FAN7085_F085高边栅极驱动器与充电FET
2009年3月
FAN7085_F085
特点
符合AEC Q100
高边栅极驱动器与充电FET
描述
该FAN7085_F085是一个高侧栅极驱动IC与复位
输入和内置充电FET 。它是专为高电压
和MOSFET或IGBT的高速行驶，经营起来
到300V 。飞兆半导体的高压工艺和共模
噪音消除技术，在提供稳定运行
在高的dV / dt噪声环境下的高边驱动器。逻辑
输入与标准CMOS输出兼容。在UVLO税务局局长
从故障cuits防止在VCC和VBS较低
比指定的阈值电压。它是可用空间
节能SOIC - 8封装。最低源和吸收电流
输出驱动器的能力为250mA和250毫安。内建的
充电FET刷新自举电路是电路非常有用的
拓扑结构，要求对负荷低和高侧开关。
浮动通道设计为引导操作完全能操作
憩高达300V 。
宽容负瞬态voltageon VS引脚
dv / dt的免疫。
栅极驱动电压范围为4.5V至20V
欠压锁定
CMOS施密特触发与下拉和上拉输入
高侧输出的相位与输入端（反相输入端）
RESET输入
内置充电FET的引导刷新
SOIC-8
典型应用
柴油和汽油喷射器/阀门
MOSFET ， IGBT和高压侧驱动器应用
订购信息
设备
FAN7085CM
FAN7085CMX
X： &带卷式
包
SOIC-8
SOIC-8
操作
温度。
-40
°C
~ 125
°C
-40
°C
~ 125
°C
2008飞兆半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FAN7085_F085版本1.0.3
FAN7085_F085高边栅极驱动器与充电FET
方框图
VB
下
电压复位
VB到VS
脉冲滤波器
拖鞋
前刹车
使
HO
VS
VCC
欠压
复位VCC和GND
复位 -
IN-
GND
逻辑
脉冲
滤波器
电平转换器
ON
延迟
电平转换器
关闭
引脚分配
1
2
3
4
VCC
IN-
GND
VB
HO
NC
8
7
6
5
复位 - VS
引脚德网络nitions
松号码
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
VCC
IN-
GND
复位 -
VS
NC
HO
VB
I / O
P
I
P
I
P
-
A
P
引脚功能说明
驱动器的电源电压，通常为5V
驱动控制信号输入（负逻辑）
地
驱动使能输入信号（负逻辑）
高侧浮动偏置MOSFET的源极连接
无连接（无键合线）
为MOSFET栅极连接高侧驱动输出
驱动器输出级电源
2
FAN7085_F085版本1.0.3
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充值路径
FAN7085_F085高边栅极驱动器与充电FET
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数abso-
琵琶电压参考GND 。
参数
高侧浮动电源电压
高边驱动器输出级电压
NEG 。瞬时： 0.5毫秒，外部MOSFET关
符号
V
BS
V
B
Vs
V
H 2 O
V
C C
V
IN
V
水库
Pd
1)
分钟。
-0.3
-5
-25
VS-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
马克斯。
25
325
300
VB+0.3
25
Vcc+0.3
Vcc+0.3
0.625
200
单位
V
V
V
V
V
V
V
W
° C / W
V
V
高侧浮动电源偏置电压
NEG 。 0.2瞬态美国
高侧浮动输出电压
电源电压
输入电压为IN-
输入电压为复位 -
功耗
1)
热阻，结到环境
静电放电电压
（人体模型）
充电器型号
结温
储存温度
RthJA
V
ESD
V
清洁发展机制
Tj
T
S
-55
1.5K
500
150
150
°C
°C
注：1）热电阻和额定功耗测量波纹管的条件;
JESD51-2 ：集成电路热测试方法环境条件 - 自然条件（ StillAir ）
JESD51-3 ：低有效导热系数测试板引线表面贴装封装
推荐工作条件
对于正确的操作设备应钽在推荐conditions. - 40℃ < =使用
＆ LT ; =
1 2 5
°C
参数
高侧浮动电源电压（直流）
瞬态： -10V @ 0.2我们
符号
V
B
V
S
V
S
V
H 2 O
1)
分钟。
VS+4.5
-3
-25
