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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第51页 > FDC6301
1997年7月
FDC6301N
双N通道FET数字
概述
这些双N沟道逻辑电平增强型场
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的“专有的,
高密度, DMOS技术。这非常高的密度
过程特别是针对减少通态电阻。
该设备已被设计特别适用于低电压
应用程序作为替换为数字晶体管。由于偏见
电阻器不是必需的,这些N沟道场效应管的可替换
几个数字晶体管,具有多种偏置电阻。
特点
25 V , 0.22连续, 0.5 A峰值。
R
DS ( ON)
= 5
@ V
GS
= 2.7 V
R
DS ( ON)
= 4
@ V
GS
= 4.5 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
操作3V电路。 V
GS ( TH)
< 1.5V 。
门源齐纳的ESD耐用性。
>6KV人体模型。
SOT-23
SuperSOT -6
马克: 0.301
TM
SuperSOT -8
TM
SO-8
SOT-223
SOIC-16
逆变器应用
VCC
4
3
D
OUT
5
6
2
IN
G
S
GND
1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
, V
CC
V
GSS
, V
IN
I
D
, I
OUT
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
参数
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDC6301N
25
8
单位
V
V
A
漏源电压,供电电压
栅源电压,V
IN
漏/输出电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
(注1A )
(注1B )
0.22
0.5
0.9
0.7
-55到150
6.0
W
工作和存储温度范围
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型( 100pF电容/ 1500欧姆)
°C
kV
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
140
60
° C / W
° C / W
FDC6301N Rev.C
1997仙童半导体公司
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ,参考25
o
C
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSS
门 - 体泄漏电流
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
I
D
= 250 μA ,参考25
o
C
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 2.7 V,I
D
= 0.2 A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 0.4 A
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 2.7 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.4 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
0.2
0.25
0.65
-2.1
0.85
3.8
6.3
3.1
1.5
5
9
4
A
S
基本特征
(注2 )
25
25
1
10
100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
毫伏/
o
C
V
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS ( TH)
/
T
J
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
栅极阈值电压Temp.Coefficient
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
9.5
6
1.3
pF
pF
pF
开关特性
(注2 )
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.2 A,
V
GS
= 4.5 V
V
DD
= 6 V,I
D
= 0.5 A,
V
GS
= 4.5 V ,R
= 50
5
4.5
4
3.2
0.49
0.22
0.07
10
10
8
7
0.7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
变频器的电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
I
O(关)
V
我(关闭)
V
我(上)
R
O(上)
输出端对地电阻
零输入电压输出电流
输入电压
V
CC
= 20 V, V
I
= 0 V
V
CC
= 5 V,I
O
= 10 A
V
O
= 0.3 V,I
O
= 0.005 A
V
I
= 2.7 V,I
O
= 0.2 A
1
3.8
5
1
0.5
A
V
V
注意事项:
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计,同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
θ
JA
在静止空气中显示如下的FR- 4单台设备的操作。
a. 140
O
在0.125 C / W
2
2盎司覆铜。
b. 180
O
在0.005 C / W
2
的2盎司覆铜。
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
FDC6301N Rev.C
典型电气特性
0.5
3.5
3.0
2.7
2.5
漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V
1.4
,漏源电流(A )
R
DS (上
)
归一化
0.4
V
GS
= 2.0V
1.2
0.3
2.5
1
2.7
3.0
3.5
4.0
4.5
0.2
2.0
0.8
0.1
I
1.5
0
0
1
V
DS
D
0.6
2
3
4
,漏源电压(V )
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
1.8
15
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= 0.2A
V
GS
= 2.7 V
漏源导通电阻
25°C
12
I
D
= 0.2A
125°C
1.6
R
DS ( ON)
归一化
1.4
9
1.2
6
1
0.8
3
0.6
-50
0
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温( ° C)
125
150
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
,门源电压( V)
网络连接gure 3 。
导通电阻变化
与温度。
图4中。
导通电阻变化与
栅 - 源电压。
0.2
V
DS
= 5.0V
T = -55°C
J
25°C
I
S
,反向漏电流( A)
0.5
V
GS
= 0V
0.2
0.1
125°C
I
D
,漏电流( A)
0.15
TJ = 125°C
25°C
0.1
0.01
-55°C
0.05
0.001
0
0.5
1.5
2
V
GS
,门源电压( V)
1
2.5
0.0001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.2
图5.传输特性。
图6 。
体二极管正向电压
变化与源电流和温度。
FDC6301N Rev.C
典型电气特性(续)
5
30
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= 0.2A
4
V
DS
= 5V
10V
15V
电容(pF)
20
10
国际空间站
OSS
3
5
2
3
2
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
RSS
0.5
1
2
5
10
25
1
1
0.1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
,漏源极电压( V)
DS
Q
g
,栅极电荷( NC)
图7.栅极电荷特性
.
