FCP16N60N / FCPF16N60NT N沟道MOSFET
SupreMOS
TM
FcP16N60N / FcPF16N60NT
N沟道MOSFET
600V ，16A， 0.170Ω
特点
R
DS （ ON）
= 0.17Ω （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 8A
超低栅极电荷（典型值的Qg = 40.2nC ）
低有效输出电容
100 ％雪崩测试
符合RoHS
2009年8月
描述
该SupreMOS MOSFET ，飞兆半导体的下一代高
电压超级结MOSFET ，采用深沟槽填充
过程中，从之前的多外延区分开来的基础
技术。利用这种先进的技术和精密
过程控制， SupreMOS提供世界一流的可吸入悬浮粒子出众
开关性能和耐用性。
这SupreMOS MOSFET符合业界的AC- DC开关电源
对于PFC ，服务器/电信电源，平板电视功耗的要求，
ATX电源，工业电源应用。
D
G
摹 S
TO-220
FCP系列
GD S
TO-220F
森林碳伙伴基金系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
=
25
o
C)
- 减免上述25
o
C
（注3）
134.4
1.08
- 连续（T
C
=
- 连续（T
C
=
- 脉冲
25
o
C)
100
o
C)
（注1 ）
（注2 ）
16.0
10.1
48.0
355
5.3
1.34
100
20
35.7
0.29
-55到+150
300
参数
FCP16N60N FCPF16N60NT
600
±30
16.0*
10.1*
48.0*
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件散热器（典型值）
热阻，结到环境
FCP16N60N FCPF16N60NT
0.93
0.5
62.5
3.5
0.5
62.5
o
C / W
单位
2009仙童半导体公司
FCP16N60N / FCPF16N60NT牧师A1
1
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FCP16N60N / FCPF16N60NT N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FCP16N60N
FCPF16N60NT
设备
FCP16N60N
FCPF16N60NT
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V ，T
C
= 25
o
C
I
D
= 1mA时，参考25
o
C
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125 C
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
o
600
-
-
-
-
-
0.73
-
-
-
-
-
10
100
±100
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 8A
V
DS
= 40V ，我
D
= 8A
2.0
-
-
-
0.170
13
4.0
0.199
-
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
ESR
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
等效串联电阻（G -S）
V
DS
= 380V ，我
D
= 8A,
V
GS
= 10V
（注4 ）
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DS
= 380V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
= 0V至480V ，V
GS
= 0V
-
-
-
-
-
-
-
-
1630
70
5
40
176
40.2
6.7
12.9
2.9
2170
95
10
60
-
52.3
-
-
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开漏
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 380V ，我
D
= 8A
R
G
= 4.7
（注4 ）
-
-
-
-
15.8
15.5
60.3
20.2
41.6
41.0
130.6
50.4
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 8A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 8A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
319
4.4
16
48
1.2
-
-
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2. I
AS
= 5.3A ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
= 380V ，起始物为
J
= 25°C
4.基本上是独立的工作温度典型特征
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典型性能特性
图1.区域特征
100
V
GS
=
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
图2.传输特性
100
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
10
150 C
o
25 C
-55 C
o
o
1
*注意：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
1
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
s脉冲测试
0.1
0.1
0.1
1
V
DS
，漏源电压[V]
10
20
2
4
6
V
GS
，栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.6
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
100
R
DS （ ON）
[
]
,
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
0.5
0.4
V
GS
= 10V
150 C
o
10
25 C
o
0.3
V
GS
= 20V
0.2
*注：T已
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
0.1
0
10
20
30
I
D
，漏电流[ A]
40
50
1
0.2
2. 250
s脉冲测试
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.6
图5.电容特性
10000
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 120V
V
DS
= 380V
V
DS
= 480V
8
7500
电容[ pF的]
C
OSS
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
6
5000
4
2500
C
国际空间站
2
*注：我
D
= 8A
C
RSS
0
0.1
0
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
600
0
10
20
30
40
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
50
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 8A
1.1
1.0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 1毫安
0.8
-100
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
图9.最高安全工作区
_ FCP16N60N
100
20
s
100
s
图10.最大安全工作区
_ FCPF16N60NT
100
20
s
I
D
，漏电流[ A]
10
DC
I
D
，漏电流[ A]
100
s
1ms
10ms
10
10ms
DC
1ms
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.1
0.1
0.01
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1000
0.01
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1000
图11.最大漏极电流
与外壳温度
20
I
D
，漏电流[ A]
15
10
5
0
25
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度
[
C
]
150
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典型性能特性
（续）
图12.瞬态热响应曲线_ FCP16N60N
2
1
热响应
[
Z
θ
JC
]
0.5
0.2
P
DM
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
t
1
t
2
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 0.93 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
o
单脉冲
0.01
0.005
-5
10
10
-4
-3
-2
10
10
矩形脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
图13.瞬态热响应曲线_ FCPF16N60NT
5
热响应
[
Z
θ
JC
]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.02
0.01
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 3.5 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
o
单脉冲
0.01
-5
10
10
-4
10
10
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
-1
10
10
2
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