Vs
-
4.5
0
0
马克斯。
VS+20
300
300
VB
50
20
VCC
VCC
200K
单位
V
V
V
V
V / ns的
V
V
V
Hz
ns
ns
V
°C
高侧浮动电源偏置电压（DC）的
@VBS=7V
高侧浮动电源偏置电压（瞬态）
0.2us @ VBS<25V
高侧浮动输出电压
允许偏移电压摆率
电源电压逻辑的一部分
输入电压为IN-
输入电压为复位 -
开关
频率
2)
宽度
3)
3)
dv / dt的
V
CC
V
I N
V
- [R （E S） （E T）
Fs
t
中（低，分）
t
中（高，分）
V
B
（分钟）
T
a
4)
最小的低输入
1000
60
4
-40
-
-
-
125
最小高输入宽度
VB的最低工作电压与GND
环境温度
注： 1 ）设计保证。
2 ）占空比= 0.5 ， VBS > = 7V
3 ）通过设计保证。脉冲宽度低于指定值，可以被忽略。输出要么跟随输入信号或会忽略它。
不存在任何虚假输出状态保证在最小输入宽度比小锡
4 ）通过设计保证
3
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FAN7085_F085高边栅极驱动器与充电FET
静电气特性
除非另有规定，在-40 ℃下< =钽
< = 125
°C,
V
C C
= 5V, V
BS
= 7V, V
S
= 0V, V
RESET
= 5V ，R
L
= 50, C
L
= 2.5nF 。
参数
VCC和VBS电源特性
V
CC
和V
BS
电源欠压
正向阈值
V
CC
和V
BS
电源欠压
负门槛
V
CC
和V
B·S
欠压滞后
欠压锁定响应时间
偏置电源漏电流
VCC静态电源电流
VBS静态电源电流
VBS静态电源电流
VBS下降，由于输出导通
（设计保证）
输入特性
高逻辑电平输入电压IN-
低逻辑电平输入电压IN-
低逻辑电平输入偏置电流IN-
高逻辑电平输入偏置电流IN-
在全面反抗
高逻辑电平输入电压复位 -
低逻辑电平输入电压复位 -
高逻辑电平输入电流复位 -
低逻辑电平输入偏置电流复位 -
在复位 - 全下拉电阻
输出特性
高电平输出电压V
B
- VHO
低电平输出电压， VHO -GND
峰值输出电流源
峰值输出灌电流
等效输出电阻
符号
V
CCUV +
V
BSUV +
V
C C U V
-
V
B·S U V -
V
CCUVH
V
BSUVH
tduvcc
tduvbs
I
LK
I
Q C C
I
QBS1
I
QBS2
V
BS
条件
V
cc
和V
BS
从0V上升
V
cc
和V从5V下降
BS
-
VCC ： 6.5V - >2.4V或2.4V - >6.5V
VBS ： 6.5V - >2.4V或2.4V - >6.5V
VB=VS=300V
V
cc
=20V
静态模式下，
V
BS
=7V, V
IN
= 0或5V
静态模式下，
V
BS
=16V, V
IN
= 0或5V
V
BS
= 7V ， CBS = 1uF的， TD
IG -IN
=3uS,
t
T E S T
=100uS
分钟。
-
2.8
0.02
0.5
0.5
-
-
典型值。
3.7
3.4
0.3
马克斯。
4.3
-
-
20
20
单位
V
V
V
us
us
uA
uA
uA
uA
mV
-
-
200
500
100
200
210
V
IH
V
IL
I
IN-
I
IN +
R
IN
V
RH
V
R L
I
- [R （E S） +
I
- [R （E S） -
R
- [R （E S）
V
- [R （E S） （E T）
=5V
V
- [R （E S） （E T）
=0
V
IN
=0
V
IN
=5V
0.6V
C C
-
5
-
83
0.6Vcc
-
-
25
-
200
-
-
0.28V
C C
60
5
1000
-
0.28Vcc
V
V
uA
uA
Κ
V
V
uA
uA
Κ
5
25
60
5
83
200
1000
V
V
OL
I
O +
I
O-
R
OP
R
0：N
I
O
=0
I
O
=0
V
IN
=5V
V
IN
=0
-
-
250
250
-
-
450
450
15.5
15.5
0.1
0.1
-
-
28
28
V
V
mA
mA
地下水补给特征
充值TR导通传播延迟
充值TR关断传播延迟
充值TR通态压降
死区时间特性
高侧截止充电栅极导
充值栅极关断高边导通
D
THOFF
D
吞
V
cc
=5V, V
S
=7V
V
cc
