FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109 600V N沟道MOSFET
2007年8月
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109
600V N沟道MOSFET
特点
650V @T
J
= 150°C
典型。 RDS（ON） = 0.15Ω
超低栅极电荷（典型值的Qg = 55nC ）
低有效输出电容（典型值Coss.eff = 110pF ）
100 ％雪崩测试
的SuperFET
TM
描述
的SuperFET
TM
是， Farichild专有的新一代高
这是利用一种先进的充电电压MOSFET系列
优秀的低制衡机制的导通电阻和
更低的栅极电荷性能。
这种先进的技术已经针对减少
导通损耗，提供出色的开关性能，并
承受极端的dv / dt率和较高的雪崩能量。
因此，的SuperFET是非常适合于各种交流/直流
在开关模式工作的系统电源转换
小型化和更高的效率。
D
G
克
S
TO-247
FCH系列
TO-3P
g DS的
FCA系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FCH20N60
600
FCA20N60
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
20
12.5
60
±
30
690
20
20.8
4.5
208
1.67
-55到+150
300
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
典型值。
--
0.24
--
马克斯。
0.6
--
41.7
单位
° C / W
° C / W
2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109牧师A3
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109 600V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FCH20N60
FCA20N60
FCA20N60
设备
FCH20N60
FCA20N60
FCA20N60_F109
包
TO-247
TO-3P
TO-3PN
带尺寸
-
-
-
胶带宽度
-
-
-
QUANTITY
30
30
30
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
BV
DS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 25°C
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 150°C
民
600
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
650
0.6
700
--
--
--
--
最大单位
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V
V /°C的
V
A
A
nA
nA
击穿电压温度
系数
漏源雪崩击穿
电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS
= 0V时，我
D
= 20A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
DS
= 40V ，我
D
= 10A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
3.0
--
--
--
0.15
17
5.0
0.19
--
V
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V至400V ，V
GS
= 0V
V
DD
= 300V ，我
D
= 20A
R
G
= 25
--
--
--
--
--
2370
1280
95
65
165
3080
1665
--
85
--
pF
pF
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 480V ，我
D
= 20A
V
GS
= 10V
（注4,5）
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
62
140
230
65
75
13.5
36
135
290
470
140
98
18
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2. I
AS
= 10A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
20A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 20A
V
GS
= 0V时，我
S
= 20A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
530
10.5
20
60
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
2
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109牧师A3
www.fairchildsemi.com
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
10
2
图2.传输特性
10
2
V
GS
上图：
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
1
10
1
150 C
o
25 C
-55 C
10
0
o
o
10
0
*注意：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
*注
1. V
DS
= 40V
2. 250
s脉冲测试
10
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
10
2
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
0.4
0.3
R
DS （ ON）
[
],
V
GS
= 10V
I
DR
，反向漏电流[ A]
漏源导通电阻
10
1
0.2
V
GS
= 20V
0.1
10
0
150 C
o
25 C
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
o
*注：t
J
= 25 C
o
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
10000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
图6.栅极电荷特性
12
9000
8000
7000
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
V
DS
= 100V
V
GS
，栅源电压[V]
C
RSS
= C
gd
10
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
8
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
-1
10
C
OSS
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
C
国际空间站
4
C
RSS
2
*注：我
D
= 20A
10
0
10
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
3
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109牧师A3
www.fairchildsemi.com
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
漏源导通电阻
2.5
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
2.0
1.0
1.5
1.0
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 20 A
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
25
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
100美
20
I
D
，漏电流[ A]
10
1
1毫秒
10毫秒
DC
I
D
，漏电流[ A]
3
15
10
0
10
10
-1
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
5
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
D = 0 .5
* N释：
1 . Z
θ
JC
（ T）= 0 0.6 C / W M A X 。
o
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
P
DM
t
1
t
2
S IN克乐P ü LS ê
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
4
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109牧师A3
www.fairchildsemi.com
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109 600V N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
