订购数量： EN3964
FC149
PNP外延平面硅晶体管复合
低频通用放大器，
驱动器应用
特点
包含在用2个晶体管·复合型
目前使用的CP包，提高到安装
荷兰国际集团的效率大大。
·该FC149形成有两个芯片，是等价
借给2SA1813 ，放置在一个包中。
·采用FBET过程。
·高直流电流增益（H
FE
= 500 1200） 。
·高V
EBO
(V
EBO
≥15V).
·卓越的热平衡和对能力。
电气连接
包装尺寸
单位：mm
2067A
[FC149]
1 ：发射器1
2 ：基地1
3 ：收藏家2
4 ：发射器2
5 ： 2基
6 ：收集1
三洋： CP6
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
PT
Tj
TSTG
1个单位
条件
评级
–30
–25
–15
–150
–300
–30
200
300
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
mW
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益比
增益带宽积
输出电容
-E饱和电压
B -E饱和电压
C- B击穿电压
C- E击穿电压
E- B击穿电压
符号
ICBO
IEBO
的hFE
的hFE （小/
大）
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VCB = -20V ， IE = 0
VEB = -10V ， IE = 0
VCE = -5V ， IC = -1mA
VCE = -5V ， IC = -1mA
VCE = -10V ， IC = 10毫安
VCB = -10V ， F = 1MHz的
IC = -50mA ， IB = -1mA
IC = -50mA ， IB = -1mA
–30
–25
–15
500
0.7
800
0.98
210
2.6
–0.15
–0.78
–0.3
–1.1
兆赫
pF
V
V
V
V
V
CONDITONS
评级
民
典型值
最大
–0.1
–0.1
1200
单位
A
A
V（ BR ） CBO IC = -10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = -1mA ， RBE = ∞
V（ BR ） EBO IE = -10μA ， IC = 0
注意：上面显示的规格为每个单独的晶体管。
标记： 149
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
52098HA （ KT ） / 53094TH （ KOTO ） 8-7599 No.3964-1 / 3
FC149
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