FAN6204 - 同步整流控制器和反激续流正向整改
2010年11月
FAN6204
同步整流控制器，用于反激
转发续流整流
特点
SR控制器
适用于反激变换器的QR ， DCM和
CCM操作
适用于正向续流整流
对于更低的空载功耗内部绿色模式
消费和更高的轻载效率
PWM频率跟踪与二次侧
绕组电压检测
超低V
DD
工作电压为各种输出
应用电压（ 5V 24V ）
超低绿色模式工作电流：
1.1毫安典型
V
DD
引脚过压保护（ OVP ）
12V （典型）栅极驱动钳
8引脚SOP封装
描述
FAN6204是二次侧同步整流
（SR）的控制器来驱动的SR MOSFET的用于改善
效率。该集成电路适合于反激转换器和
期待续流整流。
FAN6204可以在连续或不连续施加
传导模式（CCM和DCM ）和准谐振
（QR ）的基础上专有的反激转换器
创新线性预测时序控制技术。该
这种技术的优点包括简单的控制
方法，无需电流检测电路来完成
抗干扰能力。
与PWM频率跟踪和次级端
绕组电压检测， FAN6204可在两个工作
固定和可变频率的系统。
在绿色模式下， SR控制器停止所有SR开关
操作，以减少工作电流。动力
消耗保持在轻最低水平
负载条件。
应用
交流/直流适配器NB
开架式开关电源
电池充电器
订购信息
产品型号
FAN6204MY
操作
温度范围
-40 ° C至+ 105°C
包
8引脚小外形封装（ SOP ）
包装方法
磁带&卷轴
2010仙童半导体公司
FAN6204 版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FAN6204 - 同步整流控制器和反激续流正向整改
应用图
图1.典型应用电路
反激式转换器
图2.典型应用电路
正向续流整流
内部框图
门
3
VDD
5
950K
0.05V
DD
50K
4.8V/4.5V
国内
BIAS
+
-
+
OVP
绿色
模式
t
DIS
Q
PWM模块
DRIVE
计算
V
LPC- EN
V
LPC- EN
2V
27.5V/25.4V
1
AGND
2
AGND
6
AGND
-
S
-
LPC
8
升起
EDGE
频率
跟踪
探测器
t
SR- MAX
因果
功能
RESET
+
0.05V
DD
1s
消隐
+
R Q
启用
-
V
CT
i
CHR
i
DISCHR
C
T
RESET
1A/V
5A/V
7
水库
4
GND
图3.功能框图
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标识信息
：新时代的标志
Z:
工厂代码
X:
年份代码
Y:
星期代码
TT:
死亡运行代码
T:
封装类型（N = DIP ， M = SOP ）
P:
Y =绿色包装
M:
制造流程的代码
ZXYTT
6204
TPM
图4.标记图
引脚配置
LPC
水库
AGND
VDD
8
7
6
5
1
2
3
门
4
GND
AGND AGND
图5.引脚分配
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
AGND
AGND
门
GND
VDD
AGND
水库
LPC
信号地
信号地
描述
驱动器输出。
图腾柱输出驱动器，用于驱动功率MOSFET 。
地面上。
MOSFET的源极连接。
电源。
阈值电压的启动和关断是4.8V和4.5V分别。
信号地
复位控制
线性预测。 RES引脚用于通过检测输出电压电平
一个分压器。一个内部电流源，我
DISCHR
是通过对电压电平调制
RES引脚。
绕组检测。
该引脚用于检测过程中的导通时间上的绕组上的电压
期间主要的大门。
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FAN6204 - 同步整流控制器和反激续流正向整改
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
DD
V
L
P
D
Θ
JA
Θ
JC
T
英镑
T
L
ESD
直流电源电压
LPC ， RES
参数
分钟。
-0.3
马克斯。
30
7
45
151
58
单位
V
V
W
° C / W
° C / W
°C
°C
KV
功率耗散（T
A
=25°C)
热阻（结到空气）
热阻（结到外壳）
存储温度范围
引线温度（焊接10秒）
人体模型
带电器件模型
-55
+150
+260
5
2
注意事项：
1.强调超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
2.所有的电压值，除了差分电压，给出相对于GND管脚。
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
T
A
参数
工作环境温度
分钟。
-40
马克斯。
+105
单位
°C
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电气特性
除非另有规定ED ，V
DD
= 4.5V 25V和T
A
=-40°C ~ 105°C.
