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威世半导体
FlipKY
,
1芯片级封装肖特基整流器
特点
超低V
F
每占位面积
=低泄漏
低热阻
五分之一SMA的足迹
超级低调（0.6 MM）
可在磁带和卷轴测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
FlipKY
反极性保护
当前转向
续流
反激式
或门
描述
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。在25℃下
I
RM
最大。在125℃下
T
J
马克斯。
E
AS
1A
30 V
0.33 V
100 μA
30毫安
150 °C
10兆焦耳
Vishay的FlipKY
产品系列采用晶圆级
芯片级封装来提供肖特基二极管与
最低的V
F
在PCB占位面积的行业。四
凹凸1.5毫米×1.5 mm器件可以提供高达1 A和
只占用2.3毫米
2
的电路板空间。在阳极和
阴极连接是通过焊料凸点焊盘制作
在硅片的一面使设计人员能够在战略
放置在PCB上的二极管。这种设计不但能减少
板空间，而且还降低了耐热性和耐
电感，从而可以提高整个电路的效率。
典型的应用包括手持式，便携式设备
如手机，MP3播放器，蓝牙，全球定位系统，个人数字助理，
和便携式硬盘驱动器在空间的节省和
性能是至关重要的。
主要额定值及特点
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
T
J
1 A
pk
, T
J
= 125 °C
方波
特征
马克斯。
30
1
250
0.33
- 55 150
单位
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-FCSP130LTR
30
单位
V
修订： 04 -JUL- 11
文档编号： 94494
1
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威世半导体
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流在25℃
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
测试条件
50％的占空比在T
PCB
= 120℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
值
1.0
220
21
10
2.0
mJ
A
A
单位
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2.0 A，L = 5.0 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
符号
1A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
2A
1A
2A
最大反向漏电流
SEE图。 2
最大结电容
充电最高电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
dv / dt的
V
R
=额定V
R
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
典型值。
0.41
0.46
0.29
0.37
30
10
-
-
马克斯。
0.45
0.50
0.33
0.40
100
30
210
10
μA
mA
pF
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz时） ，25°C
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
典型热阻，
结到PCB
最大热电阻，
结到环境
笔记
(1)
(2)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJL （2）
R
thJA
直流操作
测试条件
值
- 55 150
40
单位
°C
° C / W
62
dP
合计
1
------------ ------------- <
热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装1"方形PCB
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威世半导体
允许外壳温度（ ℃）
160
150
140
130
120
110
100
90
80
方波（ D = 0.50 ）
80 % V
R
应用的
见注（ 1 ）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
DC
D = 3/4
D = 1/2
D = 1/3
D = 1/4
D = 1/5
10
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
（每站）
100
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 4 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（每腿）
0.5
T
J
= 150 °C
I
R
- 反向电流（mA ）
平均功耗（ W）
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
0.4
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
1
0.3
0.1
0.2
DC
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
0.01
0.1
0.001
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压（每腿）
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 正向功率损耗特性（每腿）
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
I
FSM
- 非重复性
浪涌电流（ A）
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
100
10
10
0
5
10
15
20
25
30
10
100
1000
10 000
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容比。
反向电压（每腿）
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 6 - 最大非重复浪涌电流（每腿）
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在80 ％的V
R
应用的
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L
快速
开关
飞轮
二极管
40HFL40S02
+ V
d
= 25 V
D.U.T.
IRFP460
R
g
= 25
Ω
当前
MONITOR
图。 7 - 非钳位感应测试电路
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SPICE模型
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外形尺寸
日前，Vishay高功率产品
FlipKY
1 A / 1.5 A （大凸块焊盘设计）
尺寸
以毫米为单位
球分配
0.10 (0.004) C
2x
B
1.524
A
1 =阴极
2 =阴极
3 =阳极
4 =阳极
0.10 (0.004) C
2x
0.600
0.520
0.205
0.175
4
2 x 0.400
3
1.524
1.524
0.300
1
2
0.800
4x
推荐足迹
0.395
0.355
0.800
阴极
球
1
阴极
球
2
0.800
阳极
球
4
阳极
球
3
4 x 0.35
笔记
(1)
尺寸和公差每ASME Y14.5M - 1994
(2)
控制尺寸：毫米
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修订： 02 -APR- 08
欲了解有关离散产品的技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
欲了解有关模块产品的技术问题，请联系： ind-modules@vishay.com
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1
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