FDP6670AS/FDB6670AS
2005年1月
FDP6670AS/FDB6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该MOSFET的设计来取代单个MOSFET
在同步DC和并联肖特基二极管： DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低
和低栅极电荷。
该FDP6670AS
R
DS （ ON）
包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。的性能
该FDP6670AS / FDB6670AS如在低压侧开关
同步整流器是从区分
该FDP6670A / FDB6670A并联的性能
与肖特基二极管。
特点
31 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 8.5毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 10.5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷（ 28nC典型值）
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
和快速开关
高功率和电流处理能力
D
D
G
G
D
TO-220
S
FDP系列
G
S
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
62
（注1 ）
单位
V
V
A
W
W / ℃，
°C
°C
150
62.5
0.5
-55到+150
275
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.1
62.5
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB6670AS
FDB6670AS
FDP6670AS
FDP6670AS
设备
FDB6670AS
FDB6670AS_NL
（注3）
FDP6670AS
FDP6670AS_NL
（注4 ）
带尺寸
13’’
13’’
管
管
胶带宽度
24mm
24mm
不适用
不适用
QUANTITY
800个
800个
45
45
FDP6670AS / FDB6670AS版本A （ X）
2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDP6670AS/FDB6670AS
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1毫安
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
I
D
= 26毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
30
500
±100
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 1毫安
1
I
D
= 26毫安，引用至25℃
V
GS
= 10 V，I
D
= 31 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 26.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 31 A，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
V
DS
= 10 V
I
D
= 31 A
60
1.7
–3.4
6.8
8.4
9
84
3
V
毫伏/°C的
8.5
10.5
12.5
m
I
D（上）
g
FS
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
1570
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
440
160
1.9
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
9
V
DS
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
12
27
19
16
V
DS
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
16
25
13
28
V
DS
= 15 V,
I
D
= 31 A,
15
5
5
18
22
43
34
29
29
40
23
39
21
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
总栅极电荷， VGS = 10V
门源充电， VGS = 5V
栅极 - 漏极电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管特性
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
2.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
3.
FDB6670AS_NL是无铅产品。该FDB6670AS_NL标志将出现在卷标上。
4.
FDP6670AS_NL是无铅产品。该FDP6670AS_NL标志将出现在卷标上。
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 7 A
I
F
= 3.5 A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
（注1 ）
（注1 ）
0.5
0.6
20
14
0.7
0.9
V
nS
nC
（注2 ）
FDP6670AS / FDB6670AS版本A （ X）
FDP6670AS/FDB6670AS
典型特征
150
V
GS
= 10V
6.0V
5.0V
4.0V
1.8
4.5V
V
GS
= 3.5V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.6
I
D
，漏电流（ A）
120
90
3.5V
1.4
4.0V
4.5V
5.0V
60
1.2
6.0V
10V
30
3.0V
1
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
4
0.8
0
30
60
90
I
D
，漏电流（ A）
120
150
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.022
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 31A
V
GS
= 10V
1.4
I
D
= 15.5A
0.017
1.2
T
A
= 125
o
C
0.012
1
0.007
0.8
T
A
= 25 C
o
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（
o
C)
125
150
0.002
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
80
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
60
10
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
V
GS
= 0V
1
T
A
= 125 C
25
o
C
-55
o
C
o
40
T
A
= 125 C
20
-55
o
C
25
o
C
0
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4
o
0.1
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
0.6
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDP6670AS / FDB6670AS版本A （ X）
FDP6670AS/FDB6670AS
典型特征
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 31A
2400
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
电容（pF）
V
DS
= 10V
20V
1800
C
国际空间站
1200
8
6
15V
4
C
OSS
600
2
C
RSS
0
0
6
12
18
Q
g
，栅极电荷（ NC）
24
30
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
1000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
1000
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
极限
1s
10s
100
100s
10ms
100m
800
单脉冲
R
θ
JC
= 2.1 ° C / W
T
A
= 25°C
600
10
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θ
JC
= 2.1 C / W
T
A
= 25 C
o
400
200
1
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.1
1
10
t
1
，时间（秒）
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJC
R
θJC
= 2.1 ° C / W
P（ PK
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- 锝= P * R
θJC
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDP6670AS / FDB6670AS版本A （ X）
FDP6670AS/FDB6670AS
典型特征
（续）
SyncFET肖特基体二极管
特征
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入了一个肖特基二极管
同的PowerTrench MOSFET并联。该二极管
表现出相似的特性的离散外部
肖特基二极管与MOSFET并联。图12
FDP6670AS.
肖特基势垒二极管的表现显著泄漏
在高温和高的反向电压。这将
增加了设备的功率。
0.1
I
DSS
，反向漏电流（ A）
0.01
T
A
= 125
o
C
电流： 0.8A / DIV
0.001
T
A
= 100
o
C
0.0001
T
A
= 25
o
C
0.00001
0
10
20
V
DS
，反向电压（V）的
30
时间： 12.5ns / DIV
图14. SyncFET二极管的反向漏
相对于漏极 - 源极电压和
温度。
图12. FDP6670AS SyncFET体
二极管的反向恢复特性。
为了便于比较，图13显示了相反的
的体二极管的恢复特性
无SyncFET生产规模相当于MOSFET
(FDP6670A).
