FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N沟道MOSFET
2007年7月
FDA20N50
/ FDA20N50_F109
500V N沟道MOSFET
特点
22A ， 500V ，R
DS （ ON）
= 0.23 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型值45.6 NC）
低C
RSS
（典型27 pF的）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
的UniFET
描述
TM
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品
条纹， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
TO-3P
g DS的
FDA系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FDA20N50
500
22
13.2
88
±
30
1110
22
28.0
4.5
280
2.3
-55到+150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
*漏电流受最高结termperature 。
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
分钟。
--
0.24
--
马克斯。
0.44
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2007仙童半导体公司
1
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FDA20N50 / FDA20N50_F109牧师B1
FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDA20N50
FDA20N50
设备
FDA20N50
FDA20N50_F109
包
TO-3P
TO-3PN
带尺寸
--
--
胶带宽度
--
--
QUANTITY
30
30
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 25°C
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 11A
V
DS
= 40V ，我
D
= 11A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
民
500
--
--
--
--
--
典型值
--
0.50
--
--
--
--
最大单位
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
3.0
--
--
--
0.20
24.6
5.0
0.23
--
V
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
--
--
--
2400
355
27
3120
465
--
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 400V ，我
D
= 20A
V
GS
= 10V
（注4,5）
（注4,5）
V
DD
= 250V ，我
D
= 20A
R
G
= 25
--
--
--
--
--
--
--
95
375
100
105
45.6
14.8
21.6
200
760
210
220
59.5
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 4.1mH ，我
AS
= 22A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
图22A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 22A
V
GS
= 0V时，我
S
= 20A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
507
7.20
20
80
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
2
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典型性能特性
图1.区域特征
10
图2.传输特性
2
V
GS
上图：
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
1
150 C
1
o
10
25 C
o
-55 C
o
10
0
*注意：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
DS
= 40V
2. 250
s脉冲测试
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
0.8
R
DS （ ON）
[
],
漏源导通电阻
0.6
V
GS
= 10V
0.4
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
1
150 C
o
25 C
o
V
GS
= 20V
0.2
*注：t
J
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
0
0.0
0
15
30
45
60
75
90
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
6000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
5000
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
DS
= 100V
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
C
OSS
电容[ pF的]
4000
8
C
国际空间站
3000
6
2000
*注意：
1. V
GS
= 0 V
4
1000
C
RSS
2. F = 1 MHz的
2
*注：我
D
= 20A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
3
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
漏源导通电阻
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.5
2.0
2.0
1.5
1.0
1.5
1.0
1.0
0.5
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
0.0
-100
-50
0
50
100
o
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 11 A
150
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 5.5 A
200
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
T
J
,
0
结温[C]
50
100
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
o
图9.安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
25
10
2
10
s
20
I
D
，漏电流[ A]
10
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1毫秒
10毫秒
DC 100毫秒
I
D
，漏电流[ A]
10
3
100
s
15
10
10
0
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
5
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
（T ） ，热响应
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
* N释：
t
2
o
θ
JC
10
-2
1 . Z
θ
JC
（吨）= 0 0.4 4 ℃/女男一个X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
( t)
Z
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
4
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栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
5
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
漏源导通电阻
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.5
2.0
2.0
1.5
1.0
1.5
1.0
1.0
0.5
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
0.0
-100
-50
0
50
100
o
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 11 A
150
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 5.5 A
200
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
T
J
,
0
结温[C]
50
100
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
o
图9.安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
25
10
2
10
μ
s
20
I
D
，漏电流[ A]
10
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1毫秒
10毫秒
DC 100毫秒
I
D
，漏电流[ A]
10
3
100
μ
s
15
10
10
0
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
5
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
（T ） ，热响应
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
* N释：
θ
JC
10
-2
t
2
o
1 . Z
θ
JC
（吨）= 0 0.4 4 ℃/女男一个X 。
2 。 ü吨和Y F是C T O服务R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
( t)
Z
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
FDA20N50版本B
4
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FDA20N50 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
漏源导通电阻
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.5
2.0
2.0
1.5
1.0
1.5
1.0
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 5.5 A
1.0
0.5
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.0
-100
-50
0
50
100
o
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 10 A
150
200
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
T
J
，结温[C]
0
50
100
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
o
图9.安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
25
10
2
10
s
20
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10
1
I
D
，漏电流[ A]
10
3
100
s
10毫秒
100毫秒
DC
15
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
10
0
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
5
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
Z
θ
JC
热响应
(t),
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
10
-1
P
DM
t
1
t
2
10
-2
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
( t) = 0 .5
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
Q J·C
( t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
FDA20N50版本A
4
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FDA20N50 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
漏源导通电阻
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.5
2.0
2.0
1.5
1.0
1.5
1.0
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 5.5 A
1.0
0.5
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.0
-100
-50
0
50
100
o
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 10 A
150
200
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
T
J
，结温[C]
0
50
100
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
o
图9.安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
25
10
2
10
s
20
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10
1
I
D
，漏电流[ A]
10
3
100
s
10毫秒
100毫秒
DC
15
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
10
0
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
5
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
Z
θ
JC
热响应
(t),
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
10
-1
P
DM
t
1
t
2
10
-2
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
( t) = 0 .5
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
Q J·C
( t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
FDA20N50版本A
4
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