图8.电容特性。
1
0.5
I
D
,漏电流( A)
IT
LIM
N)
O
S(
RD
5
1m
10
s
ms
4
功率(W)的
0.2
0.1
0.05
10
1s
DC
0m
s
3
单脉冲
R
θ
JA
=见注1B
T
A
= 25°C
2
0.02
0.01
0.5
V
GS
= 2.7V
单脉冲
R
θ
JA
=见注1B
T
A
= 25°C
1
V
DS
1
2
5
10
15
25
35
0
0.01
0.1
1
10
100
300
, DRAI N-二源极电压( V)
单脉冲时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
1
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.2
0.1
P( PK)
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
=见注释1B
t
1
t
2
0.02
0.01
0.0001
T
J
- T
A
= P * R JA ( T)
θ
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
300
0.001
图11.瞬态热响应曲线
.
注意:在使用说明中描述的条件1b.Transient热热特性进行
响应将取决于电路板的设计变化。
FDC6301N Rev.C
1997年7月
FDC6301N
双N通道FET数字
概述
这些双N沟道逻辑电平增强型场
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的“专有的,
高密度, DMOS技术。这非常高的密度
过程特别是针对减少通态电阻。
该设备已被设计特别适用于低电压
应用程序作为替换为数字晶体管。由于偏见
电阻器不是必需的,这些N沟道场效应管的可替换
几个数字晶体管,具有多种偏置电阻。
特点
25 V , 0.22连续, 0.5 A峰值。
R
DS ( ON)
= 5
@ V
GS
= 2.7 V
R
DS ( ON)
= 4
@ V
GS
= 4.5 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
操作3V电路。 V
GS ( TH)
< 1.5V 。
门源齐纳的ESD耐用性。
>6KV人体模型。
SOT-23
SuperSOT -6
马克: 0.301
TM
SuperSOT -8
TM
SO-8
SOT-223
SOIC-16
逆变器应用
VCC
4
3
D
OUT
5
6
2
IN
G
S
GND
1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
, V
CC
V
GSS
, V
IN
I
D
, I
OUT
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
参数
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDC6301N
25
8
单位
V
V
A
漏源电压,供电电压
栅源电压,V
IN
漏/输出电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
(注1A )
(注1B )
0.22
0.5
0.9
0.7
-55到150
6.0
W
工作和存储温度范围
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型( 100pF电容/ 1500欧姆)
°C
kV
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
140
60
° C / W
° C / W
FDC6301N Rev.C
1997仙童半导体公司
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ,参考25
o
C
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSS
门 - 体泄漏电流
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
I
D
= 250 μA ,参考25
o
C
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 2.7 V,I
D
= 0.2 A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 0.4 A
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 2.7 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.4 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
0.2
0.25
0.65
-2.1
0.85
3.8
6.3
3.1
1.5
5
9
4
A
S
基本特征
(注2 )
25
25
1
10
100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
毫伏/
o
C
V
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS ( TH)
/
T
J
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
栅极阈值电压Temp.Coefficient
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
9.5
6
1.3
pF
pF
pF
开关特性
(注2 )