电流： 0.8A / DIV
时间： 12.5ns / DIV
图13.非SyncFET （ FDP6670A ）体
二极管的反向恢复特性。
FDP6670AS / FDB6670AS版本A （ X）
FDP6670AS/FDB6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
五月
2008
FDP6670AS/FDB6670AS
30V N沟道的PowerTrench SyncFET
概述
该MOSFET的设计来取代单个MOSFET
在同步DC和并联肖特基二极管： DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低
R
DS （ ON）
和低栅极电荷。
该FDP6670AS
包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。的性能
该FDP6670AS / FDB6670AS如在低压侧开关
同步整流器是从区分
该FDP6670A / FDB6670A并联的性能
与肖特基二极管。
tm
特点
31 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 8.5毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 10.5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷（ 28nC典型值）
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
和快速开关
高功率和电流处理能力
D
D
G
G
D
TO-220
S
FDP系列
G
S
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
62
（注1 ）
单位
V
V
A
W
W / ℃，
°C
°C
150
62.5
0.5
-55到+150
275
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.1
62.5
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB6670AS
FDP6670AS
设备
FDB6670AS
FDP6670AS
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
24mm
不适用
QUANTITY
800个
45
2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDP6670AS / FDB6670AS修订版A2 （ X）
FDP6670AS/FDB6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1毫安
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
I
D
=
10mA,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 1毫安
1
1.7
–4
6.8
8.4
9
60
84
1570
440
160
1.9
9
V
DS
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
12
27
19
16
V
DS
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
16
25
13
28
V
DS
= 15 V,
I
D
= 31 A,
15
5
5
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 7 A
I
F
= 3.5 A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
（注1 ）
（注1 ）
（注2 ）
27
500
±100
3
毫伏/°C的
A
nA
V
毫伏/°C的
8.5
10.5
12.5
m
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
I
D
=
10mA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 31 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 26.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 31 A，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
V
DS
= 10 V
I
D
= 31 A
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
gd
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
A
S
pF
pF
pF
18
22
43
34
29
29
40
23
39
21
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
0.7
0.9
V
nS
nC
动态特性
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷， VGS = 10V
门源充电， VGS = 5V
栅极 - 漏极电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
漏源二极管特性
0.5
0.6
20
14
1.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
2.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDP6670AS / FDB6670AS修订版A2 （ X）
FDP6670AS/FDB6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
150
V
GS
= 10V
6.0V
5.0V
4.0V
4.5V
1.8
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 3.5V
I
D
，漏电流（ A）
120
1.6
90
3.5V
1.4
4.0V
4.5V
60
5.0V
1.2
6.0V
10V
30
3.0V
1
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
4
0.8
0
30
60
90
I
D
，漏电流（ A）
120
150
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.022
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.4
I
D
= 31A
V
GS
= 10V
I
D
= 15.5A
0.017
1.2
0.012
T
A
= 125
o
C
1
0.8
0.007
T
A
= 25 C
o
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（
o
C)
125
150
0.002
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
80
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
60
10
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
V
GS
= 0V
1
T
A
= 125 C
0.1
25
o
C
-55
o
C
o
40
T
A
= 125 C
20
25
o
C
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4
-55
o
C
o
0
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
0.6
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDP6670AS / FDB6670AS修订版A2 （ X）
FDP6670AS/FDB6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 31A
2400
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
电容（pF）
V
DS
= 10V
1800
C
国际空间站
1200
8
20V
15V
6
4
2
600
C
RSS
C
OSS
0
0
6
12
18
Q
g
，栅极电荷（ NC）
24
30
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
1000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
1000
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
100
R
DS （ ON）
极限
1s
10s
100s
10ms
100m
800
单脉冲
R
θ
JC
= 2.1 ° C / W
T
A
= 25°C
600
10
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θ
JC
= 2.1 C / W
T
A
= 25 C
o
DC
400
200
1
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.1
1
10
t
1
，时间（秒）
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJC
R
θJC
= 2.1 ° C / W
P（ PK
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- 锝= P * R
θJC
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDP6670AS / FDB6670AS修订版A2 （ X）
FDP6670AS/FDB6670AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
（续）
SyncFET肖特基体二极管
特征
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入了一个肖特基二极管
同的PowerTrench MOSFET并联。该二极管
表现出相似的特性的离散外部
肖特基二极管与MOSFET并联。图12
FDP6670AS.
肖特基势垒二极管的表现显著泄漏
在高温和高的反向电压。这将
增加了设备的功率。
0.1
I
DSS
，反向漏电流（ A）
0.01
T
A
= 125
o
C
电流： 0.8A / DIV
0.001
T
A
= 100
o
C
0.0001
T
A
= 25
o
C
0.00001
0
10
20
V
DS
，反向电压（V）的
30
时间： 12.5ns / DIV
图14. SyncFET二极管的反向漏
相对于漏极 - 源极电压和
温度。
图12. FDP6670AS SyncFET体
二极管的反向恢复特性。
为了便于比较，图13显示了相反的
的体二极管的恢复特性
无SyncFET生产规模相当于MOSFET
(FDP6670A).
电流： 0.8A / DIV
时间： 12.5ns / DIV
图13.非SyncFET （ FDP6670A ）体
二极管的反向恢复特性。
FDP6670AS / FDB6670AS修订版A2 （ X）
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