=5V, V
S
=7V
4
0.1
7.8
0.4
9.8
0.7
us
us
T
on_rech
T
off_rech
V
建华
是= 1mA时， VIN = 5V @ 125C
4
7.9
0.2
9.8
0.4
1.2
us
us
V
注意：输入参数都参考GND 。在VO和IO参数都参考GND 。
4
FAN7085_F085版本1.0.3
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FAN7085_F085高边栅极驱动器与充电FET
动态电气特性
除非另有规定，在-40 ℃下< =钽
< = 125
°C,
V
C C
= 5V, V
BS
= 7V, V
S
= 0V, V
RESET
= 5V ，R
L
= 50, C
L
= 2.5nF 。
参数
输入到输出的导通传播延迟
输入 - 输出关断传播延迟
复位到输出关断传播延迟
复位到输出的导通传播延迟
输出上升时间
符号
t
PLH
t
PHL
t
phl_res
t
plh_res
tr1
tr2
tr3
tr4
条件
50％的输入电平，以10 ％的输出电平，
V
S
= 0V
50％的输入电平，以90 ％的输出电平
V
S
= 0V
50％的输入电平，以90 ％的输出电平
50％的输入电平，以10 ％的输出电平
Tj=25°C
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
0.56
-
-
-
-
0.15
0.17
0.56
65
-
1
0.5
0.5
1
200
400
200
400
200
300
200
300
us
us
us
us
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Tj=25°C,V
BS
=16V
V
BS
=16V
Tj=25°C
-
65
-
25
-
输出下降时间
tf1
tf2
tf3
tf4
Tj=25°C,V
BS
=16V
V
BS
=16V
25
-
5
FAN7085_F085版本1.0.3
www.fairchildsemi.com
FAN7085_GF085高边栅极驱动器与充电FET
2009年11月
高边栅极驱动器与充电FET
特点
符合AEC Q100
浮动通道设计为引导操作完全能操作
憩高达300V 。
耐VS引脚上的负瞬态电压
dv / dt的免疫。
栅极驱动电压范围为4.5V至20V
欠压锁定
CMOS施密特触发与下拉和上拉输入
高侧输出的相位与输入端（反相输入端）
RESET输入
内置充电FET的引导刷新
FAN7085_GF085
描述
该FAN7085_GF085是一个高侧栅极驱动IC与复位
输入和内置充电FET 。它是专为高电压
和MOSFET或IGBT的高速行驶，经营起来
到300V 。飞兆半导体的高压工艺和共模
噪音消除技术，在提供稳定运行
在高的dV / dt噪声环境下的高边驱动器。逻辑
输入与标准CMOS输出兼容。在UVLO税务局局长
从故障cuits防止在VCC和VBS较低
比指定的阈值电压。它是可用空间
节能SOIC - 8封装。最低源和吸收电流
输出驱动器的能力为250mA和250毫安。内建的
充电FET刷新自举电路是电路非常有用的
拓扑结构，要求对负荷低和高侧开关。
SOIC-8
典型应用
柴油和汽油喷射器/阀门
MOSFET ， IGBT和高压侧驱动器应用
对于“绿色”生态地位飞兆半导体的定义，请访问：
http://www.fairchildsemi.com/company/green/rohs_green.html
订购信息
设备
FAN7085M
FAN7085MX
X： &带卷式
包
SOIC-8
SOIC-8
操作
温度。
-40
°C
~ 125
°C
-40
°C
~ 125
°C
2009仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FAN7085_GF085版本1.0.0
FAN7085_GF085高边栅极驱动器与充电FET
方框图
VB
下
电压复位
VB到VS
脉冲滤波器
拖鞋
前刹车
使
HO
VS
充值路径
www.fairchildsemi.com
VCC
欠压
复位VCC和GND
复位 -
IN-
GND
逻辑
脉冲
滤波器
电平转换器
ON
延迟
电平转换器
关闭
引脚分配
1
2
VCC
IN-
VB
HO
NC
8
7
6
5
3
4
GND
复位 - VS
引脚德网络nitions
