【SOT89 NPN硅功率（开关）晶体管ISSSUE 1 - 1998年11月特点FCX617C***】,IC型号FCX617,FCX617 PDF资料,FCX617经销商,ic,电子元器件-51电子网

SOT89 NPN硅功率

（开关）晶体管

ISSSUE 1 - 1998年11月

特点

FCX617

C

*

2W功耗

12A峰值脉冲电流

优秀

FE

特性的对12安培

极低的饱和电压例如8mV的典型。

极低的等效导通电阻;

R

CE （ SAT ）

50mΩ以下为3A

E

C

B

PARTMARKING详细信息 -

617

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流**

连续集电极电流

基极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

I

B

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

15

5

12

3

500

1

2

-55到+150

单位

V

A

mA

W

°C

推荐P

合计

采用FR4测量15x15x0.6mm计算

最大功耗来计算假定该设备被安装在FR4

基测量40x40x0.6mm ，并使用通过可比的测量方法

其他供应商。

**脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比

≤

2%

辣妹参数数据可应要求提供这些设备的

请参考操作说明焊接表面贴装元件。

FCX617

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止

当前

发射极截止

当前

集电极发射极

截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

I

CES

V

CE （ SAT ）

分钟。

15

5

0.3

8

70

150

100

14

100

230

300

400

1.0

典型值。

马克斯。

单位

V

nA

mV

V

条件。

I

C

=100A

I

C

=10mA*

I

E

=100A

V

CB

=10V

V

EB

=4V

V

CES

=10V

I

C

= 0.1A ，我

B

=10mA*

I

C

= 1A ，我

B

=10mA*

I

C

= 3A ，我

B

=50mA*

I

C

= 4A ，我

B

=50mA*

I

C

= 5A ，我

B

=50mA*

I

C

= 3A ，我

B

=50mA*

I

C

= 3A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=2V*

I

C

=的200mA， V

CE

=2V*

I

C

= 3A ，V

CE

=2V*

I

C

= 5A ，V

CE

=2V*

I

C

= 12A ，V

CE

=2V*

兆赫

40

pF

ns

I

C

= 50mA时V

CE

=10V

f=50MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

V

CC

= 10V ，我

C

=3A

I

B1

=I

B2

=50mA

基射

饱和电压

基射极导通

电压

静态前进

电流传输

比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

200

300

200

150

80

0.89

0.82

415

450

320

240

80

120

30

120

160

过渡

频率

输出电容

开启时间

打开-O FF时间

f

T

C

敖包

t

（上）

t

（关闭）

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比

≤

2%

FCX617

典型特征

1

+25 °C

0.4

I

C

/I

B

=60

0.3

100m

0.2

100°C

10m

25°C

I

C

/I

B

=100

I

C

/I

B

=60

I

C

/I

B

=10

0.1

-55°C

1m

0.0

10m

100m

1

10

1mA

10mA

100mA

1A

10A

I

C

- 集电极电流（ A）

集电极电流

V

CE （ SAT ）

V I

C

V

CE （ SAT ）

VS我

C

1.2

1.0

0.8

100°C

V

CE

=2V

1.4

450

1.2

1.0

0.8

I

C

/I

B

=60

25°C

-55°C

25°C

0.6

0.4

0.2

0.0

-55°C

225

0.6

0.4

0.2

100°C

0

10mA

100mA

1A

10A

100A

1mA

0.0

1mA

10mA

100mA

1A

10A

100A

集电极电流

h

FE

VS我

C

V

BE （ SAT ）

VS我

C

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

V

CE

=2V

100

-55°C

25°C

100°C

10

0.4

0.2

0.0

1mA

1

DC

1s

100ms

10ms

1ms

100us

10mA

100mA

1A

10A

100A

0.1

100m

1

10

100

集电极电流

V

CE

（伏）

V

BE（上）

VS我

C

安全工作区

SOT89 NPN硅功率

（开关）晶体管

ISSSUE 1 - 1998年11月

特点

FCX617

C

*

2W功耗

12A峰值脉冲电流

优秀

FE

特性的对12安培

极低的饱和电压例如8mV的典型。

极低的等效导通电阻;

