FCP7N60N / FCPF7N60NT N沟道MOSFET
2013年3月
FCP7N60N / FCPF7N60NT
N沟道SupreMOS
MOSFET
600 V ， 6.8 A， 520毫欧
特点
R
DS （ ON）
= 460 m （典型值） @ V
GS
= 10 V，I
D
= 3.4 A
超低栅极电荷（ Typ.Q
g
= 17.8 NC）
低有效输出电容（典型值
OSS
.eff = 91 pF的）
100 ％雪崩测试
符合RoHS
描述
该SupreMOS
MOSFET是飞兆半导体
接下来的
新一代高电压超级结（ SJ ）技术
采用深沟槽填充工艺，从它的区别
传统的SJ MOSFET的。这种先进的技术和
精确的过程控制提供了导通电阻最低的可吸入悬浮粒子
出色的开关性能和耐用性。 SupreMOS
MOSFET适用于高频开关电源转换器
应用程序，如PFC ，服务器/电信电源，平板电视电源，
ATX电源和工业动力应用。
应用
LCD / LED电视与显示器
- 照明
太阳能逆变器
AC- DC电源供应器
D
TO-220
g DS的
GDS
TO-220F
G
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
参数
FCP7N60N
FCPF7N60NT
600
±30
6.8*
4.3*
20.4
79.4
6.8
0.6
100
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
V / ns的
- 连续（T
C
= 25 C)
- 连续（T
C
=
- 脉冲
100
o
C)
（注1 ）
（注2 ）
o
6.8
4.3
20.4
（注3）
64.1
0.51
4.9
30.5
0.24
-55到+150
300
W
W/
o
C
o
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件Heak水槽（典型值）
热阻，结到环境
1
FCP7N60N
1.95
0.5
62.5
FCPF7N60NT
4.1
0.5
62.5
单位
o
C / W
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包装标志和订购信息
器件标识
FCP7N60N
FCPF7N60NT
设备
FCP7N60N
FCPF7N60NT
包
TO-220AB
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V ，T
C
= 25
o
C
I
D
= 1毫安，被引用到25
o
C
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
C
= 125
o
C
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
600
-
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
-
10
100
±100
V
V/
o
C
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μA
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.4 A
V
DS
= 20 V，I
D
= 3.4 A
2.0
-
-
-
0.46
8.5
4.0
0.52
-
V
Ω
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
ESR
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
等效串联电阻（G -S）
开漏
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 380 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 0 V至380 V ，V
GS
= 0 V
V
DS
= 380 V，I
D
= 3.4 A
V
GS
= 10 V
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
719
30
2.1
17
91
17.8
3.2
6.0
2.5
960
40
3.2
-
-
35.6
6.3
11.9
-
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 380 V，I
D
= 3.4 A
R
G
= 4.7
Ω
（注4 ）
-
-
-
-
12
6
35
12
24
22
80
24
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
SD
=3.4 A
V
GS
= 0 V，I
SD
= 3.4 A
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
211
1.8
6.8
20.4
1.2
-
-
A
A
V
ns
μC
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2. I
AS
= 2.3 A，R
G
= 25
Ω,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
6.8 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
380 V ，起始物为
J
= 25°C
4.基本上是独立的工作温度典型特征
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典型性能特性
图1.区域特征
30
V
GS
=
15.0 V
10.0 V
6.0 V
4.5 V
4.0 V
图2.传输特性
60
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
10
150 C
-55 C
25 C
o
o
o
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
1
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
μ
s脉冲测试
1
0.5
0.1
2. T
C
= 25 C
o
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0.2
2
4
6
V
GS
，栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
1.0
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
100
R
DS （ ON）
[
Ω
]
,
漏源导通电阻
0.8
I
S
，反向漏电流[ A]
10
150 C
o
0.6
V
GS
= 10V
25 C
o
V
GS
= 20V
1
*注意：
1. V
GS
= 0V
0.4
*注：t
C
= 25 C
o
0.2
0
4
8
12
I
D
，漏电流[ A]
16
20
0.1
0.4
2. 250
μ
s脉冲测试
0.6
0.8
1.0
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.2
图5.电容特性
10000
V
GS
，栅源电压[V]
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
图6.栅极电荷特性
10
V
DS
= 120V
V
DS
= 380V
V
DS
= 480V
8
1000
电容[ pF的]
C
国际空间站
6
100
C
OSS
4
10
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
2
*注：我
D
= 3.4A
C
RSS
1
0.1
0
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
600
0
3
6
9
12
15
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
18
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-80
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 3.4A
1.1
1.0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 1毫安
0.8
-80
-40
0
40
80
120
o
T
J
，结温
[
C
]
160
-40
0
40
80
120
o
T
J
，结温
[
C
]
160
图9.最高安全工作区
_ FCP7N60N
100
20
μ
s
图10.最大安全工作区
_ FCPF7N60NT
100
20
μ
s
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
100
μ
s
1ms
10ms
DC
10
100
μ
s
1ms
10ms
DC
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.01
0.1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1
1000
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1000
图11.最大漏极电流
与外壳温度
8
I
D
，漏电流[ A]
6
4
2
0
25
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度
[
C
]
150
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典型性能特性
（续）
图12.瞬态热响应曲线
3
热响应
[
Z
θ
JC
]
_ FCP7N60N
1
0.5
0.2
0.1
0.05
P
DM
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.02
0.01
单脉冲
*注意：
t
1
o
2
1. Z
θ
JC
(t)
t
= 1.95 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.01
-5
10
10
-4
10
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
10
-1
图13.瞬态热响应曲线
_ FCPF7N60NT
5
热响应
[
Z
θ
JC
]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.02
0.01
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 4.1 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
o
单脉冲
0.01
-5
10
10
-4
10
10
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
-1
10
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