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DIOTEC电子股份有限公司。
18020霍巴特大道,单元B
加迪纳, CA 90248 U.S.A
电话: ( 310 ) 767-1052传真: ( 310 ) 767-7958
数据表号FRDB - 3500-1B
特点
PRV的从50到1000伏特额定值
浪涌过载额定值到400安培高峰
可靠的低成本的模塑结构
理想的印刷电路板应用
快速开关的高效率
+
D1
机械规格
系列FDB3500 - FDB3510
BH
AC
BH
AC
LT
_
+
LL
# 8螺丝
AC
AC
LD
UL认可 - 文件# E124962
D1
机械数据
AC
_
D3
BL
BL D1
_
+
AC
D2
案例:金属(环氧灌封胶进行U / L的可燃性额定值94V- 0 )
终端:圆形镀银铜针或快于终端
焊接:每MIL -STD 202方法208保证
极性:标示于案件的一面
安装位置:任意。通孔为# 8螺丝。
马克斯。安装在- lb的扭矩= 20 。
重量:快速的终端 - 1.1盎司( 31.6克)
引线 - 0.95盎司( 28.5克)
D2
BL
D1
BL
后缀"T"表示FAST -ON端子
后缀"W"表示引线
最大额定值&电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
参数(测试条件)
系列号
最大直流阻断电压
最大RMS电压
最大峰值经常反向电压
正向平均整流电流@ T
C
= 55 C
峰值正向浪涌电流( 8.3ms单半正弦波
叠加在额定负载)
最大正向电压(每桥元)在17.5安培DC
最大平均直流反向电流在额定
阻断电压DC (每桥元素 - 注2 )
最大反向恢复时间(注1 )
热能(额定值融合,T < 8.3毫秒)
典型热阻,结到环境(注2 )
接线工作和Staorage温度范围
注:(1 )T
J
=25
o
C,我
F
= 0.5A ,我
R
= 1A ,我
RR
=0.25A
( 2 )安装在11.8 。
2
X 0.06英寸厚( 300毫米
2
X 1.5mm厚)铜板
o
符号
FDB
3500
50
35
50
FDB
3501
100
70
100
评级
FDB
3502
200
140
200
FDB
3504
400
280
400
35
400
1.3
10
1
200
664
2.5
-55到+150
300
500
FDB
3506
600
420
600
FDB
3508
800
560
800
FDB
3510
1000
700
1000
单位
V
RM
V
RMS
V
RRM
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
T
RR
It
R
θJA
T
J,
T
英镑
2
安培
A
mA
nS
安培
2
美国证券交易委员会
° C / W
°C
4.97ffrdb035
@ T
A
= 25
o
C
@ T
A
= 100
o
C
G15
FDB3502 N沟道功率沟槽
MOSFET
2008年5月
FDB3502
N沟道功率
75V , 14A , 47mΩ
特点
最大
DS ( ON)
= 47mΩ在V
GS
= 10V ,我
D
= 6A
100 % UIL测试
符合RoHS
TRENCH
tm
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产
安森美半导体先进电源海沟
过程中有
特别是针对已尽量减少通态电阻和
同时保持出色的开关性能。
应用
同步整流器器
D
D
G
S
TO-263AB
FDB系列
G
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续(包装有限公司)
I
D
- 连续(硅有限公司)
-Continuous
-Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
(注1A )
(注3)
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
(注1A )
参数
评级
75
±20
14
22
6
40
54
41
3.1
-55到+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
(注1A )
3
40
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB3502
设备
FDB3502
TO-263AB
带尺寸
330 mm
胶带宽度
24 mm
QUANTITY
800个
2008飞兆半导体公司
FDB3502 Rev.C2
1
www.fairchildsemi.com
FDB3502 N沟道功率沟槽
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ,引用至25℃
V
GS
= 0V, V
DS
= 60V,
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
75
70
1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
T
J
r
DS ( ON)
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ,引用至25℃
V
GS
= 10V ,我
D
= 6A
V
GS
= 10V ,我
D
= 6A ,T
J
= 125°C
V
DD
= 10V ,我
D
= 6A
2.5
3.8
-10
37
63
13
47
80
4.5
V
毫伏/°C的
m
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
615
75
35
1.5
815
105
40
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷,在10V
门源费
栅漏“米勒”充电
V
DD
= 40V
I
D
= 6A
V
DD
= 40V ,我
D
= 6A,
V
GS
= 10V ,R
= 6
9
3
13
3
11
4
3
17
10
22
10
15
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时,我
S
= 2.6A
V
GS
= 0V时,我
S
= 6A
I
F
= 6A ,的di / dt = 100A / μs的
(注2 )
(注2 )
0.78
0.83
25
17
1.2
1.3
41
32
V
ns
nC
注意事项:
1:
R
θJA
是结点到外壳和外壳到环境的热阻,其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。
R
θJC
由设计而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a
.
