FDP6670AL/FDB6670AL
2003年5月
FDP6670AL/FDB6670AL
N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET一直
专门设计用于改善的总效率
利用DC / DC转换同步或
传统开关PWM控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的
比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷
R
DS （ ON）
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶
（即使是在非常高的频率） ，并且DC / DC电力
电源设计具有更高的整体效率。
它已被优化的低门电荷，低R
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
80 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 6.5毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 8.5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
在指定临界直流电气参数
高温
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
175°C最高结温额定值
D
D
G
G
D
S
TO-220
FDP系列
G
S
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±
20
（注1 ）
（注1 ）
单位
V
V
A
W
W / ℃，
°C
80
240
68
0.45
-65到+175
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.2
62.5
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB6670AL
FDP6670AL
设备
FDB6670AL
FDP6670AL
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
24mm
不适用
QUANTITY
800个
45
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDP6670AL / FDB6670AL版本D（ W）
FDP6670AL/FDB6670AL
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
单脉冲漏源
雪崩能量
最大漏源雪崩
当前
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
DD
= 15 V,
I
D
= 80 A
最小值典型值
最大
114
80
单位
mJ
A
漏源雪崩额定值
（注1 ）
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±
20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
30
24
1
±
100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源导通
阻力
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 40 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 37 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10V,
I
D
= 40 A
1
1.9
–5
5.2
6.5
7.2
3
V
毫伏/°C的
6.5
8.5
9.7
m
A
I
D（上）
g
FS
80
115
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
2440
580
250
pF
pF
pF
V
GS
= 15 mV时，
F = 1.0 MHz的
1.4
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
13
13
42
15
23
23
68
27
33
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 40 A,
24
7
9
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
= 40 A
（注1 ）
80
0.9
34
24
1.3
A
V
nS
nC
I
F
= 40 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
FDP6670AL / FDB6670AL版本D（ W）
FDP6670AL/FDB6670AL
典型特征
100
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
75
3.5V
4.0V
1.8
V
GS
= 3.5V
1.6
4.5V
1.4
4.0V
1.2
4.5V
5.0V
6.0V
1
10V
50
25
3.0V
0
0
0.5
1
1.5
2
0.8
0
20
40
60
I
D
，漏电流（ A）
80
100
V
DS
，漏源电压（V ）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.021
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 80A
V
GS
=10V
I
D
= 40A
0.017
1.4
1.2
0.013
T
A
= 125
o
C
0.009
T
A
= 25
o
C
0.005
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
T
J
，结温（ C）
图3.导通电阻变化与
温度。
100
V
DS
= 10V
I
S
，反向漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
80
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
1000
V
GS
= 0V
100
T
A
= 125
o
C
25
o
C
1
-55
o
C
0.1
10
60
40
T
A
= 125
o
C
25 C
o
20
-55
o
C
0
2
2.5
3
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDP6670AL / FDB6670AL版本D（ W）
FDP6670AL/FDB6670AL
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 80A
8
电容（pF）
V
DS
= 10V
6
15V
20V
4
4000
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
3000
C
国际空间站
2000
C
OSS
1000
2
C
RSS
0
0
10
20
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
40
50
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
1000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
图8.电容特性。
5000
单脉冲
R
θJC
= 2.2 ° C / W
T
A
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
10s
4000
100
R
DS （ ON）
极限
100s
1mS
10mS
100mS
DC
3000
2000
10
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θJA
= 2.2
o
C / W
T
A
= 25
o
C
1000
1
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 2.2 C / W
P（ PK
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
，时间（秒）
0.01
0.1
1
图11.瞬态热响应曲线。
FDP6670AL / FDB6670AL版本D（ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
I3版本
FDP6670AL/FDB6670AL
2003年5月
FDP6670AL/FDB6670AL
N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET一直
专门设计用于改善的总效率
利用DC / DC转换同步或
传统开关PWM控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的
比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷
R
DS （ ON）
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶
（即使是在非常高的频率） ，并且DC / DC电力
电源设计具有更高的整体效率。
它已被优化的低门电荷，低R
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
80 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 6.5毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 8.5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
在指定临界直流电气参数
高温
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
175°C最高结温额定值
D
D
G
G
D
S
TO-220
FDP系列
G
S
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±
20
（注1 ）
（注1 ）
单位
V
V
A
W
W / ℃，
°C
80
240
68
0.45
-65到+175
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.2
62.5
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB6670AL
FDP6670AL
设备
FDB6670AL
FDP6670AL
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
24mm
不适用
QUANTITY
800个
45
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDP6670AL / FDB6670AL版本D（ W）
FDP6670AL/FDB6670AL
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
单脉冲漏源
雪崩能量
最大漏源雪崩
当前
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
DD
= 15 V,
I
D
= 80 A
最小值典型值
最大
114
80
单位
mJ
A
漏源雪崩额定值
（注1 ）
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±
20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
30
24
1
±
100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源导通
阻力
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 40 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 37 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10V,
I
D
= 40 A
1
1.9
–5
5.2
6.5
7.2
3
V
毫伏/°C的
6.5
8.5
9.7
m
A
I
D（上）
g
FS
80
115
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
2440
580
250
pF
pF
pF
V
GS
= 15 mV时，
F = 1.0 MHz的
1.4
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
13
13
42
15
23
23
68
27
33
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 40 A,
24
7
9
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
= 40 A
（注1 ）
80
0.9
34
24
1.3
A
V
nS
nC
I
F
= 40 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
FDP6670AL / FDB6670AL版本D（ W）
FDP6670AL/FDB6670AL
典型特征
100
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
75
3.5V
4.0V
1.8
V
GS
= 3.5V
1.6
4.5V
1.4
4.0V
1.2
4.5V
5.0V
6.0V
1
10V
50
25
3.0V
0
0
0.5
1
1.5
2
0.8
0
20
40
60
I
D
，漏电流（ A）
80
100
V
DS
，漏源电压（V ）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.021
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 80A
V
GS
=10V
I
D
= 40A
0.017
1.4
1.2
0.013
T
A
= 125
o
C
0.009
T
A
= 25
o
C
0.005
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
T
J
，结温（ C）
图3.导通电阻变化与
温度。
100
V
DS
= 10V
I
S
，反向漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
80
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
1000
V
GS
= 0V
100
T
A
= 125
o
C
25
o
C
1
-55
o
C
0.1
10
60
40
T
A
= 125
o
C
25 C
o
20
-55
o
C
0
2
2.5
3
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDP6670AL / FDB6670AL版本D（ W）
FDP6670AL/FDB6670AL
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 80A
8
电容（pF）
V
DS
= 10V
6
15V
20V
4
4000
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
3000
C
国际空间站
2000
C
OSS
1000
2
C
RSS
0
0
10
20
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
40
50
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
1000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
图8.电容特性。
5000
单脉冲
R
θJC
= 2.2 ° C / W
T
A
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
10s
4000
100
R
DS （ ON）
极限
100s
1mS
10mS
100mS
DC
3000
2000
10
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θJA
= 2.2
o
C / W
T
A
= 25
o
C
1000
1
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 2.2 C / W
P（ PK
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
，时间（秒）
0.01
0.1
1
图11.瞬态热响应曲线。
FDP6670AL / FDB6670AL版本D（ W）
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ActiveArray
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快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
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可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
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有效性。
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