VS-FB190SA10
威世半导体
功率MOSFET ， 190
特点
完全隔离包装
极低的导通电阻
全额定雪崩
动态的dv / dt额定值
低漏电容的情况下，
SOT-227
低内部电感
优化SMPS应用
易于使用和并行
行业标准大纲
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
产品概述
V
DSS
I
D
DC
R
DS （ ON）
TYPE
包
100 V
190 A
0.0065
模块 - MOSFET
SOT-227
描述
高电流密度的功率MOSFET并联成
紧凑，高功率模块提供最佳
组合开关，坚固耐用的设计，非常低
导通电阻和成本效益。
分离的SOT- 227包被，优选为所有
商业工业应用的功率耗散
级别大于500 W的低热约更高
性，易连接SOT- 227封装
有助于其在整个普遍接受
业。
绝对最大额定值
参数
连续漏电流V
GS
10 V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结存储温度范围
绝缘耐压（ AC- RMS）
安装力矩
V
GS
E
AS （2）
I
AR（1）
E
AR（1）
dv / dt的
(3)
T
J
, T
英镑
V
ISO
M4螺钉
符号
I
D
I
DM
P
D
T
C
= 25 °C
测试条件
T
C
= 40 °C
T
C
= 100 °C
马克斯。
190
130
720
568
2.7
± 20
700
180
48
5.7
- 55至+ 150
2.5
1.3
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
kV
Nm
A
单位
笔记
(1)
重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
(2)
启动T = 25 ° C，L = 43 μH ， R = 25
,
I
J
g
AS
= 180 A.
(3)
I
SD
180 A ， di / dt的
83 A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
, T
J
150 °C.
文档编号： 93459
修订： 12 -APR- 11
如有技术问题，请联系：
indmodules@vishay.com
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威世半导体
功率MOSFET ， 190
热阻
参数
结到外壳
案件散热器，平，脂面
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
分钟。
-
-
典型值。
-
0.05
马克斯。
0.22
-
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
静态漏极至源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V，I
D
= 180 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= 25 V，I
D
= 180 A
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 20 V
V
GS
= - 20 V
I
D
= 180 A
V
DS
= 80 V
V
GS
= 10 V
V
DD
= 50 V
I
D
= 180 A
R
g
= 2.0 （内部）
R
D
= 0.27
铅，模具联络中心之间
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V
F = 1.0 MHz的
分钟。
100
-
-
2.0
93
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.093
0.0054
3.3
-
-
-
-
-
250
40
110
45
351
181
335
5.0
10 700
2800
1300
马克斯。
-
-
0.0065
4.35
-
50
500
200
- 200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
nH
ns
nC
单位
V
V /°C的
V
S
μA
门源正向漏
总栅极电荷
门源费
栅漏（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
nA
源极 - 漏极额定值和特性
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
测试条件
D
分钟。
-
-
S
典型值。
-
-
1.0
300
2.6
马克斯。
190
单位
MOSFET符号
显示积分
反向p-n结二极管。
A
G
740
1.3
-
-
V
ns
μC
T
J
= 25 ° C，I
S
= 180 A，V
GS
= 0 V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 180 A， di / dt的= 100 A / μs的
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+ L
D
)
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