在安装于1时40℃ / W的
2
2盎司纯铜垫
b
.
安装在最小焊盘时, 62.5 ° C / W 。
2:
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
3:
起始物为
J
= 25
°
C,L = 3MH ,我
AS
= 6A ,V
DD
= 75V, V
GS
= 10V.
2008飞兆半导体公司
FDB3502 Rev.C2
2
www.fairchildsemi.com
FDB3502 N沟道功率沟槽
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
40
漏极至源极导通电阻
3.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 9V
V
GS
= 8V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 6V
V
GS
= 7V
V
GS
= 8V
35
I
D
,
漏电流( A)
30
25
20
15
10
5
0
0
2.5
2.0
V
GS
= 9V
V
GS
= 7V
1.5
1.0
0.5
0
5
10
15
20
25
I
D
,
漏极电流( A)
30
35
40
V
GS
= 10V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 6V
1
2
3
4
5
V
DS
,
漏源极电压( V)
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
150
源导通电阻
(
m
)
2.0
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 6A
V
GS
= 10V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 % MAX
120
I
D
= 6A
r
DS (ON ) ,
90
T
J
= 125
o
C
60
30
0
5
6
7
8
9
10
V
GS
,
门源电压( V)
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
图3.归一导通电阻
VS结温
40
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 % MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
40
I
S
,反向漏电流( A)
10
V
GS
= 0V
I
D
,漏电流( A)
30
V
DS
= 7V
T
J
= 150
o
C
1
T
J
= 25
o
C
20
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0.1
10
0.01
T
J
= -55
o
C
0
2
4
6
8
10
V
GS
,门源电压( V)
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
2008飞兆半导体公司
FDB3502 Rev.C2
3
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FDB3502 N沟道功率沟槽
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
V
GS
,门源电压( V)
I
D
= 6A
V
DD
= 40V
1000
C
国际空间站
V
DD
= 30V
V
DD
= 50V
电容(pF)
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
,栅极电荷( NC)
100
C
OSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
RSS
10
0.1
1
10
100
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
25
I
D
,
漏电流( A)
10
I
AS
,雪崩电流( A)
20
15
V
GS
= 10V
T
J
= 25
o
C
10
5
0
25
不限按包
R
θ
JC
= 3 C / W
o
T
J
= 125
o
C
1
0.01
0.1
1
10
50
75
100
o
125
150
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
T
C
,
外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
100
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率( W)
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
10
4
V
GS
= 10V
3
I
D
,漏电流( A)
10
100us
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
10
单脉冲
R
θ
JC
= 3
o
C / W
T
C
= 25
o
C
1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JC
= 3
o
C / W
10
2
1ms
10ms
100ms
DC
0.1
0.05
0.1
T
C
= 25 C
o
1
10
100
300
V
DS
,漏源极电压( V)
10
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T,脉冲宽度(秒)
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
2008飞兆半导体公司
FDB3502 Rev.C2
4
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FDB3502 N沟道功率沟槽
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JC
占空比,降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
单脉冲
R
θ
JC
= 3 C / W
o
0.01
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
吨,矩形脉冲持续时间(秒)
图13.瞬态热响应曲线
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比,降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
