www.fairchildsemi.com
FAN5240
多相PWM控制器，用于AMD移动
速龙
TM
和Duron
TM
特点
CPU核心供电： 0.925V至2.0V的输出范围
± 1％的基准精度在整个温度范围
动态电压设置与5位DAC
5V至24V的输入电压范围
2相交错开关
主动下垂，以减少输出电容的尺寸
差分远端电压检测
高英法fi效率：
>90 ％ EF网络效率在很宽的负载范围内
>80 ％ EF网络效率在轻载
与电压前馈出色的动态响应
和平均电流模式控制
动态占空比钳位最大限度地降低电感电流
积聚
无损电流检测的低边MOSFET或
使用检测电阻精密电流检测
故障保护功能：过电压，过电流，
热关断
控制：启用，强制PWM ，电源良好，电源
良好的延迟
QSOP28 ， TSSOP28
概述
该FAN5240是一款单输出两相同步降压
控制器功耗AMD的移动CPU核心。该FAN5240
包括一个5位数字 - 模拟转换器（DAC ），该
调整到核心PWM输出电压从0.925VDC
2.0VDC ，其可以在运行期间改变。特
所采取的措施，以使输出与转换
摆率控制以符合AMD的电源现在
技术。该FAN5240包括精密基准源，
和一个专有的架构，具有集成赔偿
提供优良的静态和动态内核电压稳压
化。该稳压器包括特殊电路，该电路平衡
2相电流为实现最大的效率。
在轻负载时，当滤波器电感电流变为
不连续，控制器工作在迟滞模式，
极大地提高了系统的EF网络效率。迟滞
操作模式可以由FPWM控制来抑制
引脚。
在FAN5240监视输出电压，并发出
PGOOD （电源良好）时，软启动完成，
输出正常。销提供增加延迟
PGOOD与外部电容器。
内置的过压保护（ OVP ）强制低
MOSFET ，以防止输出超过一组
电压。 PWM控制器的过流保护电路MONI-
通过检测的电压降器转换器的负载
较低的MOSFET。过流阈值由一个外部设置
最终电阻。如果需要精确的过电流保护，
一个可选的外部电流检测电阻可以使用。
应用
AMD移动速龙
CPU V
CORE
调节器
AMD移动毒龙
CPU V
CORE
调节器
REV 。 1.1.7 02年8月29日
FAN5240
产品speci fi cation
典型用途
VIN （ BATTERY ）
= 5 24V
+5
C3
C4
24
VIN
21
28
25
C1
BOOT1
C7
Q1
HDRV1
SW1
Q2
27
C2
D2
+5
C8
VCC
+5
R1
PGOOD
EN
C5
FPWM
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
C11
C10
SS
12
11
10
9
8
7
19
14
第1阶段
23
Q3
L1
LDRV1
R2
ISNS1
VCORE +
VCORE
BOOT2
VIN
C9
Q4
HDRV2
SW2
Q6
R3
PGND2
ISNS2
C6
D1
+5
R6
C12
C13
C14
C15
26
PGND1
22
18
17
3
V
CORE
C16
L2
4
第2阶段
20
16
13
15
5
延迟
ILIM
AGND
1
2
6
Q5
LDRV2
R4
图1. AMD移动速龙/毒龙CPU核电源
表1. BOM为图1
描述
22μF的电容，陶瓷X7R 25V
1μF电容，陶瓷
0.1μF的电容器，陶瓷
0.22μF电容，陶瓷
电容270μF ， 2V ， ESR 15米
10K
， 5 ％电阻
1K
， 1 ％电阻
56.2K
， 1 ％电阻
肖特基二极管40V
电感1.6μH ， 20A ， 2.4米
N沟道SO- 8 MOSFET ，11M
N沟道SO- 8 SyncFET MOSFET ，6M
数量
2
3
6
1
4
2
1
2
2
1
1
1
C1, C2
REF 。
C3,C7,C9
C4–C6, C8, C11, C12
C10
C13–C16
R1
R2, R3, R6
R4
D1, D2
L1, L2
Q1, Q4
Q2, Q3, Q5, Q6
供应商
TDK
任何
任何
任何
松下
任何
任何
任何
飞兆半导体
松下
飞兆半导体
飞兆半导体
产品型号
EEFUE0D271R
MBR0540
ETQP6F0R8LFA
FDS6694
FDS6676S
2
REV 。 1.1.7 02年8月29日
产品speci fi cation
FAN5240
引脚CON组fi guration
LDRV2
PGND2
BOOT2
HDRV2
SW2
ISNS2
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
FPWM
ILIM
EN
1
2
3
4
5
6
28
27
26
25
24
23
VCC
LDRV1
PGND1
BOOT1
HDRV1
SW1
ISNS1
VIN
SS
PGOOD
VCORE +
VCORED
延迟
AGND
22
7
FAN5240
21
8
9
10
11
12
13
14
20
19
18
17
16
15
QSOP - 28或TSSOP -28
θ
JA
= 90C / W
引脚德网络nitions
针
数
