订购数量： EN3078
FC110
NPN外延平面硅晶体管复合
切换应用程序
特点
·内置偏置电阻（ R1 = 22KΩ ， R2 = 22KΩ ）
包含在用2个晶体管·复合型
目前使用的CP包，提高到安装
荷兰国际集团的效率大大。
·该FC110形成有两个芯片，是等价
借给2SC3396 ，放置在一个包中。
·卓越的热平衡和对能力。
包装尺寸
单位：mm
2067
[FC110]
电气连接
E1 ： Emitter1
B1 ： BASE1
C2 ： Collerctor2
E2 ： Emitter2
B2 ：和Base2
C1 ： Collector1
三洋： CP6
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
我CP
PC
PT
Tj
TSTG
1个单位
条件
评级
50
50
10
100
200
200
300
150
-55到+ 150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
mW
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
-E饱和电压
C- B击穿电压
C- E击穿电压
输入断态电压
输入通态电压
输入阻抗
电阻率
符号
ICBO
ICEO
IEBO
的hFE
fT
联合B
VCB = 40V ， IE = 0
VCE = 40V ， IB = 0
VEB = 5V ， IC = 0
VCE = 5V ， IC = 5毫安
VCE = 10V ， IC = 5毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
50
50
0.8
1.0
15
0.9
1.1
1.9
22
1.0
1.5
3.0
29
1.1
70
50
250
3.3
0.1
0.3
兆赫
pF
V
V
V
V
V
k
113
条件
评级
民
典型值
最大
0.1
0.5
160
单位
A
A
A
VCE （ sat）的IC = 10毫安。 IB = 0.5毫安
V（ BR ） CBO IC = 10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = 100μA ， RBE = ∞
六（关闭）
第六章（上）
R1
R1/R2
VCE = 5V ， IC = 100μA
VCE = 0.2V ， IC = 5毫安
注意：上面显示的规格为每个单独的晶体管。
标记： 110
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
52098HA （ KT ） / 4139MO ， TS No.3078-1 / 2
FC110
示例应用电路
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航空航天设备，核电控制系统，车辆，灾难/犯罪预防设备和
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