FAN7710 - 镇流器控制IC，适用于紧凑型荧光灯
2007年6月
FAN7710
镇流器控制IC，适用于紧凑型荧光灯
特点
集成的半桥MOSFET
浮动通道引导。高达+ 550V
低启动和工作电流： 120μA ， 2.6毫安
欠压锁定与迟滞的1.8V
可调节运行频率和预热时间
内部有源ZVS控制
内部保护功能（无灯）
内部钳位齐纳二极管
高精度振荡器
软启动功能
描述
该FAN7710 ，开发利用飞兆半导体独特的高
电压的过程和系统级封装（SiP ）的概念，是
一个镇流器控制集成电路（IC ），用于一个紧凑
型荧光灯（CFL ） 。 FAN7710的内部控制
高电压应力，并提供20W的灯，在
310V
DC
电压。 FAN7710采用了预热/
点火功能，通过控制一个用户选择的外部
电容，以提高灯泡的使用寿命。该FAN7710检测
从后点火方式通过切换操作
内部有源零电压开关（ ZVS ）控制
电路。这种控制方案使得FAN7710到
检测的开放式灯状态，而不牺牲
外部电路，并防止对MOSFET的应力。该
内置在FAN7710的高侧驱动器具有一个共
模噪声消除电路，提供了强大的
对操作高的dv / dt噪声侵扰。
8-DIP
应用
紧凑型荧光灯镇流器
订购信息
产品型号
FAN7710N
包
8-DIP
无铅
是的
工作温度范围
-25°C ~ 125°C
包装方法
管
2007仙童半导体公司
FAN7710版本1.0.2
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FAN7710 - 镇流器控制IC，适用于紧凑型荧光灯
典型应用图
*请参考第16页的BOM和设计指南。
图1.典型应用电路紧凑型荧光灯
内部框图
V
DD
1
10V REG
15V分流
调节器
V
DD
SENSE
V
DC
高侧驱动器
V
B
UVLO
8
7 V
B
参考
IPH
=0.6*IRT
BIAS & LATCH系统
BGR
CPH
3V 5V
UVLO
UVLO
SDH
R
S
BIAS
TSD
SYSHALT
Q
Q
短脉冲
发电机
SDL
SET
噪音
消除
S
R
V
S
Q
Q
4V
IRT
IPH
IPH *
IRT
RT
2
预热
控制
CPH<3V
是的
2A
12A
No
CPH
0A
6 OUT
低侧栅极驱动器
延迟
死区时间
控制
振荡器
RESET
IPH *
V
DDH
/V
DD
LSH
V
DDH
/V
DD
LSH
SDL
SDH
5 PGND
CPH
3
SDL
5V/3V
S
SDH
R
Q
Q
RESET
SYSHALT
自适应
零电压开关控制器
过渡
传感
自适应ZVS使能逻辑
4
SGND
FAN7710 1.00版
图2.功能框图
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引脚配置
V
DC
8
V
B
7
OUT
6
保护地
5
FAN7710
YWW
（ YWW ：工作周典）
1
V
DD
2
RT
3
CPH
4
SGND
FAN7710 1.00版
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
V
DD
RT
CPH
SGND
保护地
OUT
V
B
V
DC
电源电压
振荡器频率设置电阻
预热时间设定电容器
信号地
电源地
高侧浮动电源返回
高侧浮动电源
高压电源
描述
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绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。在
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。牛逼
A
= 25°C除非另有规定。
符号
V
B
V
OUT
V
IN
I
CL
dV
OUT
/ DT
T
A
T
英镑
P
D
θ
JA
注意：
高侧浮动电源
参数
高侧浮动电源返回
RT ， CPH引脚输入电压
钳位电流等级
允许偏移电压摆率
工作温度范围
存储温度范围
功耗
热阻（结到空气）
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-0.3
-0.3
-0.3
50
-25
-65
2.1
70
125
150
575
550
8
25
V
V
V
mA
V / ns的
°C
°C
W
° C / W
1.不要提供一个低阻抗电压源与GND和V之间的内部钳位齐纳二极管
DD
该引脚器件。
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电气特性
V
BIAS
(V
DD
, V
B
-V
OUT
） = 14.0V ，T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
符号
V
DC
参数
高电压电源电压
条件
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
550
V
13.4
11.6
1.8
15.2
120
2.6
8.5
7.9
9.2
8.6
0.6
50
250
μA
10.0
9.5
V
μA
mA
14.4
12.4
V
高压供电部分
低端供应科（V
DD
)
V
DDTH （ ST + ）
V
DD
UVLO正向阈值
V
DDTH （ ST- ）
V
DD
UVLO负门槛
V
DDHY （ST）的
V
CL
I
ST
I
DD
V
DD
- 侧UVLO迟滞
供应钳位电压
启动电源电流
动态工作电源电流
I
DD
=20mA
V
DD
= 10V
运行频率，C
L
= 1nF的
14.8
V
DD
增加
V
DD
减少
12.4
10.8
高端电源的第（V
B
-V
OUT
)
V
HSTH （ ST + ）
高端UVLO正向阈值V
B
-V
OUT
增加
V
HSTH （ ST- ）
高端UVLO负向阈值V
B
-V
OUT
减少
V
HSHY （ST）的
I
HST
I
HD
高端UVLO迟滞
高端静态电源电流
高端动态工作电源
当前
CPH脚预热电压范围
CPH引脚充电电流在
预热
CPH引脚充电电流在点火
CPH引脚电平在运行模式
预热频率
运行频率
最大死区时间
最小死区时间
RT = 80kΩ ，V
CPH
= 2V
RT = 80kΩ
V
CPH
= 1V, V
OUT
在= GND
预热模式
V
CPH
= 6V, V
OUT
在= GND
运行模式
2.6
250
165
V
DS
= 500V
V
GS
= 12V，我
D
= 100毫安
V
GS
= 12V，我
D
= 500毫安
V
GS
= 12V, V
DS
= 30V
800
6.2
6.5
10
450
72
48.7
V
CPH
= 1V
V
CPH
= 4V
V
B
-V
OUT
= 14V
运行频率，C
L
= 1nF的
振荡器部分
V
MPH
I
PH
I
IG
V
MO
f
PRE
f
OSC
DT
最大
DT
民
2.5
1.25
8
3.0
2.00
12
7.0
85
53.0
3.1
1.0
98
57.3
3.5
2.85
16
V
千赫
千赫
μs
μs
V
μA
保护科
V
CPHSD
I
SD
TSD
I
LKMOS
R
ON
I
SAT
关断电压
关断电流
热关断
(2)
MOSFET的漏电流
导通电阻（动态）
饱和电流
(2)
V
RT
= 0在运行模式
V
μA
°C
μA
Ω
mA
MOSFET部分
注意：
2.该参数，虽然保证的，也不是100 ％在生产测试。
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