FCH47N60 / FCA47N60 600V N沟道MOSFET
的SuperFET
FCH47N60 / FCA47N60
600V N沟道MOSFET
特点
650V @T
J
= 150°C
典型。
DS （ ON）
= 0.058
超低栅极电荷（典型值Q
g
= 210nC ）
低有效输出电容（典型值
OSS
EFF 。 = 420pF ）
100 ％雪崩测试
TM
描述
的SuperFET
TM
是， Farichild专有的新一代高
这是利用一种先进的充电电压MOSFET系列
优秀的低制衡机制的导通电阻和
更低的栅极电荷性能。
这种先进的技术已经针对减少CON-
duction损失，提供出色的开关性能，并与 -
站在极端的dv / dt的速度和更高的雪崩能量。
因此，的SuperFET是非常适合于各种交流/直流
在开关模式工作的系统电源转换MIN-
iaturization和更高的效率。
D
!
＆ QUOT ;
G
!
克
S
！ "
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
TO-247
g DS的
TO-3P
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FCH47N60
600
FCA47N60
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
47
29.7
141
±
30
1800
47
41.7
4.5
417
3.33
-55到+150
300
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
典型值。
--
0.24
马克斯。
0.3
--
单位
° C / W
° C / W
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FCH47N60 / FCA47N60版本A
FCH47N60 / FCA47N60 600V N沟道MOSFET
符号
R
θJA
参数
热阻，结到环境
典型值。
--
马克斯。
41.7
单位
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FCH47N60
FCA47N60
设备
FCH47N60
FCA47N60
包
TO-247
TO-3P
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
30
30
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
BV
DS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 25°C
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 150°C
民
600
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
650
0.6
700
--
--
--
--
最大单位
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V
V /°C的
V
A
A
nA
nA
击穿电压温度
系数
漏源雪崩击穿
电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS
= 0V时，我
D
= 47A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 23.5A
V
DS
= 40V ，我
D
= 23.5A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
3.0
--
--
--
0.058
40
5.0
0.07
--
V
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V至400V ，V
GS
= 0V
V
DD
= 300V ，我
D
= 47A
R
G
= 25
--
--
--
--
--
5900
3200
250
160
420
8000
4200
--
--
--
pF
pF
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 480V ，我
D
= 47A
V
GS
= 10V
（注4,5）
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
185
210
520
75
210
38
110
430
450
1100
160
270
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 47A
V
GS
= 0V时，我
S
= 47A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
590
25
47
141
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2. I
AS
= 18A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
2
FCH47N60 / FCA47N60版本A
www.fairchildsemi.com
FCH47N60 / FCA47N60 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
V
GS
图2.传输特性
10
2
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
10
2
150
°
C
10
1
10
1
25
°
C
-55
°
C
- 注意
1. V
DS
= 40V
10
0
*注意：
1. 250
脉冲测试
2. T
C
= 25
°
C
10
0
2. 250
s脉冲测试
10
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.20
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
I
DR
，反向漏电流[ A]
R
DS （ ON）
[
] ，漏源导通电阻
0.15
10
2
V
GS
= 10V
0.10
10
1
V
GS
= 20V
0.05
150
°
C
25
°
C
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
*注：t
J
= 25
°
C
10
200
0
0.00
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
30000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
DS
= 100V
V
GS
，栅源电压[V]
25000
C
RSS
= C
gd
10
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
20000
8
C
OSS
15000
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
C
国际空间站
10000
4
5000
C
RSS
2
*注：我
D
= 47A
0
-1
10
10
0
10
1
0
0
50
100
150
200
250
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
3
FCH47N60 / FCA47N60版本A
www.fairchildsemi.com
FCH47N60 / FCA47N60 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
3.0
图8.导通电阻变化
与温度的关系
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
漏源导通电阻
2.5
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
2.0
1.0
1.5
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
1.0
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 47 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温[
°
C]
T
J
，结温[
°
C]
图9.安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
50
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
2
100
s
40
I
D
，漏电流[ A]
10
1
10毫秒
DC
I
D
，漏电流[ A]
10
3
1毫秒
30
10
0
20
10
-1
*注意：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
10
10
-2
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
°
C]
图10.瞬态热响应曲线
（T ） ，热响应
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
10
-2
* N释：
1 . Z
θ
J·C
( t) = 0 .3
°
C / W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
( t)
P
DM
t
1
t
2
S IN克乐P ü LS ê
10
-4
Z
θ
JC
0 .0 1
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
4
FCH47N60 / FCA47N60版本A
www.fairchildsemi.com
FCH47N60 / FCA47N60 600V N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
10V
Q
gs
Q
gd
V
GS
DUT
3mA
收费
电阻开关测试电路波形&
V
DS
V
GS
R
G
R
L
V
DD
V
DS
90%
10V
DUT
V
GS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
I
D
R
G
10V
t
p
BV
DSS
1
---- L I
AS2
--------------------
E
AS
=
2
BV
DSS
- V
DD
BV
DSS
I
AS
V
DD
I
D
(t)
V
DD
t
p
DUT
V
DS
(t)
时间
5
FCH47N60 / FCA47N60版本A
www.fairchildsemi.com
FCH47N60 / FCA47N60 / FCA47N60_F109 600V N沟道MOSFET
2007年8月
的SuperFET
FCH47N60 / FCA47N60 / FCA47N60_F109
600V N沟道MOSFET
特点
650V @T
J
= 150°C
典型。 RDS（ON） = 0.058Ω
超低栅极电荷（典型值的Qg = 210nC ）
低有效输出电容（典型值Coss.eff = 420pF ）
100 ％雪崩测试
TM
描述
的SuperFET
TM
是，飞兆半导体专有的，新一代高
这是利用一种先进的充电电压MOSFET系列
优秀的低制衡机制的导通电阻和
更低的栅极电荷性能。
这种先进的技术已经针对减少CON-
duction损失，提供出色的开关性能，并与 -
站在极端的dv / dt的速度和更高的雪崩能量。
因此，的SuperFET是非常适合于各种交流/直流
在开关模式工作的系统电源转换MIN-
iaturization和更高的效率。
D
G
克
S
TO-247
FDH系列
TO-3P
g DS的
FDA系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FCH47N60
600
FCA47N60
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
47
29.7
141
±
30
1800
47
41.7
4.5
417
3.33
-55到+150
300
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
典型值。
--
0.24
--
马克斯。
0.3
--
41.7
单位
° C / W
° C / W
