FCP380N60E / FCPF380N60E N沟道MOSFET
2012年3月
FCP380N60E / FCPF380N60E
600V N沟道MOSFET
特点
650V @T
J
= 150°C
马克斯。
DS （ ON）
= 380mΩ
超低栅极电荷（典型值Q
g
= 34nC ）
低有效输出电容（典型值
OSS
.eff = 97pF ）
100 ％雪崩测试
的SuperFET
II
描述
的SuperFET II是，飞兆半导体专有的，新一代高
这是利用一种先进的充电电压MOSFET系列
对导通电阻和低杰出的低的制衡机制
栅极充电性能。
这种先进的技术已经针对减少
导通损耗，提供出色的开关性能，并
承受极端的dv / dt率和较高的雪崩能量。
因此，的SuperFET II是非常适合于各种交流/直流
在开关模式工作的系统电源转换
小型化和更高的效率。
D
TO-220
摹 S
GD S
TO-220F
G
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
MOSFET的dv / dt
功耗
(T
C
= 25
o
C)
- 减免上述25℃
o
参数
- DC
- AC
- 连续（T
C
= 25 C)
- 连续（T
C
= 100 C)
- 脉冲
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
o
o
FCP380N60E FCPF380N60E单位
600
V
±20
（六>赫兹）
10.2
6.4
30.6
211.6
2.3
1.06
20
100
106
0.85
-55到+150
300
31
0.25
±30
10.2*
6.4*
30.6*
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件散热器（典型值）
热阻，结到环境
FCP380N60E FCPF380N60E单位
1.18
0.5
62.5
4
0.5
62.5
o
C / W
2012仙童半导体公司
FCP380N60E / FCPF380N60E版本C4
1
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FCP380N60E / FCPF380N60E N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FCP380N60E
FCPF380N60E
设备
FCP380N60E
FCPF380N60E
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
BV
DS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏源雪崩击穿
电压
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
V
GS
= 0V时，我
D
= 10毫安，T
J
= 25°C
V
GS
= 0V时，我
D
= 10毫安，T
J
= 150°C
I
D
= 10毫安，参考25
o
C
V
GS
= 0V时，我
D
= 10A
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
= 125 C
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
o
600
650
-
-
-
-
-
-
-
0.67
700
-
-
-
-
-
-
-
1
10
±100
V
V
V/
o
C
V
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 5A
V
DS
= 20V ，我
D
= 5A
2.5
-
-
-
0.32
10
3.5
0.38
-
V
Ω
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
ESR
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
等效串联电阻
V
DS
= 380V ，我
D
= 5A
V
GS
= 10V
（注4 ）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DS
= 380V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V至480V ，V
GS
= 0V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1330
945
60
25
97
34
5.3
13
6
1770
1260
90
-
-
45
-
-
-
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
Ω
开漏
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 380V ，我
D
= 5A
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7Ω
（注4 ）
-
-
-
-
17
9
64
10
44
28
138
30
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2. I
AS
= 2.3A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
5.1A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.基本上是独立的工作温度典型特征
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 5A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
240
3
10.2
30.6
1.2
-
-
A
A
V
ns
μC
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2
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FCP380N60E / FCPF380N60E N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
100
V
GS
=
15.0V
10.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
图2.传输特性
100
I
D
，漏电流[ A]
10
I
D
，漏电流[ A]
10
150 C
25 C
o
o
1
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
1
-55 C
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
μ
s脉冲测试
o
0.1
0.1
1
V
DS
，漏源电压[V]
10
20
0.1
2
4
6
8
V
GS
，栅源电压[V]
10
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.8
0.7
0.6
0.5
V
GS
= 10V
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
100
R
DS （ ON）
[
Ω
],
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
150 C
o
10
25 C
o
0.4
V
GS
= 20V
0.3
0.2
*注：t
C
= 25 C
0
5
10
15
20
I
D
，漏电流[ A]
25
30
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
1
0.2
2. 250
μ
s脉冲测试
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.6
图5.电容特性
10000
C
国际空间站
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
1000
8
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
电容[ pF的]
6
100
C
OSS
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的（CDS =短路）
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
4
10
2
C
RSS
1
0.5
0.1
*注：我
D
= 5A
0
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
600
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
35
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3
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.16
图8.导通电阻变化
与温度的关系
2.8
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
1.12
1.08
1.04
1.00
0.96
0.92
0.88
-80
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 10毫安
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
-80
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 5A
-40
0
40
80
120
o
T
J
，结温[C]
160
-40
0
40
80
120
o
T
J
，结温[C]
160
图9.最高安全工作区
与外壳温度 - FCP380N60E
100
10
μ
s
图10.最大安全工作区
与外壳温度 - FCPF380N60E
100
10
μ
s
I
D
，漏电流[ A]
10
100
μ
s
1ms
10ms
DC
I
D
，漏电流[ A]
10
100
μ
s
1ms
10ms
1
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
DC
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.01
0.1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1
1000
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1000
图11.最大漏极电流
12
10
图12. EOSS与漏极至源极电压
交换能力
6
5
4
I
D
，漏电流[ A]
E
OSS
, [
μ
J]
8
6
4
2
0
25
3
2
1
0
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度[C]
150
0
100
200
300
400
500
V
DS
，漏源极电压[ V]
600
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典型性能特性
（续）
图13.瞬态热响应曲线 - FCP380N60E
2
热响应[Z
θ
JC
]
1
0.5
0.2
0.1
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 1.18 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
o
0.01
-5
10
10
-4
10
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
10
-1
10
0
图14.瞬态热响应曲线 - FCPF380N60E
5
热响应
[
Z
θ
JC
]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.02
0.01
单脉冲
*注意：
1. Z
θ
JC
（吨） = 4 C / W的最大值。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
o
0.01
-5
10
10
-4
10
10
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
-1
10
100
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