产品speci fi cation
FAN6555
绝对最大额定值
绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。绝对最大
收视率压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
参数
PV
DD
在任何其他引脚电压
平均开关电流（I
AVG
)
结温
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
热阻（
θ
JA
)
输出电流源或接收器（峰值）
分钟。
GND - 0.3
马克斯。
4.5
V
IN
+ 0.3
2.0
150
150
300
30
3.0
单位
V
V
A
°C
°C
°C
° C / W
A
-65
工作条件
参数
温度范围
PV
DD
工作范围
V
CCQ
工作范围
分钟。
-40
2.0
1.4
马克斯。
+85
4.0
4.0
单位
°C
V
V
电气特性
除非另有规定ED ， AV
CC
= V
DD
？ PV
DD
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
=工作温度范围（注1 ）
符号
参数
开关稳压器
V
TT
输出电压V
TT
（参见图1）
条件
I
OUT
= 0,
V
REF
=打开
注2
I
OUT
= ±2A,
V
REF
=打开
T
A
= 25°C
注2
VREF
OUT
内部电阻分压器
I
OUT
= 0
注2
注2
分钟。
V
CCQ
= 2.3V 1.12
V
CCQ
= 2.5V 1.22
V
CCQ
= 2.7V 1.32
V
CCQ
= 2.3V 1.09
V
CCQ
= 2.5V 1.19
V
CCQ
= 2.7V 1.28
典型值。
1.15
1.25
1.35
1.15
1.25
1.35
MAX 。单位
1.18
1.28
1.38
1.21
1.31
1.42
V
V
V
V
V
V
V
V
V
k
千赫
mV
A
mA
mA
mA
mA
A
mA
Z
IN
V
OFFSET
供应
I
Q
V
REF
参考引脚输入
阻抗
开关频率
偏置电压V
TT
= VREF
OUT
静态电流
V
CCQ
= 2.3V 1.139 1.15 1.162
V
CCQ
= 2.5V 1.238 1.25 1.263
V
CCQ
= 2.7V 1.337 1.35 1.364
V
CCQ
= 0
100
650
AV
CC
= 2.5V空载V
CCQ
= 2.5
I
OUT
= 0 ，无负载
V
CCQ
= 2.5V
I
VCCQ
I
AVCC
I
AVCC
SD
I
VDD
I
VDD
SD
I
PVDD
–20
6
0.5
0.2
0.25
0.2
100
3
20
10
1.0
0.5
1.0
1.0
250
卜FF器
I
REF
输出电流能力
笔记
1.限制由100 ％的测试，取样，或相关性最差情况下的测试条件保证。
2. AV
CC
， PV
DD
= 3.3V ±10%
REV 。 1.1.2 02年1月9日
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FAN6555
产品speci fi cation
功能说明
该FAN6555集成了两个功率MOSFET ，可以
用于提供和吸收电流2A ，同时保持
严格的电压调节。使用外部反馈，在
输出可在3 ％以下来调节好，这取决于
外部元件选择。独立的电源
输入已添加到适应与应用
各种电源的数据总线和电源总线。
VREF输入和输出
在VREF
IN
输入可以被用于强制在一个电压
输出（输入部分，上文） 。在VREF
OUT
销是一个
输出引脚由一个小的输出缓冲器驱动，以提供
在V
REF
信号到系统中的其他设备。输出
缓冲器可驱动多个输出负载。输出
缓冲区可处理3毫安。
其他电源电压
有几个输入端提供电源电压： PV
DD1
,
PV
DD2
， AV
CC
和V
DD
.
光伏
DD1
和PV
DD2
提供电源给
功率MOSFET。 V
DD
提供的电压供给到所述
数字部分，而AV
CC
提供电压的
模拟部分。再次，请参阅该应用程序部分
建议。
输出
输出电压引脚（V
L1
, V
L2
）被绑定到数据总线，
通过外部电感器地址，或时钟线。见
为您推荐的应用部分。输出电压
通过在V确定
CCQ
或者VREF
IN
输入。
输入
输入电压引脚（V
CCQ
或者VREF
IN
）确定
输出电压（V
L1
或V
L2
） 。在默认模式中，其中
在VREF
IN
销是浮动时，输出电压在50％的
V
CCQ
输入。 V
CCQ
可以是参考电压为
数据总线。
输出电压也可通过强制电压在选择
在VREF
IN
引脚。在这种情况下，输出电压跟随
处的电压VREF
IN
输入。简单的电压分压器可
在这种情况下，用于产生多种输出电压的
0.7V和V之间
DD
–0.7V.
反馈输入
在V
FB
引脚是输入可用于闭环
补偿。该输入从电压输出导出。
看到推荐应用区。
2.5V至4V
R2 100
R1 100
C9 0.1μF
C8 0.1μF
R3
100k
U1
FAN6555
TPI
1
2
VTT
C1
820F
F2V
OS- CON
TO的SDRAM
L1 3.3μH C3 0.1μF
3
4
C2
0.1F
C4 0.1μF
5
6
7
8
VDD
PVDD1
VL1
PGND1
PGND2
VL2
PVDD2
DGND
AVCC
VCCQ
VREFOUT
AGND
SHDN
VREFIN
VFB
VDD
16
15
14
13
12
11
10
9
SHDN
VREFIN
VCCQ
VREFOUT
C5
470F
R4 100kΩ的
C7 1nF的
GND
R5为1kΩ
GND
图1 。
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REV 。 1.1.2 02年1月9日
产品speci fi cation
FAN6555
应用
使用FAN6555的DDR总线终端
图1中的电路示意图，示出一个推荐的
构建一个总线终端解决方案的方法
DDR总线。该电路可以在PC机内存和Graph-使用
如示于图3和4说明的IC存储器的应用程序
该FAN6555可提供基准电压（V
REF
)
和终止电压（V
TT
） 。使用布局
如图5 ，图6和7中，并测量在V
TT
使用的测试装置的性能，在图8中描述的，
该FAN6555提供一个V
TT
± 20mV的为1A至2A的负载
（参见图9） 。表1提供了推荐的备件清单。
为FAN6555的备用应用电路示于
图2的外部元件的数量减少
相比，电路在图1中这是通过
有一个替代四个0.1μF的旁路电容，低ESR ，
10μF的陶瓷电容放在旁边U1 。两个100Ω
电阻也被淘汰。价值高，表面贴装
MLC电容无法获得时，原来的应用程序
阳离子电路（图1 ）的开发。这两个应用程序
电路提供相同的电气性能，但电路
在图2中示出了一个减少元器件用材料。表2
显示了推荐的部件列表的图2的电路。
对于其他巴士总线终端解决方案
表3提供了各种总线终端V摘要
REF
＆放大器; V
TT
要求。在FAN6555可用于那些
应用程序。
2.5V至4V
C5
470F
U1
FAN6555
1
C3 10μF
VTT
C1
820F
F2V
OS- CON
TO的SDRAM
L1 3.3μH
2
3
4
C2
0.1F
5
6
7
8
VDD
PVDD1
VL1
PGND1
PGND2
VL2
PVDD2
DGND
AVCC
VCCQ
VREFOUT
AGND
SHDN
VREFIN
VFB
VDD
16
15
14
13
12
11
10
9
R3
100k
VCCQ
VREFOUT
SHDN
VREFIN
R1 100KΩ
C4 1nF的
GND
R2为1kΩ
GND
图2.交替应用电路
REV 。 1.1.2 02年1月9日
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