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FDB8870
2008年5月
FDB8870
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 160A ， 3.9mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
tm
特点
r
DS （ ON）
= 3.9mΩ V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
,
,
r
DS （ ON）
= 4.4mΩ V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅极电荷
应用
DC / DC转换
高功率和电流处理能力
D
门
G
来源
漏
（法兰）
TO-263AB
FDB系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（注1 ）
I
D
连续（T
C
=
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注2 ）
功耗
减免上述
25
o
C
工作和存储温度
25
o
C,
V
GS
= 4.5V ）（注1）
V
GS
= 10V ，其中R
θJA
=
43
o
C / W ）
连续（T
AMB
=
25
o
C,
160
150
23
图4
300
160
1.07
-55至175
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
参数
评级
30
±20
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳TO- 263
热阻结到环境TO- 263 （注3 ）
热阻结到环境TO- 263 ，
1in
2
铜层的面积
0.94
62
43
o
o
C / W
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB8870
设备
FDB8870
包
TO-263AB
带尺寸
330mm
胶带宽度
24mm
QUANTITY
800个
2008飞兆半导体公司
FDB8870牧师A3
FDB8870
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150 C
o
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 35A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
1.2
-
-
-
-
2.5
V
0.0032 0.0039
0.0038 0.0044
0.0051 0.0065
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 3.3
-
-
-
-
-
10
98
75
47
-
162
-
-
-
-
183
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V
I
D
= 35A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5200
970
570
2.1
106
56
5.0
15
10
23
-
-
-
-
132
69
6.5
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 35A
I
SD
= 15A
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
37
21
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
封装电流限制为80A 。
2:
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.15mH ，我
AS
= 64A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
脉冲宽度= 100秒。
4
2008飞兆半导体公司
FDB8870牧师A3
FDB8870
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
175
150
I
D
，漏电流（ A）
125
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100
125
(
o
C)
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
功耗乘法器
1.0
电流限制
按封装
0.8
0.6
0.4
0.2
T
C
，外壳温度
图1.归功耗与案例
温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
1000
跨
可能限流
在这个区域
I
DM
峰值电流（ A）
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
V
GS
= 4.5V
I = I
25
175 - T
C
150
100
50
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2008飞兆半导体公司
FDB8870牧师A3
FDB8870
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1000
10s
I
AS
，雪崩电流（ A）
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
10
100
起始物为
J
= 25
o
C
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1ms
10ms
10
起始物为
J
= 150
o
C
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
DC
60
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
图5.正向偏置安全工作区
注意：
参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
160
160
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
120
T
J
= 175
o
C
80
T
J
= 25
o
C
40
T
J
= -55
o
C
0
1.5
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
120
V
GS
= 10V
80
V
GS
= 3V
40
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0.25
0.5
0.75
1.0
0
2.0
2.5
3.0
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
10
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 35A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
图8.饱和特性
1.6
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.4
1.2
6
1.0
4
I
D
= 1A
0.8
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
2
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.6
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
200
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2008飞兆半导体公司
FDB8870牧师A3
FDB8870
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.4
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.2
归一化门
阈值电压
1.2
I
D
= 250A
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
0.9
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
T
J
，结温
T
J
，结温
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
10000
图12.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
V
DD
= 15V
8
C，电容（pF ）
6
C
RSS
=
C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 35A
I
D
= 5A
0
20
40
60
Q
g
，栅极电荷（ NC）
80
100
1000
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
400
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
0
图13.电容VS漏极至源极
电压
图14.门充电波形恒
栅电流
2008飞兆半导体公司
FDB8870牧师A3
FDB8870
2004年9月
FDB8870
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 160A ， 3.9米
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
r
DS （ ON）
= 3.9mΩ ，V
GS
= 10 V，I
D
= 35A
r
DS （ ON）
