【FDB8441的N-沟道PowerTrenchMOSFET2006年8月FDB8441N沟道的Pow】,IC型号FDB8441,FDB8441 PDF资料,FDB8441经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDB8441的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2006年8月

FDB8441

N沟道的PowerTrench

MOSFET

40V ， 80A ， 2.5mΩ

特点

典型

DS （ ON）

= 1.9mΩ在V

GS

= 10V ，我

D

= 80A

典型Q

g(10)

= 215nC在V

GS

= 10V

低米勒电荷

低Q

rr

体二极管

UIS能力（单脉冲，重复脉冲）

符合AEC Q101

符合RoHS

免费

I

应用

汽车引擎控制

动力管理

电磁阀和电机驱动器

电子转向系统

集成起动机/发电机

分布式电源架构和VRM的

主开关的12V系统

2006仙童半导体公司

FDB8441 Rev.A的

LE

AD

M

E

N

TA

TIO

L

E

N

MP

1

www.fairchildsemi.com

FDB8441的N-沟道PowerTrench

MOSFET

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流连续（T

C

＆ LT ;

连续（T

AMB

=

脉冲

单脉冲雪崩能量

功耗

减免上述25

o

C

参数

评级

40

±20

80

28

参见图4

（注1 ）

947

300

2

-55至175

单位

V

A

mJ

W

W/

o

C

o

C

160

o

C,

25

o

C,

V

GS

= 10V)

V

GS

= 10V,

有R

θJA

=

43

o

C / W ）

工作和存储温度

热特性

R

θJC

R

θJA

R

θJA

热阻结到外壳

热阻结到环境

热阻结到环境， 1英寸

2

铜层的面积

（注2 ）

0.5

62

43

o

C / W

o

C / W

o

包装标志和订购信息

器件标识

FDB8441

设备

FDB8441

包

TO-263AB

带尺寸

330mm

胶带宽度

24mm

QUANTITY

800个

电气特性

T

J

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

B

VDSS

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

V

DS

= 32V

V

GS

= 0V

V

GS

= ±20V

T

J

= 150°C

40

-

1

250

±100

V

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

门源阈值电压

漏极至源极导通电阻

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

I

D

= 80A ，V

GS

= 10V

I

D

= 80A ，V

GS

= 10V,

T

J

= 175°C

2

-

2.8

1.9

3.3

4

2.5

4.3

m

V

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gs2

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷，在10V

阈值的栅极电荷

门源栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏“米勒”充电

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

V

GS

= 0.5V ， F = 1MHz的

V

GS

= 0至10V

V

GS

= 0 2V

V

DD

= 20V

I

D

= 35A

I

g

= 1毫安

-

15000

1250

685

1.1

215

29

60

32

49

-

280

38

-

pF

nC

FDB8441 Rev.A的

2

www.fairchildsemi.com

FDB8441的N-沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

t

（上）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

开启时间

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

打开-O FF时间

V

DD

= 20V ，我

D

= 35A

V

GS

= 10V ，R

GS

= 1.5

-

23

24

75

17.9

-

77

-

147

ns

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

rr

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SD

= 35A

I

SD

= 15A

I

F

= 35A ，的di / dt = 100A / μs的

I

F

= 35A ，的di / dt = 100A / μs的

-

0.8

52

76

1.25

1.0

68

99

V

ns

nC

注意事项：

1:

起始物为

J

= 25

o

C，L = 0.46mH ，我

AS

= 64A.

2:

脉冲宽度= 100秒。

该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。为

的要求的副本，请参阅AEC Q101在： http://www.aecouncil.com/

所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试

认证。

FDB8441 Rev.A的

3

www.fairchildsemi.com

FDB8441的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

1.2

功耗MULIPLIER

I

D

，漏电流（ A）

300

250

200

150

100

50

0

25

电流限制

按封装

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

V

GS

= 10V

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度

(

o

C

)

175

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

(

o

C

)

图1.归功耗与案例

温度

2

1

归热

阻抗Z

θ

JC

占空比 - 降序排列

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

0.1

P

DM

t

1

0.01

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJC

个R

θJC

+ T

C

单脉冲

1E-3

-5

10

-4

10

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

-3

-2

-1

10

0

10

1

图3.归一化最大瞬态热阻抗

10000

V

GS

= 10V

跨

可能限流

在这个区域

T

C

= 25

o

C

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

I = I

25

175 - T

C

150

I

DM

,

峰值电流（ A）

1000

100

单脉冲

10

-5

10

-4

10

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

-3

-2

-1

10

0

10

1

图4.峰值电流容量

FDB8441 Rev.A的

4

www.fairchildsemi.com

FDB8441的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

4000

500

10us

1000

I

D

，漏电流（ A）

100

100us

I

AS

，雪崩电流（ A）

100

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

起始物为

J

= 25 C

o

10

有限

按封装

10

起始物为

J

= 150 C

o

1

1ms

操作在此单脉冲

T

J

=最大额定

区域可以

LIMITED BY的RDS

（上）

T = 25

o

C

10ms

DC

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

100

1

0.01

0.1

1

10

100

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

1000

5000

注意：

参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515

图5.正向偏置安全工作区

图6.松开电感式开关

能力

160

I

D

，漏电流（ A）

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 10V

V

GS

= 5V

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

120

I

D

，漏电流（ A）

V

DD

= 5V

120

V

GS

= 4.5V

80

T

J

= 175

o

C

T

J

= 25 C

o

80

V

GS

= 4V

40

T

J

= -55

o

C

40

V

GS

= 3.5V

0

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

0

1

2

3

4

V

GS

，门源电压（ V）

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.传热特性

图8.饱和特性

r

DS （ ON）

，漏极到源极

导通电阻

(

m

)

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

归

漏极至源极导通电阻

50

40

30

20

10

0

T

J

= 25

o

C

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-80

I

D

= 80A

V

GS

= 10V

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

T

J

= 175

o

C

3

4

5

6

7

8

9

V

GS

，门源电压

(

V

)

10

-40

0

40

80

120

160

o

T

J

，结温

(

C

)

200

图9.漏极至源极导通电阻

变异VS门源电压

图10.归一漏极至源极ON

电阻与结温

FDB8441 Rev.A的

5

www.fairchildsemi.com