FDP6030BL/FDB6030BL
2000年7月
FDP6030BL/FDB6030BL
N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的栅极
收费比其他的MOSFET具有可比性
DS （ ON）
导致的DC / DC电源设计规格
具有较高的整体效率。
特点
40 A， 30 V
DS （ ON）
= 0.018
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.024
@ V
GS
= 4.5 V.
??在高温指定临界直流电气参数
温度。
??坚固的内部源极 - 漏极二极管可以消除
无需外部稳压二极管瞬态抑制器。
高性能沟道技术
非常低R
DS （ ON）
.
?? 175°C最高结温额定值。
D
D
G
G
D
S
TO-220
FDP系列
G
S
T
C
= 25 ° C除非另有说明
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
R
θ
JC
R
θ
JA
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流
参数
FDP6030BL
FDB6030BL
30
±
20
单位
V
V
A
W
W/
°
C
°
C
°
C / W
°
C / W
- 连续
- 脉冲
（注1 ）
40
120
60
0.36
-65到+175
总功率耗散@ T
C
= 25
°
C
减免上述25
°
C
工作和存储结温范围
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.5
62.5
包装标志和订购信息
器件标识
FDB6030BL
FDP6030BL
设备
FDB6030BL
FDP6030BL
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
24mm
不适用
QUANTITY
800
45
200
仙童半导体国际
FDP6030BL / FDB6030BL Rev.C
FDP6030BL/FDB6030BL
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
（注1 ）
民
典型值
最大
150
40
单位
mJ
A
漏源雪崩额定值
单脉冲漏源
V
DD
= 15 V，I
D
= 40 A
雪崩能量
最大漏源电流Avalnche
漏源击穿电压V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
击穿电压温度我
D
= 250
A，参考25
°
C
系数
零栅压漏电流V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
门体漏电流，
前锋
门体漏电流，
反向
（注1 ）
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
30
23
1
100
-100
V
毫伏/
°
C
A
nA
nA
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A，参考25
°
C
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A,
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 17 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 20 A
1
1.6
-4.5
0.015
0.021
0.019
3
V
毫伏/
°
C
0.018
0.030
0.024
I
D（上）
g
FS
40
30
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注1 ）
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
1160
250
100
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
9
11
23
8
17
20
37
16
17
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
I
D
= 20 A，V
GS
= 5 V
12
3.2
3.7
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 20 A
（注1 ）
（注1 ）
40
0.95
1.2
A
V
注意：
1.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
FDP6030BL / FDB6030BL Rev.C
FDP6030BL/FDB6030BL
典型特征
80
I
D
，漏源电流（A ）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
3.5V
2 .6
R
DS （ ON）
， N 2 O R M一LIZ ED
，D R A IN -SO ú ê RC 0：N -R é SISTA 权证
2 .4
2 .2
2
1 .8
1 .6
1 .4
1 .2
1
0 .8
0
10
20
30
40
50
3 .5 V
4 .0 V
4 .5 V
5 .0 V
7 .0 V
10V
V
GS
= 3 .0 V
V
GS
= 10V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.0V
V
DS
，漏源电压（V ）
I
D
， ，D R AIN ú R R EN T（A ）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压。
0.06
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1 .8
R
DS （ ON）
， N 2 O R M一丽泽
RA IN -S ü RC ê 0：N -R ES ISTA 权证
1 .6
1 .4
1 .2
1
0 .8
0 .6
-5 0
-2 5
0
25
50
75
1 00
o
I
D
= 2 0A
V
GS
= 1 0V