2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FCH47N60 / FCA47N60 / FCA47N60_F109 Rev.B2
FCH47N60 / FCA47N60 / FCA47N60_F109 600V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FCH47N60
FCA47N60
FCA47N60
设备
FCH47N60
FCA47N60
FCA47N60_F109
包
TO-247
TO-3P
TO-3PN
T
C
= 25 ° C除非另有说明
带尺寸
-
-
-
胶带宽度
-
-
-
QUANTITY
30
30
30
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
BV
DS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏源雪崩击穿
电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 25°C
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 150°C
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS
= 0V时，我
D
= 47A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 23.5A
V
DS
= 40V ，我
D
= 23.5A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
民
600
--
--
--
--
--
--
--
3.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
（注4,5）
典型值
--
650
0.6
700
--
--
--
--
--
0.058
40
5900
3200
250
160
420
185
210
520
75
210
38
110
最大单位
--
--
--
--
1
10
100
-100
5.0
0.07
--
8000
4200
--
--
--
430
450
1100
160
270
--
--
V
V
V /°C的
V
A
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
基本特征
动态特性
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V至400V ，V
GS
= 0V
V
DD
= 300V ，我
D
= 47A
R
G
= 25
开关特性
--
--
--
--
V
DS
= 480V ，我
D
= 47A
V
GS
= 10V
（注4,5）
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 47A
V
GS
= 0V时，我
S
= 47A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
590
25
47
141
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2. I
AS
= 18A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
47A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
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2
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FCH47N60 / FCA47N60 / FCA47N60_F109 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
图2.传输特性
10
2
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
2
150
℃
1
10
1
10
25
℃
-55
℃
※
记
1. V
DS
= 40V
2. 250μ s脉冲测试
10
0
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
10
0
10
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
R
DS （ ON）
[Ω] ，漏源导通电阻
0.20
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
I
DR
，反向漏电流[ A]
0.15
10
2
V
GS
= 10V
0.10
10
1
V
GS
= 20V
0.05
150
℃
25
℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
※
注：t
J
= 25
℃
10
200
0
0.00
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
30000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
DS
= 100V
V
GS
，栅源电压[V]
25000
10
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
20000
C
OSS
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
8
15000
6
C
国际空间站
10000
4
5000
C
RSS
2
※
注：我
D
= 47A
0
-1
10
10
0
10
1
0
0
50
100
150
200
250
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
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FCH47N60 / FCA47N60 / FCA47N60_F109 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
3.0
图8.导通电阻变化
与温度的关系
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 47 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
50
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
100美
10毫秒
DC
40
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
10
3
1毫秒
30
10
0
20
※
注意事项：
10
-1
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
10
10
-2
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图10.瞬态热响应曲线
Z
θ
JC
热响应
(t),
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
10
-2
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
t) = 0 .3
℃
/ W M A X 。
(
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
t)
(
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
10
-4
0 .0 1
t
2
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
FCH47N60 / FCA47N60 / FCA47N60_F109牧师B2
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FCH47N60 / FCA47N60 / FCA47N60_F109 600V N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
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FCH47N60 / FCA47N60
FCH47N60 / FCA47N60
特点
650V @T
J
= 150°C
典型。 RDS（ON） = 0.058Ω
超低栅极电荷（典型值的Qg = 210nC ）
低有效输出电容（典型值Coss.eff = 420pF ）
100 ％雪崩测试
的SuperFET
描述
的SuperFET
TM
是， Farichild专有的新一代高
这是利用一种先进的充电电压MOSFET系列
优秀的低制衡机制的导通电阻和
更低的栅极电荷性能。
这种先进的技术已经针对减少
导通损耗，提供出色的开关性能，并
承受极端的dv / dt率和较高的雪崩能量。
因此，的SuperFET是非常适合于各种交流/直流
在开关模式工作的系统电源转换
小型化和更高的效率。
2006年12月
TM
D
G
克
S
TO-247
FDH系列
TO-3P
g DS的
FDA系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FCH47N60
600
FCA47N60
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
47
29.7
141
±
30
1800
47
41.7
4.5
417
3.33
-55到+150
300
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
典型值。
--
0.24
--
马克斯。
0.3
--
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2006仙童半导体公司
1
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FCH47N60 / FCA47N60 Rev.B的
FCH47N60 / FCA47N60
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
3.0
图8.导通电阻变化
与温度的关系
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
漏源导通电阻
2.5
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
2.0
1.0
1.5
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
1.0
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 47 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
50
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
100美
40
I
D
，漏电流[ A]
10
1
10毫秒
DC
I
D
，漏电流[ A]
3
1毫秒
30
10
0
20
10
-1
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[C]
图10.瞬态热响应曲线
（T ） ，热响应
D = 0 .5
10
-1
* N释：
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
10
-2
1 . Z
θ
J·C
( t) = 0 .3
o
C / W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
( t)
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
10
-4
θ
JC
Z
t
2
0 .0 1
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
FCH47N60 / FCA47N60版本B
4
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QQ：2880707522 复制
