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FCBS0550智能功率模块( SPM )
2005年9月8日
FCBS0550
智能功率模块( SPM )
特点
UL认证No.E209204 ( SPM27 -BA包)
500V -5A三相MOSFET逆变桥,包括控制
IC,用于栅极驱动和保护
逆变器电流检测分为负直流母线端子
应用
因单端接地电源内置HVIC
的2500Vrms的/ min的额定隔离电压。
由于采用陶瓷基板非常低的漏电流
概述
它是一种先进的智能功率模块( SPM)是飞兆半导体拥有
新近开发和设计,以提供非常紧凑和
高性能的交流电机驱动器主要针对低功耗
逆变器驱动的应用程序,如冰箱。它结合了opti-
得到优化的电路保护和驱动器匹配低损耗MOSFET导
场效应管。系统的可靠性是由集成进一步增强
欠压锁定和短路保护。高
高速内置HVIC中提供光耦较少的单电源
这进一步降低了整体MOSFET栅极驱动能力
逆变器系统的设计尺寸。的各相电流
逆变器可以单独监测由于分割阴性
略去直流端子。
应用
AC 200V三相逆变器驱动小功率交流电机
驱动器
像冰箱家电应用。
顶视图
底部视图
44mm
26.8mm
图1 。
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FCBS0550版本A
FCBS0550智能功率模块( SPM )
集成电源功能
500V -5A MOSFET逆变为三相DC / AC功率转换(请参考图3)的
集成驱动,保护和系统控制功能
对于逆变器的高边MOSFET :门极驱动电路,高压隔离的高速电平转换
控制电路欠压(UV)保护
注)可用的自举电路的例子中给出了图图10和11 。
对于逆变器的低边MOSFET :门极驱动电路,短路保护( SC )
控制电源电路欠压( UV)保护
故障信号:对应于UV故障(低端电源) , SC故障
输入接口: 3.3 / 5V CMOS / LSTTL兼容,施密特触发输入
引脚配置
顶视图
13.3
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
V
CC (L)的
COM
IN
(UL)的
IN
( VL)的
IN
( WL )
V
FO
C
FOD
C
SC
(21) N
U
(22) N
V
19.1
(23) N
W
(9)在
(UH )
(10) V
CC ( UH )
(11) V
B( U)
(12) V
S( U)
(13)在
(V H)
(14) V
CC (V H)
(15) V
B( V)
(16) V
S( V)
(17)在
( WH )
(18) V
CC ( WH )
(19) V
B( W)
(20) V
S( W)的
图2中。
(24) U
案例tem温度(T )
C
检测点
(25) V
(26) W
陶瓷基板
(27) P
2
FCBS0550版本A
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FCBS0550智能功率模块( SPM )
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
引脚名称
V
CC (L)的
COM
IN
(UL)的
IN
( VL)的
IN
( WL )
V
FO
C
FOD
C
SC
IN
(UH )
V
CC ( UH )
V
B( U)
V
S( U)
IN
(V H)
V
CC (V H)
V
B( V)
V
S( V)
IN
( WH )
V
CC ( WH )
V
B( W)
V
S( W)的
N
U
N
V
N
W
U
V
W
P
引脚说明
低端常见的偏置电压IC和MOSFET驱动
公共电源地
信号输入为低侧U相
信号输入为低侧V相
信号输入的低端W相的
故障输出
电容器故障输出持续时间选择
电容(低通滤波器)的简称,电流检测输入
信号输入为高侧U相
高侧偏置电压为U相的IC
高侧偏置电压为U相的MOSFET驱动
高端辅助供电的地U相的MOSFET驱动
信号输入为高端V相
高侧偏置电压V相IC
高侧偏置电压V相MOSFET驱动
高端辅助供电的地V相的MOSFET驱动
信号输入为高端W相的
高侧偏置电压为W相的IC
高侧偏置电压为W相的MOSFET驱动
高端辅助供电的地W相的MOSFET驱动
直流母线电压负输入U相
直流母线电压负输入为V相
直流母线电压负输入W相
输出U相
输出V阶段
输出W相的
正直流母线输入
3
FCBS0550版本A
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FCBS0550智能功率模块( SPM )
