FDB2532_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
9月20日
10
FDB2532_F085
N沟道的PowerTrench
MOSFET
150V ， 79A ， 16mΩ
特点
r
DS （ ON）
= 14mΩ （典型值） ，V
GS
= 10V ，我
D
= 33A
Q
g
（ TOT ）= 82nC （典型值） ，V
GS
= 10V
低米勒电荷
低Q
RR
体二极管
UIS能力（单脉冲，重复脉冲）
符合AEC Q101
符合RoHS
以前发育类型82884
应用
DC / DC转换器和离线式UPS
分布式电源架构和VRM的
主开关的24V和48V系统
高压同步整流器
直喷/柴油喷射系统
42V汽车负载控制
电子气门驱动系统
漏
（法兰）
门
D
来源
G
TO-263AB
FDB系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V)
I
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 10V)
连续（T
AMB
= 25
o
C，V
GS
= 10V ，R
θJA
= 43
o
C / W ）
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注1 ）
功耗
减免上述
25
o
C
工作和存储温度
79
56
8
图4
400
310
2.07
-55至175
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
参数
评级
150
±20
单位
V
V
C
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳TO- 263
热阻结到环境TO- 263 ， 1英寸
2
铜层的面积
0.48
43
o
o
C / W
C / W
该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。对于
要求副本，请AEC Q101为： http://www.aecouncil.com/
http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html ：可靠性数据可以在这里找到。
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试
认证。
2010仙童半导体公司
FDB2532_F085版本A
FDB2532_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDB2532
设备
FDB2532_F085
包
TO-263AB
带尺寸
330mm
胶带宽度
24mm
QUANTITY
800个
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 120V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150 C
o
150
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
I
D
= 33A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 16A ，V
GS
= 6V,
I
D
= 33A ，V
GS
= 10V,
T
C
= 175
o
C
2
-
-
-
-
0.014
0.016
0.040
4
0.016
0.024
0.048
Ω
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 75V
I
D
= 33A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
5870
615
135
82
11
23
13
19
-
-
-
107
14
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
电阻开关特性
(V
GS
= 10V)
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= 75V ，我
D
= 33A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 3.6Ω
-
-
-
-
-
-
-
16
30
39
17
-
69
-
-
-
-
84
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 33A
I
SD
= 16A
I
SD
= 33A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 33A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
105
327
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.5毫亨，我
AS
= 40A.
2:
脉冲宽度= 100秒
2010仙童半导体公司
FDB2532_F085版本A
FDB2532_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
A
= 25 ° C除非另有说明
1.2
125
V
GS
= 10V
功耗乘法器
1.0
100
0.8
I
D
，漏电流（ A）
0
25
50
75
100
125
150
175
75
0.6
0.4
50
0.2
25
0
T
C
，外壳温度（
o
C)
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
图1.归功耗与
环境温度
2.0
1.0
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
图3.归一化最大瞬态热阻抗
2000
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
V
GS
= 10V
175 - T
C
150
1000
I
DM
峰值电流（ A）
跨
可能限流
在这个区域
100
50
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2010仙童半导体公司
FDB2532_F085版本A
FDB2532_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
A
= 25 ° C除非另有说明
1000
10μs
100
I
D
，漏电流（ A）
100
100μs
I
AS
，雪崩电流（ A）
200
起始物为
J
= 25
o
C
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
DC
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
1ms
10ms
起始物为
J
= 150
o
C
10
1
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
1
0.001
0.01
0.1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
1
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
300
图5.正向偏置安全工作区
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7515和AN7517
图6.松开电感式开关
能力
180
180
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
150
V
GS
= 7V
V
GS
= 6V
150
I
D
，漏电流（ A）
120
T
J
= 175
o
C
90
120
90
T
C
= 25
o
C
60
30
0
V
GS
= 5V
60
T
J
=
25
o
C
T
J
=
-55
o
C
30
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
6.5
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
6.0
图7.传热特性
18
漏极至源极导通电阻（M
Ω)
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
17
V
GS
= 6V
16
图8.饱和特性
3.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
2.5
2.0
15
V
GS
= 10V
14
1.5
1.0
V
GS
= 10V ，我
D
=33A
0.5
13
0
20
40
60
I
D
，漏电流（ A）
80
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
200
图9.漏极至源极导通电阻VS漏
当前
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2010仙童半导体公司
FDB2532_F085版本A
FDB2532_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
A
= 25 ° C除非另有说明
1.4
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
1.2
归一化门
阈值电压
归一漏极至源极
击穿电压
1.2
I
D
= 250μA
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
10000
图12.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
DD
= 75V
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C，电容（pF ）
C
OSS
C
DS
+ C
GD
1000
C
RSS
=
C
GD
8
6
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 33A
I
D
= 16A
0
20
40
60
80
100
2
100
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
50
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
150
0
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图13.电容VS漏极至源极
电压
图14.门充电波形恒
门电流
2010仙童半导体公司
FDB2532_F085版本A
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