I
D
= 10 A
0.05
0.04
0.03
T
A
= 125 C
0.02
0.01
0
T
A
= 25 C
o
o
1 25
1 50
2
4
6
8
10
T
J
君 TIO N TE M·P ER一个TU RE （C ）
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
与温度。
50
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
40
25 C
125 C
30
o
o
图4.导通电阻变化
同门 - 源电压。
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125 C
1
25 C
0.1
0.01
0.001
0.0001
-55 C
o
o
o
T
A
= -55 C
o
20
10
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDP6030BL / FDB6030BL Rev.C
FDP6030BL/FDB6030BL
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 20A
8
（续）
1600
V
DS
= 5V
15V
10V
电容（pF）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
C
国际空间站
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
25
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
1000
V
GS
= 10V
单脉冲
I
D
，漏电流（ A）
R
θ
JC
= 2.5℃ / W
100
T
C
= 25 C
R
DS （ ON）
极限
10
10ms
100ms
DC
o
o
图8.电容特性。
2500
2000
功率（W）的
10
s
100
s
1ms
单脉冲
R
θ
JC
=2.5°C/W
T
C
= 25°C
1500
1000
500
1
0.1
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
1,000
单脉冲时间（毫秒）
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
瞬态热阻
R（T ） ，规范有效
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
D = 0.5
R
θ
JC
（吨） = R （t）的R *
θ
JC
R
θ
JC
= 2.5 ° C / W
P（ PK）
0.1
0.05
0.05
0.02
单脉冲
t
1
0.03
0.01
0.02
0.01
0.01
t
2
T
J
- T
C
= P * R
θ
JC （T ）
占空比D = T
1
/t
2
0.1
1
t
1
，时间（ ms）的
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
FDP6030BL / FDB6030BL Rev.C
TO- 220磁带和卷轴数据和封装尺寸
TO- 220包装管
CON组fi guration ：
造型玩具E 1.0
包装说明：
TO- 220零件PED船舶通常的管子。该管
由PVC塑料用抗-stati agent.These
在标准选项管被放置在一个内部耗散
塑料袋，条形码标签，并放置在一个盒子里
制成每可回收瓦楞纸PA的。一个框包含
2巴gs的最大值（参见图1.0）。和一个或多个华氏度
这些箱子被放在一个标记希普ING博X内
在怒江MBER不同尺寸dependi吴WHIC HC omes
部分船PED 。另一种选择自带散装
在Packagin G信息表中描述。该单位为s的
此选项被放置在一个小盒子奠定瓦特第i个抗
静电汽泡纸。这些更小的盒子是单独
标记和放置插件IDE较大框（见图3.0）。
这些较大的或中间框，然后将被放置
最后一个标记包装箱其中H仍然来自于内部
不同大小取决于运单位数。
45单位为s ，每管
每包12管
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
2袋秒每盒
香港专业教育学院的行为PLASTI C B股份公司
的TO-220封装
信息：
图2.0
TO- 220封装信息
包装选项
包装类型
每管/盒数量
箱尺寸（mm ）
每箱数量最多
每单位重量（克）
注/评论
标准
（没有F升流码）
FSCINT拉贝升SAMP乐
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1080 UNI TS马克西妈妈
定量是每波X
S62Z
体积
300
LOT ：
CBVK741B019
数量：
HTB ： B
1080
NSID ：
FDP7060
产品规格：
铁路/地铁
45
530x130x83
1,080
1.4378
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
114x102x51
1,500
1.4378
FSCINT标签
（ FSCINT ）
TO- 220散包装
CON组fi guration ：
图3.0
FSCINT标签
安钛-为static
Bubbl ê片S
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
1500 UNI TS马克西妈妈
定量是每间箱
300个单位
EO70盒
114毫米X 102毫米X 51毫米
EO70 IMMED在Iate盒
5 EO70 boxe秒每元
中间体ediate博X
FSCINT标签
的TO-220管
CON组fi guration ：
图4.0
注：所有朦胧ensions都是以英寸为单位
0.123
+0.001
-0.003
0.165
0.080
0.450
±.030
1.300
±.015
0.032
±.003
0.275
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
0.160
20.000
+0.031
-0.065
0.800
0.275
1999年8月，版本B
QQ：2881677436 复制
