FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50
2003年8月
FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50
15A ， 500V ， 0.38 Ohm的N通道开关电源功率MOSFET
应用
开关模式电源（ SMPS ） ，如
PFC升压
双开关正激转换器
单开关正激变换器
反激式转换器
降压转换器
高开关速度
特点
低栅极电荷
需求
Q
g
结果
in
简单
DRIVE
改进的门，雪崩和重新应用高dv / dt的
耐用性
缩小的R
DS （ ON）
减少米勒电容和低输入电容
改进的开关速度低EMI
175℃额定结温
包
来源
漏
门
门
来源
漏
（法兰）
漏
（法兰）
来源
漏
门
符号
D
G
S
TO-263AB
漏
（底部）
FDB系列
TO-247
FDH系列
TO-220AB
FDP系列
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
I
D
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V)
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 10V)
脉冲
P
D
T
J
, T
英镑
1
评级
500
±30
15
11
60
300
2
-55至175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
功耗
减免上述25
o
C
工作和存储温度
焊接温度10秒
C
C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳
热阻结到环境（ TO- 247 ）
热阻结到环境（ TO- 220 ， TO- 263 ）
0.50
40
62
o
C / W
C / W
o
C / W
o
2003仙童半导体公司
FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50 RevD2
FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50
包装标志和订购信息
器件标识
FDH15N50
FDP15N50
FDB15N50
设备
FDH15N50
FDP15N50
FDB15N50
包
TO-247
TO-220
TO-263
带尺寸
管
管
330mm
胶带宽度
-
-
24mm
QUANTITY
30
50
800
电气特性
T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
静力学
B
VDSS
漏源击穿电压
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
参考至25℃ ，
ID = 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 500V
V
GS
= 0V
V
GS
= ±30V
T
C
=
T
C
=
25
o
C
150
o
C
o
500
-
-
2.0
-
-
-
-
0.58
0.33
3.4
-
-
-
-
-
0.38
4.0
25
250
±100
V
V /°C的
V
A
nA
B
VDSS
/T
J
击穿电压温度。系数
r
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
漏极至源极导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
动态
g
fs
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
正向跨导
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DD
= 10V ，我
D
= 7.5A
V
GS
= 10V,
V
DS
= 400V,
I
D
= 15A
V
DD
= 250V,
I
D
= 15A,
R
G
= 6.2,
R
D
= 17
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
33
7.2
12
9
5.4
26
5
1850
230
16
-
41
10
16
-
-
-
-
-
-
-
S
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
雪崩特性
E
AS
I
AR
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
760
-
-
-
-
15
mJ
A
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RR
注意事项：
1 ：重复评价;脉冲宽度有限的最高结温
2 ：起始物为
J
= 25℃时，L = 7.0mH ，我
AS
= 15A
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
1
（体二极管）
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
I
SD
= 15A
D
-
-
-
-
-
-
-
0.86
470
5
15
60
1.2
730
6.6
A
A
V
ns
C
G
S
I
SD
= 15A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 15A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
2003仙童半导体公司
FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50 RevD2
FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50
典型特征
100
I
D
，漏源电流（A）
I
D
，漏源电流（A）
T
J
= 25
o
C
V
GS
DESCENDING
10V
6.5V
6V
5.5V
5V
4.5V
100
T
J
= 175
o
C
V
GS
DESCENDING
10V
6V
5.5V
5V
4.5V
4V
10
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1
1
10
100
1
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图1 。
输出特性
60
脉冲持续时间为80μs =
3.5
图2中。
输出特性
归一化导通电阻
I
D
，漏电流（ A）
占空比= 0.5 ％ MAX
50 VDD = 100V
40
脉冲持续时间为80μs =
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.5A
0.5
0
-50
占空比= 0.5 ％ MAX
30
TJ = 175
o
C
TJ = 25
o
C
20
10
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GS
，门源电压（ V）
TJ ，结温（
o
C)
网络连接gure 3 。
传输特性
图4.归一漏极至源极ON
电阻与结温
15
4000
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
I
D
= 15A
12
100V
250V
9
C，电容（pF ）
1000
C
OSS
400V
6
100
C
RSS
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
10
1
10
100
3
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
QG ，栅极电荷（ NC）
图5.电容VS漏极至源极
电压
图6.栅极电荷波形恒
栅电流
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FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50 RevD2
FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50
典型特征
I
SD
，源极到漏极电流（A）
30
100
T
C
= 25
o
C
25
100s
20
I
D
，漏电流（ A）
10
1ms
15
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
10
1.0
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
10ms
5
DC
0
0.3
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1
10
100
1000
V
SD
，源极到漏极电压（ V）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.体二极管正向电压随身体
二极管电流
16
图8.最大安全工作区
50
12
I
AS
，雪崩电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
10
起始物为
J
= 25
o
C
8
4
起始物为
J
= 150
o
C
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.01
0.1
1
10
50
T
C
，外壳温度（
o
C)
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
图9.最大漏极电流与案例
温度
Z
θJC
归一化热响应
图10.松开电感式开关
能力
10
0
0.50
0.20
10
-1
t
1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
P
D
t
2
DUTY因子，D = T
1
/ t
2
PEAK牛逼
J
= （ PD X Z
θJC
个R
θJC
) + T
C
10
-2
10
-5
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图11 。
归瞬态热阻抗，结到外壳
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FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50 RevD2
FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50
测试电路和波形
V
DS
t
P
L
I
AS
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
0V
R
G
-
BV
DSS
V
DS
V
DD
+
V
DD
I
AS
0.01
0
t
AV
图12.松开能源利用检测电路
图13.松开能源波形
V
DS
R
L
V
DD
Q
G（ TOT ）
V
DS
V
GS
V
GS
= 10V
+
V
DD
-
DUT
I
G（ REF ）
0
V
GS
V
GS
= 1V
Q
G（ TH ）
Q
gs
I
G（ REF ）
0
Q
gd
图14.栅极电荷测试电路
图15.门充电波形
V
DS
t
ON
t
D（上）
R
L
V
DS
90%
t
r
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
V
GS
+
V
DD
-
DUT
0
10%
10%
90%
V
GS
50%
脉冲宽度
50%
R
GS
V
GS
0
10%
图16.开关时间测试电路
图17.开关时间波形
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