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FC3355
NPN硅晶体管RF
描述
FC3355
硅超高频½噪声功率管是一种基于
N
型外延层的晶½管。
具有高功率增益 、
½躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。采用
TO-92
封装，具有理想的功率特性，
FC3355
主要应用于
VHF ， UHF ， CATV
高频½噪声放大器。
主要特性
高增益: ︱S
21
︱
2
典型值为9.5分贝
½躁声:
NF典型值为1.5分贝
增益带½乘积: f
T
典型值为6GHz的
@
V
CE
=10V,I
C
=20mA,f=1GHz
@
V
CE
=10V,I
C
= 7毫安中，f = 1GHz的
@
V
CE
=10V,I
C
=20mA,f=1GHz
订购信息
产品号
FC3355
标准包装
1K/包
极限工½条件范围 (T
A
=25℃)
参数
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流
功耗
结温度
存储温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
-65
极值
20
12
3
100
500
150
~
单½
V
V
V
mA
mW
℃
℃
+150
h
FE
规格
等级
标号
h
FE
K
K
50 - 250
LASERON MICRO ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
- 1 -
FC3355
NPN硅晶体管RF
电学特性 (T
A
=25℃)
参数
集电极基极击穿电压
集电极基极漏电流
发射极基极漏电流
直流增益
增益带½乘积
输出反馈电容
插入功率增益
噪声因子
符号
V
CBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
re
|S
21
|
2
NF
50
4.5
150
6
0.7
9.5
1.5
2.0
1.2
最小 典型 最大 单½
20
0.1
1.0
250
V
测试条件
I
C
=1.0uA
微安V
CB
=10V
微安V
EB
=1V
V
CE
= 6V ，我
C
=20mA
GHz的V
CE
=10V,I
C
=20mA,f=1GHz
pF的V
CE
=10V,I
E
=0mA,f=1MHz
分贝V
CE
=10V,I
C
=20mA,f=1GHz
分贝V
CE
=10V,I
C
=7mA,f=1GHz
封装½式
TO-92
管脚定义： 1 ：基极（基） 2 ：发射极（发射极） 3 ：集电极（珍藏）
符号
A
B
C
D
E
F
G
H
最小值（mm）最大值（mm）
4.33
4.33
14.0
0.36
2.54
1.27
0.92
3.40
1.12
3.60
4.83
4.83
15.0
0.56
LASERON MICRO ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
- 2 -
FC3355
NPN硅晶体管RF
典型特性曲线(T
A
=25℃)
LASERON MICRO ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
- 3 -
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    FC3355
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24+
27200
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全新原装现货，原厂代理。
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27000
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