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.2 A,
V
GS
= 4.5 V
V
DD
= 6 V,I
D
= 0.5 A,
V
GS
= 4.5 V ,R
= 50
5
4.5
4
3.2
0.49
0.22
0.07
10
10
8
7
0.7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
变频器的电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
I
O(关)
V
我(关闭)
V
我(上)
R
O(上)
输出端对地电阻
零输入电压输出电流
输入电压
V
CC
= 20 V, V
I
= 0 V
V
CC
= 5 V,I
O
= 10 A
V
O
= 0.3 V,I
O
= 0.005 A
V
I
= 2.7 V,I
O
= 0.2 A
1
3.8
5
1
0.5
A
V
V
注意事项:
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计,同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
θ
JA
在静止空气中显示如下的FR- 4单台设备的操作。
a. 140
O
在0.125 C / W
2
2盎司覆铜。
b. 180
O
在0.005 C / W
2
的2盎司覆铜。
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
FDC6301N Rev.C
典型电气特性
0.5
3.5
3.0
2.7
2.5
漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V
1.4
,漏源电流(A )
R
DS (上
)
归一化
0.4
V
GS
= 2.0V
1.2
0.3
2.5
1
2.7
3.0
3.5
4.0
4.5
0.2
2.0
0.8
0.1
I
1.5
0
0
1
V
DS
D
0.6
2
3
4
,漏源电压(V )
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
1.8
15
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= 0.2A
V
GS
= 2.7 V
漏源导通电阻
25°C
12
I
D
= 0.2A
125°C
1.6
R
DS ( ON)
归一化
1.4
9
1.2
6
1
0.8
3
0.6
-50
0
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温( ° C)
125
150
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
,门源电压( V)
网络连接gure 3 。
导通电阻变化
与温度。
图4中。
导通电阻变化与
栅 - 源电压。
0.2
V
DS
= 5.0V
T = -55°C
J
25°C
I
S
,反向漏电流( A)
0.5
V
GS
= 0V
0.2
0.1
125°C
I
D
,漏电流( A)
0.15
TJ = 125°C
25°C
0.1
0.01
-55°C
0.05
0.001
0
0.5
1.5
2
V
GS
,门源电压( V)
1
2.5
0.0001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.2
图5.传输特性。
图6 。
体二极管正向电压
变化与源电流和温度。
FDC6301N Rev.C
典型电气特性(续)
5
30
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= 0.2A
4
V
DS
= 5V
10V
15V
电容(pF)
20
10
国际空间站
OSS
3
5
2
3
2
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
RSS
0.5
1
2
5
10
25
1
1
0.1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
,漏源极电压( V)
DS
Q
g
,栅极电荷( NC)
图7.栅极电荷特性
.
图8.电容特性。
1
0.5
I
D
,漏电流( A)
IT
LIM
N)
O
S(
RD
5
1m
10
s
ms
4
功率(W)的
0.2
0.1
0.05
10
1s
DC
0m
s
3
单脉冲
R
θ
JA
=见注1B
T
A
= 25°C
2
0.02
0.01
0.5
V
GS
= 2.7V
单脉冲
R
θ
JA
=见注1B
T
A
= 25°C
1
V
DS
1
2
5
10
15
25
35
0
0.01
0.1
1
10
100
300
, DRAI N-二源极电压( V)
单脉冲时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
1
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.2
0.1
P( PK)
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
=见注释1B
t
1
t
2
0.02
0.01
0.0001
T
J
- T
A
= P * R JA ( T)
θ
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
300
0.001
图11.瞬态热响应曲线
.
注意:在使用说明中描述的条件1b.Transient热热特性进行
响应将取决于电路板的设计变化。
FDC6301N Rev.C
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