R

CE （ SAT ）

50mΩ以下为3A

E

C

B

PARTMARKING详细信息 -

617

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流**

连续集电极电流

基极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

I

B

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

15

5

12

3

500

1

2

-55到+150

单位

V

A

mA

W

°C

推荐P

合计

采用FR4测量15x15x0.6mm计算

最大功耗来计算假定该设备被安装在FR4

基测量40x40x0.6mm ，并使用通过可比的测量方法

其他供应商。

**脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比

≤

2%

辣妹参数数据可应要求提供这些设备的

请参考操作说明焊接表面贴装元件。

FCX617

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止

当前

发射极截止

当前

集电极发射极

截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

I

CES

V

CE （ SAT ）

分钟。

15

5

0.3

8

70

150

100

14

100

230

300

400

1.0

典型值。

马克斯。

单位

V

nA

mV

V

条件。

I

C

=100A

I

C

=10mA*

I

E

=100A

V

CB

=10V

V

EB

=4V

V

CES

=10V

I

C

= 0.1A ，我

B

=10mA*

I

C

= 1A ，我

B

=10mA*

I

C

= 3A ，我

B

=50mA*

I

C

= 4A ，我

B

=50mA*

I

C

= 5A ，我

B

=50mA*

I

C

= 3A ，我

B

=50mA*

I

C

= 3A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=2V*

I

C

=的200mA， V

CE

=2V*

I

C

= 3A ，V

CE

=2V*

I

C

= 5A ，V

CE

=2V*

I

C

= 12A ，V

CE

=2V*

兆赫

40

pF

ns

I

C

= 50mA时V

CE

=10V

f=50MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

V

CC

= 10V ，我

C

=3A

I

B1

=I

B2

=50mA

基射

饱和电压

基射极导通

电压

静态前进

电流传输

比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

200

300

200

150

80

0.89

0.82

415

450

320

240

80

120

30

120

160

过渡

频率

输出电容

开启时间

打开-O FF时间

f

T

C

敖包

t

（上）

t

（关闭）

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比

≤

2%

FCX617

典型特征

1

+25 °C

0.4

I

C

/I

B

=60

0.3

100m

0.2

100°C

10m

25°C

I

C

/I

B

=100

I

C

/I

B

=60

I

C

/I

B

=10

0.1

-55°C

1m

0.0

10m

100m

1

10

1mA

10mA

100mA

1A

10A

I

C

- 集电极电流（ A）

集电极电流

V

CE （ SAT ）

V I

C

V

CE （ SAT ）

VS我

C

1.2

1.0

0.8

100°C

V

CE

=2V

1.4

450

1.2

1.0

0.8

I

C

/I

B

=60

25°C

-55°C

25°C

0.6

0.4

0.2

0.0

-55°C

225

0.6

0.4

0.2

100°C

0

10mA

100mA

1A

10A

100A

1mA

0.0

1mA

10mA

100mA

1A

10A

100A

集电极电流

h

FE

VS我

C

V

BE （ SAT ）

VS我

C

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

V

CE

=2V

100

-55°C

25°C

100°C

10

0.4

0.2

0.0

1mA

1

DC

1s

100ms

10ms

1ms

100us

10mA

100mA

1A

10A

100A

0.1

100m

1

10

100

集电极电流

V

CE

（伏）

V

BE（上）

VS我

C

安全工作区

SMD型

开关晶体管

FCX617

SOT-89

晶体管

单位：mm

+0.1

1.50

-0.1

特点

2W的功率耗散。

12A峰值脉冲电流。

优秀

FE

特性高达12安培。

极低的饱和电压例如8mV的典型。

极低的等效导通电阻。

R

CE （ SAT ）

50亩的3A 。

+0.1

0.48

-0.1

+0.1

4.50

-0.1

1.80

+0.1

-0.1

+0.1

2.50

-0.1

+0.1

0.53

-0.1

+0.1

4.00

-0.1

+0.1

0.80

-0.1

+0.1

0.44

-0.1

+0.1

2.60

-0.1

+0.1

3.00

-0.1

+0.1

0.40

-0.1

1.基地

2.收集

3. Emiitter

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

基极电流

功耗

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j,

T

英镑

等级

15

5

3

12

500

1

-55到+150

单位

V

A

mA

W

www.kexin.com.cn

1

SMD型

FCX617

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压*

