【订购数量： EN3965FC150PNP / NPN外延平面硅晶体管复合低频通用放大器，驱动器应用特】,IC型号FC150,FC150 PDF资料,FC150经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： EN3965

FC150

PNP / NPN外延平面硅晶体管复合

低频通用放大器，

驱动器应用

特点

包含在用2个晶体管·复合型

目前使用的CP包，提高到安装

荷兰国际集团的效率大大。

·该FC150形成有两个芯片，是等价

借给2SA1813 / 2SC4413 ，放置在一个封装

年龄。

·采用FBET过程。

·高直流电流增益。

· Hgih V

EBO

电气连接

包装尺寸

单位：mm

2067

[FC150]

E1 ：发射器1

B1 ：基地1

C2 ：收藏家2

E2 ：发射器2

B2 ：基2

C1 ：收集1

TR1=PNP

TR2=NPN

三洋： CP6

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在Ta = 25℃

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

基极电流

集电极耗散

总功耗

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

TSTG

1个单位

条件

评级

(–30)60

(–25)50

(–)15

(–150)100

(–300)200

(–30)20

200

300

150

-55到+150

单位

电气特性

在Ta = 25℃

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

-E饱和电压

B -E饱和电压

C- B击穿电压

C- E击穿电压

E- B击穿电压

符号

ICBO

IEBO

的hFE

COB

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

CONDITONS

VCB = （ - 20V ）， 40V ， IE = 0

VEB = （ - ） 10V ， IC = 0

VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 1毫安

VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 10毫安

VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的

IC = （ - ） 50毫安， IB = （ - ） 1毫安

(–30)60

(–25)50

(–)15

(500)800

(210)200

(2.6)1.5

(–0.15)0.1

(–0.78)0.8

(–)0.3

(–)1.1

评级

民

典型值

最大

–0.1

(800)1500 (1200)3200

兆赫

单位

V（ BR ） CBO IC = （ - ） 10μA ， IE = 0

V（ BR ） CEO IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞

V（ BR ） EBO

IC = （ - ） 10μA ， IC = 0

注意：上面显示的规格为每个单独的晶体管。

（）： PNP型

标记： 150

三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

52098HA （ KT ） / 12094TH （ KOTO ） 8-7600 No.3965-1 / 4

FC150

No.3965-2/4

FC150

No.3965-3/4

FC150

没有描述或包含此产品旨在用于外科植入物，生命支持系统的使用，

航空航天设备，核电控制系统，车辆，灾难/犯罪预防设备和

等，其中的故障可能直接或间接地造成人身伤害，死亡或财产损失。

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子公司和分销商和所有官员和雇员共同及个别，反对任何

和所有索赔和诉讼以及与此类使用相关的所有损害赔偿，成本及费用：

不施加任何负有责任的任何疏忽或过失，可以在任何此类索赔或引用

诉讼上的SANYO ELECTRIC CO 。， LTD。，其分支机构，子公司和分销商或任何

他们的官员和雇员共同或个别。

本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不guarant-

EED量产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但不保证

就其使用或知识产权或其他权利的任何侵犯都提出或暗示的

第三方。

该目录规定的5月， 1998年规范和信息此处如有

更改，恕不另行通知。

PS No.3965-4 / 4

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