江苏长电科技股份有限公司
WBFBP - 06C塑封装二极管
FBAT54TW
表面贴装肖特基势垒二极管阵列
描述
硅外延平面
PN结保护环的肖特基二极管
1
特点
低正向压降
快速开关
应用
超高速开关，整流器
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
F BAT54TW
标记： KLA
最大额定值@T
A
=25℃
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均整流输出电流
功耗
结温
存储温度范围
WBFBP-06C
(2×2×0.5)
单位：mm
符号
V
RM
V
R
I
O
P
D
T
J
T
英镑
范围
30
100
150
125
-65-125
单位
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
反向击穿电压
反向电压
漏电流
符号
V
（ BR ）
I
R
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
30
2
240
320
400
500
1000
10
5
mV
最大
单位
V
条件
I
R
= 100
μ
A
V
R
=25V
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
u
A
前锋
电压
V
F
I
F
=10mA
I
F
=30mA
I
F
=100mA
总
电容
C
T
t
rr
V
R
=1V,f=1MHz
I
F
= 10毫安，我
R
=10mA~1mA
R
L
=100Ω
pF
nS
反向恢复时间
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WBFBP - 06C塑封装二极管
FBAT54TW
表面贴装肖特基势垒二极管阵列
描述
硅外延平面
PN结保护环的肖特基二极管
1
特点
低正向压降
快速开关
应用
超高速开关，整流器
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
F BAT54TW
标记： KLA
最大额定值@T
A
=25℃
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均整流输出电流
功耗
结温
存储温度范围
WBFBP-06C
(2×2×0.5)
单位：mm
符号
V
RM
V
R
I
O
P
D
T
J
T
英镑
范围
30
100
150
125
-65-125
单位
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
反向击穿电压
反向电压
漏电流
符号
V
（ BR ）
I
R
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
30
2
240
320
400
500
1000
10
5
mV
最大
单位
V
条件
I
R
= 100
μ
A
V
R
=25V
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
u
A
前锋
电压
V
F
I
F
=10mA
I
F
=30mA
I
F
=100mA
总
电容
C
T
t
rr
V
R
=1V,f=1MHz
I
F
= 10毫安，我
R
=10mA~1mA
R
L
=100Ω
pF
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