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富士通半导体
数据表
DS07-10204-1E
谐振器
压电谐振器
(4至16兆赫)
FAR家庭(C4系列P / Q型)
对于汽车应用
s
描述
富士通谐振器C4的串联(P / Q型)设有单晶具有高电 - 机系数(铌酸锂
3
:
铌酸锂) ,结果是非常紧凑的包装。
C4系列(P / Q型)与微电脑时钟专用内置电容,该系列芯片是
输入装置,用于表面安装和适用于电机器件的应用,由于其高可靠性封装。
s
特点
宽的频率范围在4到16 MHz
适用于微型计算机时钟
PCT ( 121
°C,
2自动取款机, 96小时) ,保证了电机的应用。
浮雕类型的包进行自动安装
卓越的抗冲击和抗振动,在自动安装防止损坏
s
F
4.00
NMK
K
F
8.00N
A
FAR家庭(C4系列P / Q型)
s
标准特性
系列
参数
材料
频率
标准频率
初始频率偏差
温度特性
( -40 ° C至+ 105 ° C)
C4的串联(P / Q型)
铌酸锂(铌酸锂
3
)
4到16 MHz
查看“S标准频率。 ”
±0.5%
(M)
±
0.9
% (M)
1.0
±0.3%
(K)的版本也可以是
产生的。
参考温度: + 25°C
10 ± 4 pF的30 ± 8 pF的也可以。
容量由富士通指定,
考虑到相匹配的数据
应用IC(主要是微型计算机) 。
十年来,在室温下
Unsturated PCT : 121℃
2大气压的压力
备注
内置的电容器的容量
老化稳定性
工作温度
储存温度
标准测量电路
20 ± 8 pF的(标准)
±0.1%
96小时保证
-40 ° C至+ 105°C
-55 ° C至+ 105°C
共振频率
1 M
4兆赫至10兆赫
IC : MB84069B × 2
10兆赫至16.0兆赫
IC : MC74HC04 × 2
V
CC
: 5 V DC
R :谐振器
C
1
, C
2
:负载电容(内置)
R
C
1
C
2
FAR
串联谐振电阻
R
75
OSC
C
1
C
2
75
LM
R:谐振器
测量仪器:网络分析仪
2
FAR家庭(C4系列P / Q型)
s
标准频率
标准频率(KHz )
4,000
8,000
10,000
12,000
16,000
包装尺寸
P
谐振电阻
150
马克斯。
(代码: 01 )
75
马克斯。
(代码: 02 )
Q
注意事项:
富士通还可以开发除了标准的设备适用的装置,如果它的振荡频率是
从4到16兆赫。
零件谐振电阻比标准之外,富士通应指定其谐振电阻
根据施加的频率。 (请参阅“ 频率和标准的共振性。 ” )
频率和标准的共振阻力
频率
4.00至5.99兆赫
6.00至16.00兆赫
标准谐振电阻
150
最大。 (符号: 1 )
75
最大。 (符号: 2 )
s
使用注意事项
小心处理
在下列条件下焊接。
5秒最大。在230℃ (PCB)的
推荐的预热是150℃ ,以不极度热施加到谐振器一分钟。
避免气温的剧烈变化。
有在谐振器的安装没有具体的方向。
在振荡电路与单片机或其它IC使用时振荡数据应进行检查。
适用于回流焊,而不是流焊。
3
FAR家庭(C4系列P / Q型)
s
部分编号系统
FAR - C 4℃
(1) (2) (3)
(4)
(5) (6) (7) (8) (9)
(1)系列
系列
C4
( 2 )封装类型
规范
C
( 3 )包装尺寸
规范
P
Q
(4 )频率
(例)单位:kHz (指定在五位数。 )
频率
8.000兆赫
查看“S标准频率” 。
( 5 )初始频率偏差
规范
K
M
( 6 )内置电容器
规范
0
1
2
电容
20 ± 8 pF的
10 ± 4 pF的
30 ± 8 pF的
偏差
±0.3%
±0.5%
规范
08000
SIZE
大( 4.0 5.9兆赫)
小( 6.0 16.0兆赫)
TYPE
芯片
单晶
铌酸锂
3
电容储能
借助内置的电容储能
4
FAR家庭(C4系列P / Q型)
( 7 )谐振电阻
规范
1
2
( 8 )特定于用户的特殊符号
规范
名字
A到Z
( 9 )卷带规格
规范
R
描述
16毫米宽压纹带( 3000个)
描述
不规范,不规范的录音
不规范,有规范的录音
序列号为定制设计
谐振电阻
150
75
5
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