松号码
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
VCC
IN-
GND
复位 -
VS
NC
HO
VB
I / O
P
I
P
I
P
-
A
P
引脚功能说明
驱动器的电源电压，通常为5V
驱动控制信号输入（负逻辑）
地
驱动使能输入信号（负逻辑）
高侧浮动偏置MOSFET的源极连接
无连接（无键合线）
为MOSFET栅极连接高侧驱动输出
驱动器输出级电源
2
FAN7085_GF085版本1.0.0
FAN7085_GF085高边栅极驱动器与充电FET
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数abso-
琵琶电压参考GND 。
参数
高侧浮动电源电压
高边驱动器输出级电压
NEG 。瞬时： 0.5毫秒，外部MOSFET关
符号
V
BS
V
B
Vs
V
HO
V
CC
V
IN
V
水库
Pd
1)
分钟。
-0.3
-5
-25
VS-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
马克斯。
25
325
300
VB+0.3
25
Vcc+0.3
Vcc+0.3
0.625
200
单位
V
V
V
V
V
V
V
W
° C / W
V
V
高侧浮动电源偏置电压
NEG 。 0.2瞬态美国
高侧浮动输出电压
电源电压
输入电压为IN-
输入电压为复位 -
功耗
1)
热阻，结到环境
静电放电电压
（人体模型）
充电器型号
结温
储存温度
RthJA
V
ESD
V
清洁发展机制
Tj
T
S
-55
1.5K
500
150
150
°C
°C
注：1）热电阻和额定功耗测量波纹管的条件;
JESD51-2 ：集成电路热测试方法环境条件 - 自然条件（ StillAir ）
JESD51-3 ：低有效导热系数测试板引线表面贴装封装
推荐工作条件
对于正确的操作设备应钽在推荐conditions. - 40℃ < =使用
< = 125
°C
参数
高侧浮动电源电压（直流）
瞬态： -10V @ 0.2我们
符号
V
B
V
S
V
S
V
HO
dv / dt的
V
CC
V
IN
V
RESET
Fs
t
中（低，分）
t
中（高，分）
V
B
(MIN)4)
T
a
分钟。
VS+4.5
-3
-25
Vs
-
4.5
0
0
马克斯。
VS+20
300
300
VB
50
20
VCC
VCC
200K
单位
V
V
V
V
V / ns的
V
V
V
Hz
ns
ns
V
°C
高侧浮动电源偏置电压（DC）的
@VBS=7V
高侧浮动电源偏置电压（瞬态）
0.2us @ VBS<25V
高侧浮动输出电压
允许偏移电压摆率
1)
电源电压逻辑的一部分
输入电压为IN-
输入电压为复位 -
开关频率
2)
最小的低输入宽度
3)
最小高输入宽度
3)
VB的最低工作电压与GND
环境温度
注： 1 ）设计保证。
2 ）占空比= 0.5 ， VBS > = 7V
1000
60
4
-40
-
-
-
125
3 ）通过设计保证。脉冲宽度低于指定值，可以被忽略。输出要么跟随输入信号或会忽略它。
不存在任何虚假输出状态保证在最小输入宽度比小锡
4 ）通过设计保证
3
FAN7085_GF085版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FAN7085_GF085高边栅极驱动器与充电FET
静电气特性
除非另有规定，在-40 ℃下< =钽
< = 125
° C，V
CC
= 5V, V
BS
= 7V, V
S
= 0V, V
RESET
= 5V ，R
L
= 50Ω, C
L
= 2.5nF 。
参数
VCC和VBS电源特性
V
CC
和V
BS
电源欠压
正向阈值
V
CC
和V
BS
电源欠压
负门槛
V
CC
和V
BS
欠压滞后
欠压锁定响应时间
偏置电源漏电流
VCC静态电源电流
VBS静态电源电流
VBS静态电源电流
VBS下降，由于输出导通
（设计保证）
输入特性
高逻辑电平输入电压IN-
低逻辑电平输入电压IN-
低逻辑电平输入偏置电流IN-
高逻辑电平输入偏置电流IN-
在全面反抗
高逻辑电平输入电压复位 -
低逻辑电平输入电压复位 -
高逻辑电平输入电流复位 -
低逻辑电平输入偏置电流复位 -
在复位 - 全下拉电阻
输出特性
高电平输出电压V
B
- VHO
低电平输出电压， VHO -GND
峰值输出电流源
