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FDB8442的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2006年11月

FDB8442

N沟道的PowerTrench

MOSFET

40V ， 80A ， 2.9mΩ

特点

典型

DS （ ON）

= 2.1mΩ在V

= 10V ，我

= 80A

典型Q

g(10)

= 181nC在V

= 10V

低米勒电荷

低Q

体二极管

UIS能力（单脉冲，重复脉冲）

符合AEC Q101

符合RoHS

稀土

应用

汽车引擎控制

动力管理

电磁阀和电机驱动器

电子转向系统

集成起动机/发电机

分布式电源架构和VRM的

主开关的12V系统

2006仙童半导体公司

FDB8442启示录

TIO

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FDB8442的N-沟道PowerTrench

MOSFET

MOSFET的最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流连续（T

<158

漏电流连续（T

AMB

脉冲

单脉冲雪崩能量

功耗

减免上述25

参数

评级

±20

C / W ）

（注1 ）

参见图4

720

254

1.7

-55到+175

单位

= 10V)

= 10V ，其中R

θJA

, T

英镑

工作和存储温度

热特性

θJC

θJA

热阻结到外壳

热阻结到环境TO- 263 ，林

铜层的面积

0.59

C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDB8442

设备

FDB8442

包

TO-263AB

带尺寸

330mm

胶带宽度

24mm

QUANTITY

800个

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

VDSS

DSS

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

= 250μA ，V

= 0V

= 32V

= 0V

±20V

= 150°C

250

±100

基本特征

GS （ TH）

DS （ ON）

门源阈值电压

漏极至源极导通电阻

= V

, I

= 250A

= 80A ，V

= 10V

= 80A ，V

= 10V,

= 175°C

2.9

2.1

3.6

2.9

5.0

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

gs2

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷，在10V

阈值的栅极电荷

门源栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏“米勒”充电

= 25V, V

= 0V,

F = 1MHz的

= 0.5V ， F = 1MHz的

= 0至10V

= 0 2V

= 20V

= 80A

= 1毫安

12200

1040

640

1.0

181

235

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FDB8442的N-沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

（上）

D（上）

D（关闭）

关闭

开启时间

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

打开-O FF时间

= 20V ，我

= 80A

= 10V ，R

= 2

19.5

19.3

17.2

118

漏源二极管的特性

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

= 80A

= 40A

= 75A ，的di / dt = 100A / μs的

0.9

0.8

1.25

1.0

注意事项：

起始物为

= 25

C，L = 0.35mH ，我

= 64A

脉冲宽度= 100秒。

该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。为

的要求的副本，请参阅AEC Q101在： http://www.aecouncil.com/

所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试

认证。

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MOSFET

典型特征

功耗MULIPLIER

1.2

，漏电流（ A）

300

250

200

150

100

电流限制

按封装

= 10V

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

100

125

150

，外壳温度

(

)

175

100

125

150

175

，外壳温度

(

)

图1.归功耗与案例

温度

归热

阻抗Z

占空比 - 降序排列

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

0.1

注意事项：

DUTY因子：D = T

PEAK牛逼

= P

X Z

θJC

个R

θJC

+ T

0.01

单脉冲

1E-3

-5

-4

图3.归一化最大瞬态热阻抗

10000

= 10V

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

-3

-2

-1

跨

可能限流

在这个区域

= 25

对于温度

上述25

C减免PEAK

当前，如下所示：

峰值电流（ A）

1000

I = I

175 - T

150

100

单脉冲

-5

-4

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

-3

-2

-1

图4.峰值电流容量

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MOSFET

典型特征

4000

500

10us

100us

1000

，漏电流（ A）

，雪崩电流（ A）

100

如果R = 0

= （L）（我

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

)

若R

≠

= （ L / R） LN [（我

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

) +1]

100

起始物为

= 25 C

有限

按封装

起始物为

= 150 C

1ms

操作在此

区域可以

限制根据RDS （ ON）

单脉冲

TJ =最大额定

= 25

10ms

0.1

，漏源极电压（ V）

100

0.01

0.1

100

，一次雪崩（毫秒）

1000

5000

注意：

参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515

图5.正向偏置安全工作区

图6.松开电感式开关

能力

160

= 10V

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

160

，漏电流（ A）

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

= 5V

，漏电流（ A）

120

= 5V

= 4.5V

= 175

= 25

= -55

= 4V

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

，门源电压（ V）

5.0

，漏源极电压（ V）

图7.传热特性

图8.饱和特性

DS （ ON）

，漏极到源极

导通电阻

(

)

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

归

漏极至源极导通电阻

= 25

= 175

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-80

= 80A

= 10V

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

，门源电压

(

)

-40

120

160

，结温

(

)

200

图9.漏极至源极导通电阻

变异VS门源电压

图10.归一漏极至源极ON

电阻与结温

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