内部等效电路和输入/输出引脚
P (27)
(19) V
B( W)
(18) V
CC ( WH )
VB
VCC
COM
IN
OUT
VS
W (26)
(17)在
( WH )
(20) V
S( W)的
(15) V
B( V)
(14) V
CC (V H)
VB
VCC
COM
IN
OUT
VS
V (25)
(13)在
(V H)
(16) V
S( V)
(11) V
B( U)
(10) V
CC ( UH )
(9)在
(UH )
(12) V
S( U)
VB
VCC
COM
IN
OUT
VS
U (24)
(8) C
SC
(7) C
FOD
(6) V
FO
C( SC ) OUT ( WL )
C( FOD )
VFO
IN (WL) OUT (V L)
IN( VL)的
IN (UL)的
COM
OUT (UL)的
V
SL
N
U
(21)
N
V
(22)
N
W
(23)
(5)在
( WL )
(4)在
( VL)的
(3)在
(UL)的
( 2 ) COM
(1) V
CC (L)的
VCC
注意:
1.逆变器低端由三个MOSFET和一个控制集成电路。它具有栅极驱动和保护功能。
2.逆变电源侧由四个逆变器直流母线输入端子和三个逆变器输出端。
3.逆变器的高侧由三个MOSFET和为每个MOSFET 3的驱动器集成电路。
网络连接gure 3 。
4
FCBS0550版本A
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FCBS0550智能功率模块( SPM )
绝对最大额定值
(T
J
= 25°C,
逆变部分
符号
V
PN
V
PN (浪涌)
V
DSS
± I
D
± I
DP
P
C
T
J
注意:
除非另有规定编)
参数
电源电压
电源电压(浪涌)
漏源电压
每个MOSFET漏极电流
每个MOSFET漏极电流(峰值)
集电极耗散
工作结温
条件
P- n的应用
U
, N
V
, N
W
P- n的应用
U
, N
V
, N
W
T
C
= 25 ° C,峰值正弦电流
T
C
= 25 ° C,在1毫秒脉冲宽度
T
C
每一片= 25°C
(注1 )
等级
400
450
500
5
7
25
-20 ~ 125
单位
V
V
V
A
A
W
°C
1.将电源芯片的最高结温额定值的SPM内部集成150
° C( @T
C
100 ℃)。然而,为了保证在SPM的安全运行,平均
结温度应限制至T
J(下AVE )
125°C ( @T
C
100°C)
控制部分
符号
V
CC
V
BS
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
条件
V的应用
CC ( UH )
, V
CC (V H)
, V
CC ( WH )
, V
CC (L)的
-
COM
等级
20
20
-0.3~17
-0.3~V
CC
+0.3
5
-0.3~V
CC
+0.3
单位
V
V
V
V
mA
V
高端V的控制电压偏置应用
B( U)
- V
S( U)
, V
B( V)
- V
S( V)
, V
B( W)
-
AGE
V
S( W)的
输入信号电压
故障输出电源电压
故障输出电流
在应用之间
(UH )
(V H)
( WH )
(UL)的
( VL)的
,
IN
( WL )
- COM
V的应用
FO
- COM
吸收电流在V
FO
电流检测输入电压C的差别应用
SC
- COM
系统总
符号
T
SC
T
C
T
英镑
V
ISO
参数
抗短路时间
工作壳温
储存温度
隔离电压
条件
V
CC
= V
BS
= 13.5 16.5V ,T
J
= 125°C ,非
重复,V
PN
= 400V ,R
分流
=0m
-20°C
T
J
125°C ,参见图2
60Hz的正弦,AC 1分钟,连接
引脚陶瓷基板
等级
10
-20 ~ 100
-40 ~ 125
2500
单位
s
°C
°C
V
RMS
热阻
符号
R
日(J -C )
注意:
2.对于壳体温度的测量点(T
C
) ,请参考图2 。
参数
条件
分钟。典型值。马克斯。
-
-
4
单位
° C / W
结到管壳热MOSFET逆变器部分(每1/6模块)
阻力
包装标志和订购信息
器件标识
FCBS0550
设备
FCBS0550
SPM27BA
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
10
5
FCBS0550版本A
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