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

集电极发射极截止电流

发射极截止电流

符号

V

（ BR ） CBO

I

C

=100ìA

V

（ BR ） CEO

I

C

=10mA

V

（ BR ） EBO

I

E

=100ìA

I

CBO

I

CES

I

EBO

V

CB

=10V

V

CE

=10V

V

EB

=4V

Testconditons

晶体管

民

15

5

典型值

最大

单位

V

0.3

8

70

150

---------

-

0.89

0.82

200

300

200

150

-----

80

415

450

320

240

80

120

30

120

160

100

14

100

230

300

400

1.0

nA

集电极 - 发射极饱和电压*

I

C

= 0.1A ，我

B

=10mA

I

C

= 1A ，我

B

=10mA

V

CE（

SAT ）I

C

= 3A ，我

B

=50mA

I

C

= 4A ，我

B

=50mA

I

C

= 5A ，我

B

=50mA

V

BE （

SAT ）I

C

= 3A ，我

B

=50mA

V

BE （上

) I

C

= 3A ，V

CE

=2V

I

C

= 10毫安，V

CE

=2V

I

C

=200mA,V

CE

=2V

I

C

=3A,V

CE

=2V

I

C

=5A,V

CE

=2V

I

C

=12A,V

CE

=2V

I

C

= 50mA时V

CE

= 10V F = 50MHz的

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 3A ，V

CC

=10V

I

B1

=I

B2

=50mA

mV

基射极饱和电压*

基射极电压ON *

V

静态正向电流传输比*

h

FE

过渡频率

输出电容

开启时间

打开-O FF时间

*脉冲测试： TP = 300 ;

0.02.

f

T

C

敖包

t

（上）

t

（关闭）

兆赫

40

pF

ns

记号

617

2

www.kexin.com.cn

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

FCX617

SOT-89

单位：mm

+0.1

1.50

-0.1

特点

2W的功率耗散。

12A峰值脉冲电流。

优秀

FE

特性高达12安培。

极低的饱和电压例如8mV的典型。

极低的等效导通电阻。

R

CE （ SAT ）

50亩的3A 。

+0.1

0.48

-0.1

+0.1

4.50

-0.1

1.80

+0.1

-0.1

+0.1

2.50

-0.1

+0.1

0.53

-0.1

+0.1

4.00

-0.1

+0.1

0.80

-0.1

+0.1

0.44

-0.1

+0.1

2.60

-0.1

+0.1

3.00

-0.1

+0.1

0.40

-0.1

1.基地

2.收集

3. Emiitter

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

基极电流

功耗

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j,

T

英镑

等级

15

5

3

12

500

1

-55到+150

单位

V

A

mA

W

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 2

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

FCX617

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压*

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

集电极发射极截止电流

发射极截止电流

符号

V

（ BR ） CBO

I

C

=100ìA

V

（ BR ） CEO

I

C

=10mA

V

（ BR ） EBO

I

E

=100ìA

I

CBO

I

CES

I

EBO

V

CB

=10V

V

CE

=10V

V

EB

=4V

Testconditons

民

15

5

0.3

8

70

150

---------

-

0.89

0.82

200

300

200

150

-----

80

415

450

320

240

80

120

30

120

160

40

兆赫

pF

ns

100

14

100

230

300

400

1.0

典型值

最大

单位

V

nA

集电极 - 发射极饱和电压*

I

C

= 0.1A ，我

B

=10mA

I

C

= 1A ，我

B

=10mA

V

CE（

SAT ）I

C

= 3A ，我

B

=50mA

I

C

= 4A ，我

B

=50mA

I

C

= 5A ，我

B

=50mA

V

BE （

SAT ）I

C

= 3A ，我

B

=50mA

V

BE （上

) I

C

= 3A ，V

CE

=2V

I

C

= 10毫安，V

CE

=2V

I

C

=200mA,V

CE

=2V

I

C

=3A,V

CE

=2V

I

C

=5A,V

CE

=2V

I

C

=12A,V

CE

=2V

I

C

= 50mA时V

CE

= 10V F = 50MHz的

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 3A ，V

CC

=10V

I

B1

=I

B2

=50mA

mV

基射极饱和电压*

基射极电压ON *

V

静态正向电流传输比*

h

FE

过渡频率

输出电容

开启时间

打开-O FF时间

*脉冲测试： TP = 300 ;

0.02.

f

T

C

敖包

t

（上）

t

（关闭）

记号

617

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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