峰值输出灌电流
等效输出电阻
符号
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV
-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
tduvcc
tduvbs
I
LK
I
QCC
I
QBS1
I
QBS2
ΔV
BS
条件
V
cc
和V
BS
从0V上升
V
cc
和V
BS
从5V下降
-
VCC ： 6.5V - >2.4V或2.4V - >6.5V
VBS ： 6.5V - >2.4V或2.4V - >6.5V
VB=VS=300V
V
cc
=20V
静态模式下，
V
BS
=7V, V
IN
= 0或5V
静态模式下，
V
BS
=16V, V
IN
= 0或5V
V
BS
= 7V ， CBS = 1uF的， TD
IG -IN
=3uS,
t
TEST
=100uS
分钟。
-
2.8
0.02
0.5
0.5
-
-
典型值。
3.7
3.4
0.3
马克斯。
4.3
-
-
20
20
单位
V
V
V
us
us
uA
uA
uA
uA
mV
-
-
200
500
100
200
210
V
IH
V
IL
I
IN-
I
IN +
R
IN
V
RH
V
RL
I
RES +
I
RES-
R
水库
V
RESET
=5V
V
RESET
=0
V
IN
=0
V
IN
=5V
0.6V
CC
-
5
-
83
0.6Vcc
-
-
25
-
200
-
-
0.28V
CC
60
5
1000
-
0.28Vcc
V
V
uA
uA
ΚΩ
V
V
uA
uA
ΚΩ
5
25
60
5
83
200
1000
V
OH
V
OL
I
O+
I
O-
R
OP
R
ON
I
O
=0
I
O
=0
V
IN
=5V
V
IN
=0
-
-
250
250
-
-
450
450
15.5
15.5
0.1
0.1
-
-
28
28
V
V
mA
mA
Ω
Ω
地下水补给特征
充值TR导通传播延迟
充值TR关断传播延迟
充值TR通态压降
死区时间特性
高侧截止充电栅极导
充值栅极关断高边导通
D
THOFF
D
吞
V
cc
=5V, V
S
=7V
V
cc
=5V, V
S
=7V
4
0.1
7.8
0.4
9.8
0.7
us
us
T
on_rech
T
off_rech
V
RECH
是= 1mA时， VIN = 5V @ 125C
4
7.9
0.2
9.8
0.4
1.2
us
us
V
注意：输入参数都参考GND 。在VO和IO参数都参考GND 。
4
FAN7085_GF085版本1.0.0
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FAN7085_GF085高边栅极驱动器与充电FET
动态电气特性
除非另有规定，在-40 ℃下< =钽
< = 125
° C，V
CC
= 5V, V
BS
= 7V, V
S
= 0V, V
RESET
= 5V ，R
L
= 50Ω, C
L
= 2.5nF 。
参数
输入到输出的导通传播延迟
输入 - 输出关断传播延迟
复位到输出关断传播延迟
复位到输出的导通传播延迟
输出上升时间
符号
t
PLH
t
PHL
t
phl_res
t
plh_res
tr1
tr2
tr3
tr4
条件
50％的输入电平，以10 ％的输出电平，
V
S
= 0V
50％的输入电平，以90 ％的输出电平
V
S
= 0V
50％的输入电平，以90 ％的输出电平
50％的输入电平，以10 ％的输出电平
Tj=25°C
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
0.56
-
-
-
-
0.15
0.17
0.56
65
-
1
0.5
0.5
1
200
400
200
400
200
300
200
300
us
us
us
us
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Tj=25°C,V
BS
=16V
V
BS
=16V
Tj=25°C
-
65
-
25
-
输出下降时间
tf1
tf2
tf3
tf4
Tj=25°C,V
BS
=16V
V
BS
=16V
25
-
5
FAN7085_GF085版本1.0.0
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