=–15 V,
V
GS
= –10 V,
I
DS
= 2.5 A
R
根
= 6
I
DS
= –2.0 A
4.7
4.1
0.9
0.8
0.6
0.4
FDC6333C版本C （ W）
FDC6333C
电气特性
符号
I
S
V
SD
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
Q1
Q2
（注2 ）
（注2 ）
民
典型值
最大单位
0.8
–0.8
A
V
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
Q1
Q2
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.8 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.8 A
0.8
0.8
1.2
–1.2
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a) 130
° C / W
当
安装在0.125
2
中的2盎司垫。
铜。
B） 140 ° / W安装时
2
关于在2盎司垫0.004
铜
三） 180° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDC6333C版本C （ W）
FDC6333C
典型特征： N沟道
10
V
GS
= 10V
6.0V
8
I
D
，漏电流（ A）
4.5V
3.5V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2
V
GS
= 3.0V
1.8
1.6
3.5V
1.4
4.0V
1.2
4.5V
6.0V
10V
1
6
3.0V
4
2
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
0.8
0
2
4
6
I
D
，漏电流（ A）
8
10
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.25
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 2.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 1.25A
0.2
1.4
1.2
0.15
1
T
A
= 125
o
C
0.1
T
A
= 25
o
C
0.05
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
2
4
6
8
10
T
J
，结温（ C）
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
withTemperature 。
10
V
DS
=5V
I
D
，漏电流（ A）
8
T
A
=-55
o
C
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
1
25
o
C
0.1
-55
o
C
0.01
25 C
125
o
C
o
6
4
2
0.001
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
，门源电压（ V）
0.0001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDC6333C版本C （ W）
FDC6333C
典型特征： N沟道
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 2.5A
8
V
DS
= 5V
10V
400
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
电容（pF）
15V
6
300
C
国际空间站
200
4
2
100
C
OSS
C
RSS
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
图8.电容特性。
5
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
R
DS （ ON）
极限
I
D
，漏电流（ A）
10
10s
100s
1ms
10ms
100ms
1s
DC
4
单脉冲
R
θJA
= 180℃ / W的
T
A
= 25°C
3
1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θJA
= 180
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.1
2
0.1
1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
FDC6333C版本C （ W）
FDC6333C
2001年10月
FDC6333C
30V & P沟道PowerTrench
MOSFET的
概述
这些N & P沟道MOSFET采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进
已特别针对减少流程
通态电阻，但保持优异
开关性能。
这些设备被设计成提供
在一个非常小的足迹出色的功耗
对于应用中的更大更昂贵
SO -8和TSSOP -8封装是不切实际的。
特点
Q1
2.5 A ， 30V 。
R
DS （ ON）
= 95毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 150毫欧@ V
GS
= 4.5 V
Q2
-2.0 A， 30V 。
R
DS （ ON）
= 150毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS （ ON）
= 220毫欧@ V
GS
= –4.5 V
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
SuperSOT -6包：占地面积小（小于72 ％小
SO- 8 ） ;低调（ 1mm厚） 。
应用
DC / DC转换器
负荷开关
液晶显示器逆变器
D2
S1
D1
Q2(P)
4
G2
3
2
1
Q1(N)
5
6
SuperSOT
TM
-6
销1
S2
G1
SuperSOT-6
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
Q1
30
±16
（注1A ）
Q2
–30
±25
–2.0
–8
0.96
0.9
0.7
-55到+150
单位
V
V
A
2.5
8
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
W
°C
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
130
60
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.333
设备
FDC6333C
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDC6333C版本C （ W）
FDC6333C
电气特性
符号
参数
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
V
GS
= 0 V,
I
D
= –250
A
I
D
= 250
μA ，参考文献。
至25℃
I
D
= –250
μA ，参考文献。
至25℃
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 16 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= 25 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= –16 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= –25 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= 250
μA ，参考文献。
至25℃
I
D
= –250
μA ，参考文献。
至25℃
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A，T
J
=125°C
V
GS
= -10 V，I
D
= –2.0 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= –1.7 A
V
GS
= 10 V，I
D
= -2.0 A，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
V
DS
= –5 V
V
DS
= 5 V
I
D
= 2.5 A
I
D
= –2.0A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
民
30
–30
典型值
最大单位
V
27
–22
1
–1
100
100
–100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
1
–1
1.8
–1.8
4
–4
73
90
106
95
142
149
3
–3
V
毫伏/°C的
95
150
148
130
220
216
m
Q2
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
Q1
Q2
Q1
Q2
8
–8
7
3
A
S
V
GS
= –10 V, V
DS
= –5 V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
Q1
Q2
Q1
Q2
反向传输电容
Q1
Q2
V
DS
=15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=–15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=–15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=–15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0MHz的
282
185
49
56
20
26
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
（注2 ）
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
为
Q1:
V
DS
=15 V,
V
GS
= 10 V,
为
Q2:
V
DS
=–15 V,
V
GS
= –10 V,
4.5
I
DS
= 1 A
R
根
= 6
I
DS
= –1 A
R
根
= 6
4.5
6
13
19
11
1.5
2
9
9
12
23
34
20
3
4
6.6
5.7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
为
Q1:
V
DS
=15 V,
V
GS
= 10 V,
为
Q2:
V
DS
=–15 V,
V
GS
= –10 V,
I
DS
= 2.5 A
R
根
= 6
I
DS
= –2.0 A
4.7
4.1
0.9
0.8
0.6
0.4
FDC6333C版本C （ W）
FDC6333C
电气特性
符号
I
S
V
SD
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
Q1
Q2
（注2 ）
（注2 ）
民
典型值
最大单位
0.8
–0.8
A
V
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
Q1
Q2
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.8 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.8 A
0.8
0.8
1.2
–1.2
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a) 130
° C / W
当
安装在0.125
2
中的2盎司垫。
铜。
B） 140 ° / W安装时
2
关于在2盎司垫0.004
铜
三） 180° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDC6333C版本C （ W）
FDC6333C
典型特征： N沟道
10
V
GS
= 10V
6.0V
8
I
D
，漏电流（ A）
4.5V
3.5V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2
V
GS
= 3.0V
1.8
1.6
3.5V
1.4
4.0V
1.2
4.5V
6.0V
10V
1
6
3.0V
4
2
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
0.8
0
2
4
6
I
D
，漏电流（ A）
8
10
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.25
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 2.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 1.25A
0.2
1.4
1.2
0.15
1
T
A
= 125
o
C
0.1
T
A
= 25
o
C
0.05
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
2
4
6
8
10
T
J
，结温（ C）
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
withTemperature 。
10
V
DS
=5V
I
D
，漏电流（ A）
8
T
A
=-55
o
C
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
1
25
o
C
0.1
-55
o
C
0.01
25 C
125
o
C
o
6
4
2
0.001
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
，门源电压（ V）
0.0001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDC6333C版本C （ W）
FDC6333C
典型特征： N沟道
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 2.5A
8
V
DS
= 5V
10V
400
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
电容（pF）
15V
6
300
C
国际空间站
200
4
2
100
C
OSS
C
RSS
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
图8.电容特性。
5
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
R
DS （ ON）
极限
I
D
，漏电流（ A）
10
10s
100s
1ms
10ms
100ms
1s
DC
4
单脉冲
R
θJA
= 180℃ / W的
T
A
= 25°C
3
1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θJA
= 180
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.1
2
0.1
1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
FDC6333C版本C （ W）
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