= 4.4mΩ ，V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅极电荷
应用
DC / DC转换
高功率和电流处理能力
D
门
G
来源
漏
（法兰）
TO-263AB
FDB系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（注1 ）
I
D
连续（T
C
=
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注2 ）
功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
o
参数
评级
30
±20
160
150
43
o
C / W ）
23
图4
300
160
1.07
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
25
o
C，V
连续（T
AMB
=
GS
= 4.5V ）（注
o
C，V
25
GS
= 10 V ，与
1)
R
θ
JA
=
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
热阻结到外壳TO- 263
热阻结到环境TO- 263 （注3 ）
热阻结到环境TO- 263 ，
1in
2
铜层的面积
0.94
62
43
o
C / W
o
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB8870
设备
FDB8870
包
TO-263AB
带尺寸
330mm
胶带宽度
24mm
QUANTITY
800个
2004仙童半导体公司
FDB8870牧师A1
FDB8870
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150 C
o
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 35A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
1.2
-
-
-
-
2.5
V
0.0032 0.0039
0.0038 0.0044
0.0051 0.0065
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 3.3
-
-
-
-
-
10
98
75
47
-
162
-
-
-
-
183
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V
I
D
= 35A
I
g
= 1.0毫安
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5200
970
570
2.1
106
56
5.0
15
10
23
-
-
-
-
132
69
6.5
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
0：N
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 35A
I
SD
= 15A
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
37
21
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
封装电流限制为80A 。
2:
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.15mH ，我
A S
= 64A ，V
D D
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
脉冲宽度= 100秒。
2004仙童半导体公司
FDB8870牧师A1
FDB8870
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
功耗乘法器
175
150
I
D
，漏电流（ A）
125
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100
125
(
o
C)
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
1.0
电流限制
按封装
0.8
0.6
0.4
0.2
T
C
，外壳温度
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θ
JC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
1000
跨
可能限流
在这个区域
I
D M
峰值电流（ A）
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
V
GS
= 4.5V
I = I
25
175 - T
C
150
100
50
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2004仙童半导体公司
FDB8870牧师A1
FDB8870
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1000
10s
I
AS
，雪崩电流（ A）
500
如果R = 0
t
A V
= （L）（我
A S
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
D D
)
若R
≠
0
t
A V
= （ L / R） LN [（我
A S
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
D D
) +1]
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
10
100
起始物为
J
= 25
o
C
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1ms
10ms
10
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
DC
起始物为
J
= 150
o
C
60
1
0.01
0.1
1
10
t
A V
，一次雪崩（毫秒）
100
图5.正向偏置安全工作区
注意：
参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
160
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
I
D
，漏电流（ A）
120
V
GS
= 10V
80
V
GS
= 3V
160
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
120
T
J
= 175 C
80
T
J
= 25
o
C
40
T
J
= -55
o
C
0
1.5
o
40
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
0
2.0
2.5
3.0
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
0
0.25
0.5
0.75
1.0
V
S
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
10
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 35A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
图8.饱和特性
1.6
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.4
1.2
6
1.0
4
I
D
= 1A
0.8
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
2
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2004仙童半导体公司
FDB8870牧师A1
FDB8870
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.4
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
S
, I
D
= 250A
1.2
归一化门
阈值电压
1.2
I
D
= 250A
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
0.9
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
T
J
，结温
T
J
，结温
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
10000
图12.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
V
D D
= 15V
8
C，电容（pF ）
6
C
RSS
=
C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 35A
I
D
= 5A
0
20
40
60
Q
g
，栅极电荷（ NC）
80
100
1000
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
400
0.1
0
1
10
V
S
，漏源极电压（ V）
30
图13.电容VS漏极至源极
电压
图14.门充电波形恒
栅电流
2004仙童半导体公司
FDB8870牧师A1
FDB8870
2004年9月
FDB8870
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 160A ， 3.9米
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
r
DS （ ON）
= 3.9mΩ ，V
GS
= 10 V，I
D
= 35A
r
DS （ ON）
= 4.4mΩ ，V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅极电荷