符号
V
OP
V
DD -ON
V
DD -OFF
I
DD -OP
I
DD- GREEN
I
DD -ST
V
DD- OVP
t
VDD - OVP
V
Z
V
OL
V
OH
t
R
t
F
t
PD_HIGH_LPC
t
PD_LOW_LPC
t
MAX -PERIOD
V
PMOS -ON
V
PMOS -ON-
HYS
参数
持续工作电压
导通阈值电压
关断阈值电压
工作电流
在绿色模式下工作电流
启动电流
V
DD
过电压保护
V
DD
OVP去抖时间
门输出钳位电压
输出电压低
输出电压高
上升时间
下降时间
传播延迟淘汰高
（ LPC触发）
传播延迟到OUT低
(3)
（ LPC触发）
条件
分钟。
V
DD-
关闭
典型值。
马克斯。
28.5
单位
V
V
V
mA
mA
μA
V
V
μs
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4.3
4.0
V
DD
= 15V ， LPC = 50KHz的， MOSFET
C
国际空间站
=6000pF
V
DD
=15V
V
DD
＆ LT ; V
DD -ON
26
1.8
40
10
V
DD
= 6V ，我
O
=50mA
V
DD
= 6V ，我
O
=50mA
V
DD
= 12V ， CL = 6NF ， OUT = 2V 9V
V
DD
= 6V ， CL = 6NF ， OUT = 0.4V 4V
V
DD
= 12V ， CL = 6NF ， OUT = 9V 2V
V
DD
= 6V ， CL = 6NF ， OUT = 4V 0.4V
t
R
: 0V~2V, V
DD
= 12V
t
F
: 100%~90%, V
DD
= 12V
22.5
4
30
70
20
20
4.8
4.5
7
1.1
150
27.5
2.1
70
12
5.3
5.0
8
1.3
200
28.5
2.4
100
14
0.5
V
DD - OVP - HYST
滞后电压为V
DD
OVP
输出驱动器部分
70
120
50
90
250
180
25.0
8.3
0.9
120
170
100
130
LPC上升沿之间的限制，门下降沿
内部PMOS导通到上拉闸门
滞后电压在
GATE禁止时间
门上拉电压
(3)
(3)
28.0
μs
V
V
t
抑制
V
GATE-上拉
高
M2选项（启用）
V
DD
= 5V
1.6
4.5
2.2
2.8
μs
V
LPC节
t
BNK
消隐时间的充电CT
(3)
400
源I
LPC
=5A
V
LPC
=0V
V
LPC- EN
= V
LPC -HIGH
X 0.83在V
LPC-
高
X 0.83< 2V ，V
O
=15V, V
O
=V
DD
,
V
LPC -HIGH
= 1.2V
V
LPC- EN
= 2V在V
LPC -HIGH
X 0.83 >
2V
0.05Vo + 0.05 ，V
O
=15V, V
O
=V
DD
防止LPC穗关断
门
5
500
1
0.2
80
1.00
2
600
0.3
120
1.15
ns
μs
V
μA
V
V
t
DELAY -COMP
采样连续时间在t
BNK
赔偿金
V
LPC -SOURCE
LPC低钳位电压
I
LPC -SOURCE
LPC源电流
V
LPC- EN
V
EN - CLAMP
V
LPC - TH -HIGH
t
BNK -DIS
SR启用阈值电压
SR启用阈值钳位
电压
阈值电压的上升LPC
EDGE
消隐时间LPC为高
在SR栅极导通周期
0.1
40
0.85
0.7
0.8
350
0.9
V
ns
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