对产品线
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FCX495
150V NPN中功率晶体管SOT89
特点
BV
首席执行官
> 150V
I
C
= 1A大电流连续
低饱和电压V
CE （ SAT ）
< 300mV的@ 0.5A
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT89
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料
防火等级94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成 - 雾锡镀信息，每焊
MIL- STD- 202方法208
重量： 0.052克（近似）
应用
低损耗功率开关
SOT89
C
E
B
C
C
B
E
顶视图
设备符号
顶视图
引脚输出
订购信息
（注4 ）
产品
FCX495TA
FCX495TC
FCX495-13R
注意事项：
记号
N95
N95
N95
卷尺寸（英寸）
7
13
13
胶带宽度（mm）
12
12
12
QUANTITY每卷
1,000
4,000
4,000
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.关于无卤素和无锑， "Green"的Diodes公司的定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com/quality/lead_free.html
和无铅。
3.卤素和锑自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的
和<1000ppm锑化合物。
4.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/products/packages.html 。
标识信息
N95
N95 =产品型号标识代码
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最大额定值
(@T
A
= 25℃ ，除非另有说明）。
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
连续基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
价值
170
150
7
1
2
200
单位
V
V
V
A
A
mA
热特性
(@T
A
= 25℃ ，除非另有说明）。
特征
集电极耗散功率
热阻，结到环境空气（注5 ）
热阻，结到信息（注6 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
价值
1
125
10.01
-65到+150
单位
W
° C / W°
° C / W°
C
5.对于设备安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
6.从结点到焊点点（上裸露收集垫）热敏电阻。
热特性和降额信息
1
有限
DC
1s
100ms
10ms
最大功耗（ W）
I
C
集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
100m
10m
单脉冲。牛逼
AMB
=25°C
1ms
100s
100m
V
CE
集电极 - 发射极电压（ V）
1
10
100
温度（℃）
安全工作区
100
120
100
80
60
40
D=0.2
20
0
100
1m
10m 100m
1
D=0.1
单脉冲
D=0.05
D=0.5
降额曲线
单脉冲。牛逼
AMB
=25°C
热阻（ ° C / W）
最大功耗（ W）
10
脉冲宽度（S ）
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
脉冲宽度（S ）
1
10
100
1k
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
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电气特性
(@T
A
= 25℃ ，除非另有说明）。
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注7 ）
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比静态（注7 ）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
h
FE
民
170
150
7
—
—
—
100
100
50
10
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
100
100
100
300
—
—
—
单位
V
V
V
nA
nA
nA
—
—
—
—
V
V
V
兆赫
pF
集电极 - 发射极饱和电压（注7 ）
基射极饱和电压（注7 ）
基射极导通电压（注7 ）
过渡频率
输出电容
注意：
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
—
—
100
—
—
—
—
—
0.2
0.3
1.0
1.0
-
10
测试条件
I
C
= 100A
I
C
= 1毫安
I
E
= 100A
V
CB
= 150V
V
EB
= 5.6V
V
CE
= 150V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 10V
I
C
= 250毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 1A ，V
CE
= 10V
I
C
= 250毫安，我
B
= 25毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz时，
脉冲条件下7.测定。脉冲宽度
≤
300μS 。占空比
≤
2%.
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典型电气特性
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包装外形尺寸
请参阅AP02002在http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf的最新版本。
D1
0
.20
R0
1
C
H
E
H
B1
B
e
8° (4X)
L
A
SOT89
暗淡
民
最大
A
1.40
1.60
B
0.44
0.62
B1
0.35
0.54
C
0.35
0.44
D
4.40
4.60
D1
1.62
1.83
E
2.29
2.60
e
1.50 TYP
H
3.94
4.25
H1
2.63
2.93
L
0.89
1.20
尺寸：mm
D
拟议的焊盘布局
请参阅AP02001在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf最新的版本。
X1
X2 (2x)
Y3
Y
Y2
C
X (3x)
Y1
Y4
尺寸值（单位：mm）
X
0.900
X1
1.733
X2
0.416
Y
1.300
Y1
4.600
Y2
1.475
Y3
0.950
Y4
1.125
C
1.500
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