应用
DC / DC转换
高功率和电流处理能力
D
门
G
来源
漏
（法兰）
TO-263AB
FDB系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（注1 ）
I
D
连续（T
C
=
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注2 ）
功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
o
参数
评级
30
±20
160
150
43
o
C / W ）
23
图4
300
160
1.07
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
25
o
C，V
连续（T
AMB
=
GS
= 4.5V ）（注
o
C，V
25
GS
= 10 V ，与
1)
R
θ
JA
=
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
热阻结到外壳TO- 263
热阻结到环境TO- 263 （注3 ）
热阻结到环境TO- 263 ，
1in
2
铜层的面积
0.94
62
43
o
C / W
o
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB8870
设备
FDB8870
包
TO-263AB
带尺寸
330mm
胶带宽度
24mm
QUANTITY
800个
2004仙童半导体公司
FDB8870牧师A1
FDB8870
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150 C
o
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 35A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
1.2
-
-
-
-
2.5
V
0.0032 0.0039
0.0038 0.0044
0.0051 0.0065
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 3.3
-
-
-
-
-
10
98
75
47
-
162
-
-
-
-
183
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V
I
D
= 35A
I
g
= 1.0毫安
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5200
970
570
2.1
106
56
5.0
15
10
23
-
-
-
-
132
69
6.5
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
0：N
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 35A
I
SD
= 15A
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
37
21
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
封装电流限制为80A 。
2:
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.15mH ，我
A S
= 64A ，V
D D
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
脉冲宽度= 100秒。
2004仙童半导体公司
FDB8870牧师A1
FDB8870
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
功耗乘法器
175
150
I
D
，漏电流（ A）
125
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100
125
(
o
C)
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
1.0
电流限制
按封装
0.8
0.6
0.4
0.2
T
C
，外壳温度
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θ
JC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
1000
跨
可能限流
在这个区域
I
D M
峰值电流（ A）
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
V
GS
= 4.5V
I = I
25
175 - T
C
150
100
50
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2004仙童半导体公司
FDB8870牧师A1
FDB8870
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1000
10s
I
AS
，雪崩电流（ A）
500
如果R = 0
t
A V
= （L）（我
A S
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
D D
)
若R
≠
0
t
A V
= （ L / R） LN [（我
A S
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
D D
) +1]
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
10
100
起始物为
J
= 25
o
C
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1ms
10ms
10
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
DC
起始物为
J
= 150
o
C
60
1
0.01
0.1
1
10
t
A V
，一次雪崩（毫秒）
100
图5.正向偏置安全工作区
注意：
参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
160
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
I
D
，漏电流（ A）
120
V
GS
= 10V
80
V
GS
= 3V
160
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
120
T
J
= 175 C
80
T
J
= 25
o
C
40
T
J
= -55
o
C
0
1.5
o
40
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
0
2.0
2.5
3.0
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
0
0.25
0.5
0.75
1.0
V
S
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
10
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 35A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
图8.饱和特性
1.6
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.4
1.2
6
1.0
4
I
D
= 1A
0.8
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
2
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
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FDB8870
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.4
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
S
, I
D
= 250A
1.2
归一化门
阈值电压
1.2
I
D
= 250A
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
0.9
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
T
J
，结温
T
J
，结温
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
10000
图12.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
V
D D
= 15V
8
C，电容（pF ）
6
C
RSS
=
C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 35A
I
D
= 5A
0
20
40
60
Q
g
，栅极电荷（ NC）
80
100
1000
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
400
0.1
0
1
10
V
S
，漏源极电压（ V）
30
图13.电容VS漏极至源极
电压
图14.门充电波形恒
栅电流
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FX5545G0064V0T2
FIN1027MX
FWIXELAD0QE000
FX5545G0083V0T2E2
FSDL0365RNB
FQPF9N30
FP7271-12
FYS-23011HX-2
FH26W-71S-0.3SHW
FZT660
F06C60
FJN4314R
FS6X1220R_05
FQD18N20V2TM
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