R
θ
JA
= 62.5 C / W
(
注1B
)
o
t
1
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
0.001
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
吨,矩形脉冲持续时间(秒)
图14.瞬态热响应曲线
2008飞兆半导体公司
FDB3502 Rev.C2
5
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DIOTEC电子股份有限公司。
18020霍巴特大道,单元B
加迪纳, CA 90248 U.S.A
电话: ( 310 ) 767-1052传真: ( 310 ) 767-7958
数据表号FRDB - 3500-1B
35 AMP快恢复桥式整流器
特点
PRV的从50到1000伏特额定值
浪涌过载额定值到500安培高峰
可靠的低成本的模塑结构
理想的印刷电路板应用
快速开关的高效率
+
D1
机械规格
系列FDB3500 - FDB3510
BH
LT
UL认可 - 文件# E124962
符合RoHS
机械数据
案例:金属(环氧灌封胶进行U / L的可燃性额定值94V- 0 )
终端:圆形镀银铜针或快于终端
焊接:每MIL -STD 202方法208保证
极性:标示于案件的一面
安装位置:任意。通孔为# 8螺丝。
马克斯。安装在- lb的扭矩= 20 。
重量:快速的终端 - 1.1盎司( 31.6克)
导线引线 - 0.95盎司( 28.5克)
符号
BL
BH
D1
D2
D3
LT
+
D2
BL
MILLIMETERS
英寸
符号
BL
BH
D1
D2
LL
D1
BL
MILLIMETERS
英寸
28.4
11.0
15.7
17.5
13.5
最大
28.7
11.2
16.7
18.5
14.5
1.12
0.43
0.62
0.69
0.53
不适用
最大
1.13
0.44
0.66
0.73
0.57
0.56
28.4
11.0
17.5
10.9
20.6
最大
28.7
11.2
18.5
11.9
不适用
1.12
0.43
0.69
0.43
0.81
不适用
14.2
LD
1.0
1.1
0.039
最大额定值&电气特性
参数(测试条件)
系列号
符号
FDB
3500
50
35
50
FDB
3501
100
70
100
评级
FDB
3502
200
140
200
FDB
3504
400
280
400
35
500
1.3
10
1
200
1.6
-55到+135
-55到+135
300
500
FDB
3506
600
420
600
FDB
3508
800
560
800
FDB
3510
1000
700
1000
最大RMS电压
最大峰值经常反向电压
正向平均整流电流@ T = 75℃
峰值正向浪涌电流( 8.3ms单半正弦波
叠加在额定负载) T = 125℃
最大正向电压(每桥元)在17.5安培DC
V
V
典型热阻,结到外壳(注2 )
结温范围
存储温度范围
R
T
T
G15
V
1
T
1
°n± p% Ep VEnpp ¨ wEVw nEVw V(cVn V½w½ V p Dn p(1wW¤ n4VW¤4w °V 4( p ¨ V
¨ ± · · · ¨ ° · ¤D ± ¤
§
?? N 10 N 10 VV VD ???? ??? VDN ? WP ??? ?? V1 WWV # Vn的? ?? DN ¤X`
最大平均直流反向电流在额定
阻断电压DC (每桥元素 - 注2 )
最大反向恢复时间(注1 )
@ T = 25℃
@ T = 100℃
I
V
1w
I
}
11
X1~

1
最大直流阻断电压
V
I
541'10 ( & % # " ¤ ???? § ?? ¨ | ! ? ? ? ? ¤
3 2 ) ' $
§
v
w
6 I U F E D C B 美国
? EXB GH ( XDC ?一个' X6WVTR Q P ¤H 28 F ED ? B 9 @ 8 ? 7 6
我将9g 9的CA 8
q
Dp
D1
_
D3
BL
BL D1
Dt
u
yx
_
+
BH
LL
# 8螺丝
LD
s
Dr
_
D2
最大
1.13
0.44
0.73
0.47
不适用
0.042
|
{
米? ?????? D,J ?升? F
XZ吨1Y ???? D 11 ?? ê ???? ???? ?? D 1-2 l问????????? 1克? ???? ???? ???? ??? ? DN ? X
?? 克
毫升? F JEL ? ?? ?? ?? V Q ? F 12
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单位
安培
mA
mA
nS
° C / W
°C
DIOTEC电子股份有限公司。
18020霍巴特大道,单元B
加迪纳, CA 90248 U.S.A
电话: ( 310 ) 767-1052传真: ( 310 ) 767-7958
数据表号FRDB - 3500-2A
35 AMP快恢复桥式整流器
评级&特性曲线串联FDB3500 - FDB3510
60Hz的电阻或电感性负载
峰值正向浪涌电流
(安培)
平均正向电流,木卫一
(安培)
桥安装在9 ×3× 4.6"厚
( 22.9 X 7.6 X 11.7厘米)翅片铝。板
40
T = 125℃
30
20
10
0
0
50
75
100
125
150
外壳温度,C
图1.正向电流降额曲线
循环次数在60赫兹
图2.最大非重复浪涌电流
10
T = 125℃
正向电流
(安培)
瞬时反向电流,I
(微安)
1.0
10
1.0
T = 25℃
脉冲宽度= 300
m
美国证券交易委员会
1 %占空比
T = 25℃
0.1
正向电压(伏)
图3.典型正向特性每二极管
百分比额定峰值反向电压
图4.典型的反向特性
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G16
½ü
V ?? UUW ? ÷窝?
ù
w
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
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50
 
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60
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WN内容
w
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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