FDB045AN08A0_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
FDB045AN08A0
_
F085
N沟道的PowerTrench
MOSFET
75V ， 80A ， 4.5米：
特点
r
DS （ ON）
= 3.9米： （典型值） ，V
GS
= 10V ，我
D
= 80A
Q
g
（ TOT ）= 92nC （典型值） ，V
GS
= 10V
低米勒电荷
低Q
RR
体二极管
UIS能力（单脉冲，重复脉冲）
符合AEC Q101
符合RoHS
以前发育类型82684
六月
2010
应用
42V汽车负载控制
起动/发电机系统
电子动力转向系统
电子气门驱动系统
DC-DC转换器和离线式UPS
分布式电源架构和VRM的
主开关的24V和48V系统
D
门
G
来源
TO-263AB
FDB系列
漏
（法兰）
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
< 137
o
C，V
GS
= 10V)
连续（T
AMB
= 25℃ ，V
GS
= 10V ，其中R
TJA
= 43 ℃/ W）
脉冲
单脉冲雪崩能量（注1 ）
功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
o
o
o
参数
评级
75
r20
90
19
图4
600
310
2.0
-55至175
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
C
热特性
R
TJC
R
TJA
R
TJA
热阻结到外壳TO- 263
热阻结到环境TO- 263 （注2 ）
热阻结到环境TO- 263 ， 1英寸
2
铜层的面积
0.48
62
43
o
C / W
C / W
o
C / W
o
该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。对于
要求副本，请AEC Q101为： http://www.aecouncil.com/
http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html ：可靠性数据可以在这里找到。
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试
认证。
2010仙童半导体公司
FDB045AN08A0_F085版本A
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FDB045AN08A0_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDB045AN08A0
设备
FDB045AN08A0_F085
包
TO-263AB
带尺寸
330mm
胶带宽度
24mm
QUANTITY
800个
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250Pa左右，V
GS
= 0V
V
DS
= 60V
V
GS
= 0V
V
GS
=
r20V
T
C
=
150
o
C
75
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
r100
V
PA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250Pa左右，
I
D
= 80A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 37A ，V
GS
= 6V
I
D
= 80A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
2
-
-
-
-
4
V
:
0.0039 0.0045
0.0056 0.0084
0.008
0.011
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 40V
I
D
= 80A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
6600
1000
240
92
11
27
16
21
-
-
-
138
17
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
(V
GS
= 10V)
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= 40V ，我
D
= 80A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 3.3:
-
-
-
-
-
-
-
18
88
40
45
-
160
-
-
-
-
128
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 80A
I
SD
= 40A
I
SD
= 75A ，二
SD
/ DT = 100A / PS
I
SD
= 75A ，二
SD
/ DT = 100A / PS
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
53
54
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.48mH ，我
AS
= 50A.
2:
脉冲宽度= 100秒
FDB045AN08A0_F085版本A
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FDB045AN08A0_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
功耗乘法器
200
电流限制
按封装
I
D
，漏电流（ A）
0
25
50
75
100
125
150
175
160
1.0
0.8
120
0.6
80
0.4
0.2
40
0
T
C
，外壳温度（
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
环境温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
TJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
TJC
个R
TJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
2000
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
V
GS
= 10V
I = I
25
175 - T
C
150
1000
I
DM
峰值电流（ A）
100
跨
可能限流
在这个区域
50
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
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FDB045AN08A0_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
2000
1000
10Ps
100Ps
I
D
，漏电流（ A）
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
z
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
起始物为
J
= 25
o
C
1ms
10ms
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
10
DC
1
起始物为
J
= 150
o
C
0.1
0.1
1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
图5.正向偏置安全工作区
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
150
150
脉冲宽度= 80Ps
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
120
V
GS
= 6V
90
V
GS
= 7V
120
I
D
，漏电流（ A）
90
T
J
= 175
o
C
60
T
J
=
30
25
o
C
T
J
=
-55
o
C
60
V
GS
= 5V
30
T
C
= 25
o
C
脉冲宽度= 80Ps
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0.5
1.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
1.5
0
4.0
0
4.5
5.0
5.5
V
GS
，门源电压（ V）
6.0
图7.传热特性
7
漏极至源极导通电阻（M :)
归一漏极至源极
抗性
脉冲宽度= 80Ps
占空比= 0.5 ％ MAX
6
V
GS
= 6V
5
2.5
图8.饱和特性
脉冲宽度= 80Ps
占空比= 0.5 ％ MAX
2.0
1.5
4
V
GS
= 10V
3
0
20
40
I
D
，漏电流（ A）
60
80
1.0
V
GS
= 10V ，我
D
=80A
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图9.漏极至源极导通电阻VS漏
当前
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
FDB045AN08A0_F085版本A
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FDB045AN08A0_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250Pa左右，
归一漏极至源极
击穿电压
1.10
1.15
I
D
= 250Pa左右，
归一化门
阈值电压
1.0
1.05
0.8
1.00
0.6
0.95
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0.90
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
10000
图12.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
GS
，门源电压（ V）
V
DD
= 40V
8
C
国际空间站
C，电容（pF ）
C
OSS
#
C
DS
+ C
GD
C
GS
+ C
GD
6
1000
C
RSS
C
GD
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 80A
I
D
= 10A
0
25
50
Q
g
，栅极电荷（ NC）
75
100
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
100
0.1
0
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
75
图13.电容VS漏极至源极
电压
图14.门充电波形恒
门电流
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