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FDA38N30 N沟道MOSFET

2012年1月

的UniFET

TM

FDA38N30

N沟道MOSFET

300V ， 38A ， 0.085Ω

特点

R

DS （ ON）

= 0.07Ω （典型值） @ V

GS

= 10V ，我

D

= 19A

低栅极电荷（典型的60 NC）

低C

RSS

（典型60 pF的）

快速开关

100 ％雪崩测试

改进dv / dt能力

ESD性能改进

符合RoHS

描述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管

器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，

DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对微型

迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-

曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和

换流模式。这些装置非常适用于高艾菲

cient开关模式电源和有源功率因数

校正。

D

G

g DS的

TO-3PN

FDA系列

S

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25

o

C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J,

T

英镑

T

L

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

(T

C

= 25

o

C)

功耗

- 减免上述25

o

C

- 连续（T

C

= 25

o

C)

- 连续（T

C

= 100

o

C)

- 脉冲

（注1 ）

（注2 ）

（注1 ）

（注1 ）

（注3）

FDA38N30

300

±30

38

22

150

1200

38

31

4.5

312

2.5

-55到+150

300

单位

V

V

A

A

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W/

o

C

°C

°C

单脉冲雪崩能量

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热特性

符号

R

θJC

R

θCS

R

θJA

FDA38N30版本C0

参数

热阻，结到外壳

热电阻，外壳到散热器

热阻，结到环境

分钟。

-

0.24

-

马克斯。

0.4

-

40

单位

° C / W

° C / W

° C / W

www.fairchildsemi.com

2011仙童半导体公司

FDA38N30 N沟道MOSFET

包装标志和订购信息

器件标识

FDA38N30

设备

FDA38N30

包

TO-3PN

T

C

= 25 ° C除非另有说明

带尺寸

-

胶带宽度

-

QUANTITY

30

电气特性

符号

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

ΔT

J

I

DSS

I

GSS

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流

条件

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V ，T

C

= 25

o

C

I

D

= 250μA ，引用至25℃

V

DS

= 300V, V

GS

= 0V

V

DS

= 240V ，T

C

= 125

o

C

V

GS

= ±30V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250μA

V

GS

= 10V ，我

D

= 19A

V

DS

= 20V ，我

D

= 19A

（注4 ）

分钟。

300

-

-

-

-

典型值。

-

0.3

-

-

-

最大单位

-

-

1

10

±100

5.0

0.085

-

-

-

-

-

-

-

μA

nA

V

V /°C的

基本特征

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 1.7mH ，我

AS

= 38A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

38A ， di / dt的

≤

200A / μs的，V

DD

≤

BV

DSS

，起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

5.基本上是独立的工作温度典型特征

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷，在10V

门源栅极电荷

栅漏“米勒”充电

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

3.0

-

-

-

-

0.07

6.3

2600

500

60

60

17

28

V

Ω

S

pF

pF

pF

nC

nC

nC

动态特性

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V

F = 1MHz的

-

-

-

V

DS

= 240V ，我

D

= 38A

V

GS

= 10V

（注4,5）

-

-

开关特性

-

V

DD

= 150V ，我

D

= 38A

R

G

= 25Ω, V

GS

= 10V

（注4,5）

53

110

118

54

-

-

-

315

4.0

69

143

153

70

38

150

1.4

-

-

ns

ns

ns

ns

A

A

V

ns

μC

-

-

-

-

-

-

-

（注4 ）

漏源二极管的特性

最大连续漏极至源极二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏极至源极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0V时，我

SD

= 38A

V

GS

= 0V时，我

SD

= 38A

dI

F

/ DT = 100A / μs的

-

FDA38N30版本C0

2

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FDA38N30 N沟道MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

V

GS

图2.传输特性

10

2

10

2

I

D

，漏电流[ A]

10

1

I

D

，漏电流[ A]

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

底部： 5.5 V

上图：

10

1

150 C

25 C

-55 C

o

o

o

10

0

*注意：

1. 250

μ

s脉冲测试

2. T

C

= 25 C

o

*注意：

1. V

DS

= 20V

2. 250

μ

s脉冲测试

10

-1

10

0

10

1

10

0

2

4

6

8

10

12

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

0.13

0.12

0.11

0.10

0.09

0.08

0.07

0.06

*注：t

J

= 25

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和Temperatue

10

2

V

GS

= 10V

I

DR

，反向漏电流[ A]

R

DS （ ON）

[

Ω

],

漏源导通电阻

10

1

150 C

25 C

o

o

V

GS

= 20V

*注意：

1. V

GS

= 0V

2. 250

μ

s脉冲测试

10

0.2

0

0.05

0

25

50

75

100

125

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容特性

6000

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

图6.栅极电荷特性

12

10

V

DS

= 60V

V

DS

= 150V

V

DS

= 240V

C

OSS

V

GS

，栅源电压[V]

电容[ pF的]

4000

C

国际空间站

8

6

2000

C

RSS

*注;

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1M的

Hz

4

2

？注：我

D

= 38A

0

-1

10

0

10

0

10

1

0

10

20

30

40

50

60

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

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3

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FDA38N30 N沟道MOSFET

典型性能特性

（续）

图7.击穿电压变化

与温度的关系

1.2

BV

DSS

， [归]

漏源击穿电压

图8.导通电阻变化

与温度的关系

3.0

R

DS （ ON）

， [归]

漏源导通电阻

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-100

*注意：

1. V

GS

= 10V

2. I

D

= 19A

1.1

1.0

0.9

*注意：

1. V

GS

= 0V

2. I

D

= 250uA

0.8

-100

-50

0

50

100

o

T

J

，结温

[

C

]

150

-50

0

50

100

o

T

J

，结温

[

C

]

150

图9.最高安全工作区

1000

10

μ

s

图10.最大漏极电流

与外壳温度

40

I

D

，漏电流[ A]

100

100

μ

s

1ms

10ms

10

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

*注意：

DC

I

D

，漏电流[ A]

30

20

1

0.1

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

o

o

10

0.01

1

10

100

V

DS

，漏源电压[V]

500

0

25

50

75

100

125

o

T

C

，外壳温度

[

C

]

150

图11.瞬态热响应曲线

热响应[Z

θ

JC

]

0.5

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

P

DM

t

1

t

2

o

*注意：

0.01

0.01

单脉冲

1. Z

θ

JC

（ T） = 0.4 ℃/ W（最大值）。

2.占空比，D = T

1

/t

2

3. T

JM

- T

C

= P

DM

* Z

θ

JC

(t)

-4

10

-5

10

10

10

10

10

矩形脉冲持续时间（秒）

-3

-2

-1

0

10

1

10

2

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栅极电荷测试电路波形&

50KΩ

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

DS

V

GS

10V

Q

gs

Q

g

V

GS

Q

gd

DUT

3mA

收费

电阻开关测试电路波形&

V

DS

R

G

V

GS

R

L

V

DD

V

DS

90%

10V

DUT

V

GS

10%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

非钳位感应开关测试电路波形&

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联系人：李

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联系人：林裕忠

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