5
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109牧师A3
www.fairchildsemi.com
FCH20N60 / FCA20N60 600V N沟道MOSFET
的SuperFET
FCH20N60 / FCA20N60
600V N沟道MOSFET
特点
650V @T
J
= 150°C
典型。 RDS（ON） = 0.15Ω
超低栅极电荷（典型值的Qg = 55nC ）
低有效输出电容（典型值Coss.eff = 110pF ）
100 ％雪崩测试
2006年12月
TM
描述
的SuperFET
TM
是， Farichild专有的新一代高
这是利用一种先进的充电电压MOSFET系列
优秀的低制衡机制的导通电阻和
更低的栅极电荷性能。
这种先进的技术已经针对减少
导通损耗，提供出色的开关性能，并
承受极端的dv / dt率和较高的雪崩能量。
因此，的SuperFET是非常适合于各种交流/直流
在开关模式工作的系统电源转换
小型化和更高的效率。
D
G
克
S
TO-247
FCH系列
TO-3P
g DS的
FCA系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FCH20N60
600
FCA20N60
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
20
12.5
60
±
30
690
20
20.8
4.5
208
1.67
-55到+150
300
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
典型值。
--
0.24
--
马克斯。
0.6
--
41.7
单位
° C / W
° C / W
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FCH20N60 / FCA20N60牧师A2
FCH20N60 / FCA20N60 600V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FCH20N60
FCA20N60
FCA20N60
设备
FCH20N60
FCA20N60
FCA20N60_F109
包
TO-247
TO-3P
TO-3PN
带尺寸
-
-
-
胶带宽度
-
-
-
QUANTITY
30
30
30
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
ΔT
J
BV
DS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 25°C
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 150°C
民
600
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
650
0.6
700
--
--
--
--
最大单位
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V
V /°C的
V
μA
μA
nA
nA
击穿电压温度
系数
漏源雪崩击穿
电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS
= 0V时，我
D
= 20A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
DS
= 40V ，我
D
= 10A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
3.0
--
--
--
0.15
17
5.0
0.19
--
V
Ω
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V至400V ，V
GS
= 0V
V
DD
= 300V ，我
D
= 20A
R
G
= 25Ω
--
--
--
--
--
2370
1280
95
65
165
3080
1665
--
85
--
pF
pF
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 480V ，我
D
= 20A
V
GS
= 10V
（注4,5）
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
62
140
230
65
75
13.5
36
135
290
470
140
98
18
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2. I
AS
= 10A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
20A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 20A
V
GS
= 0V时，我
S
= 20A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
530
10.5
20
60
1.4
--
--
A
A
V
ns
μC
2
FCH20N60 / FCA20N60牧师A2
www.fairchildsemi.com
FCH20N60 / FCA20N60 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
10
2
图2.传输特性
10
2
V
GS
上图：
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
1
10
1
150 C
o
25 C
-55 C
10
0
o
o
10
0
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
*注
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s脉冲测试
10
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
10
2
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
0.4
0.3
R
DS （ ON）
[
Ω
],
V
GS
= 10V
I
DR
，反向漏电流[ A]
漏源导通电阻
10
1
0.2
V
GS
= 20V
0.1
10
0
150 C
o
25 C
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s脉冲测试
o
*注：t
J
= 25 C
o
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
10000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
图6.栅极电荷特性
12
9000
8000
7000
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
V
DS
= 100V
V
GS
，栅源电压[V]
C
RSS
= C
gd
10
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
8
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
-1
10
C
OSS
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
C
国际空间站
4
C
RSS
2
*注：我
D
= 20A
10
0
10
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
3
FCH20N60 / FCA20N60牧师A2
www.fairchildsemi.com
FCH20N60 / FCA20N60 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
漏源导通电阻
2.5
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
2.0
1.0
1.5
1.0
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 20 A
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
25
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
100美
20
I
D
，漏电流[ A]
10
1
1毫秒
10毫秒
DC
I
D
，漏电流[ A]
3
15
10
0
10
10
-1
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
5
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
D = 0 .5
* N释：
1 . Z
θ
J·C
（ T）= 0 0.6 C / W M A X 。
o
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
P
DM
t
1
t
2
S IN克乐P ü LS ê
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
4
FCH20N60 / FCA20N60牧师A2
www.fairchildsemi.com
FCH20N60 / FCA20N60 600V N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
5
FCH20N60 / FCA20N60牧师A2
www.fairchildsemi.com