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7 - 11
12
13
14
15
16
18
17
19
针
名字
LDRV2
LDRV1
PGND2
PGND1
BOOT2
BOOT1
HDRV2
HDRV1
SW2
SW1
ISNS2
ISNS1
VID4 -
VID0
FPWM
ILIM
EN
AGND
延迟
引脚功能说明
低侧驱动器。
低压侧（低级） MOSFET驱动器输出。
电源地。
在回报低边MOSFET驱动器。
开机。
正电源的上部MOSFET驱动器。连接，如图1 。
高边驱动器。
高侧（上部） MOSFET驱动器输出。
交换节点。
返回的高边MOSFET驱动器。
电流检测输入。
监控跨下MOSFET或外部的电压降
检测电阻的电流反馈。
电压识别码。
输入VID DAC 。根据该设定的输出电压
代码集如表2中定义这些输入有1个
一个内部上拉。
强制PWM模式。
当逻辑高电平，抑制芯片进入迟滞工作
模式。如果接低电平，迟滞模式将被允许。
电流限制。
此引脚与GND之间的电阻设置电流限制。
启用。
该引脚使芯片运行时要么开着，或上拉至VCC 。
切换EN也将经过锁存故障复位芯片。
模拟地。
这是用于IC的信号的接地参考。所有电压电平是
对于此引脚测量。
电源良好/过流延时。
电容到GND该引脚上延迟PGOOD
从变高，以及延迟所述过流关闭。
VCORE +
VCORE输出检测。
差分感测输出电压的。用于作为调节
VCORE-以及PGOOD ，欠电压和过电压保护和监测。在电阻
一系列与此VCORE +设置输出电压跌落。
PGOOD
电源良好标记。
漏极开路输出，这将拉低下面的核心输出时
825mV 。 PGOOD延迟其从低到高的转变由CDELAY时确定的时间
VCORE高于875mV 。
3
REV 。 1.1.7 02年8月29日
FAN5240
产品speci fi cation
引脚德网络nitions
（续）
针
数
20
针
名字
SS
引脚功能说明
软启动。
电容器从这个引脚GND节目转换时的转换率
初始化以及在操作。该引脚被用作参考针对其
输出相比较。在初始化时，此引脚被控25
电流源。
一旦这个引脚达到0.5V ，其函数改变，并假定该电压的值
由VID编程载。该电流驱动该引脚，然后限制在± 500
A，即
与C
SS
设置一个控制的压摆率VID代码更改。
输入电压电池。
该电压由振荡器使用的前馈
补偿输入电压变化。
VCC 。
该引脚为芯片。在IC启动时电压此引脚超出经营
4.6V （ UVLO上升）和关闭时低于4.3V （ UVLO下降） 。
21
28
VIN
VCC
绝对最大额定值
绝对最大额定值是超出该设备可能被损坏的值或具有其使用寿命
受损。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
参数
VCC电源电压：
VIN
BOOT ， SW ， HDRV引脚
启动到SW
所有其他引脚
结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
–0.3
–10
–65
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
27
33
6.5
VCC+0.3
150
150
300
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压VCC
电源电压VIN
环境温度（T
A
)
条件
分钟。
4.75
6
–20
典型值。
5
马克斯。
5.25
24
85
单位
V
V
°C
4
REV 。 1.1.7 02年8月29日
产品speci fi cation
FAN5240
电气连接特定的阳离子
（ VCC = 5V ， VIN = 6V - 24V ，和T
A
=推荐工作用图1的电路环境温度范围内，
除非另有说明）。
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电源
VCC电流
VIN电流
UVLO阈值
稳压器/控制功能
输出电压
误差放大器增益器
误差放大器呃GBW
误差放大器的转换速率
VCORE +输入电流
ILIM电压
ILIM牛逼
HOLDOFF
过压阈值
过电压保护延时
EN ，输入阈值
相间电流不匹配
超温停机
过温迟滞
输出驱动器
（注1 ）
HDRV输出电阻
LDRV输出电阻
振荡器
频率
斜坡幅度，峰峰值
斜坡补偿
斜坡增益
参考DAC和软启动
VID输入阈值
VID上拉电流
DAC输出精度
软启动充电电流（I
SS
)
注1 ：
通过转换速率测试保证。
RampAmplitude
----------------------------------------------
V
IN
工作，C
L
= 10pF的
关机（ EN = 0 ）
操作
关机（ EN = 0 ）
VCC上升
Vcc的下降
每桌2
4.3
3.8
0.925
86
2.7
1
25
R
ILIM
= 30K
C
延迟
=值为22nF
2.2
逻辑低
逻辑高
只有IC的贡献
通过设计保证
150
25
采购
下沉
采购
下沉
255
VIN = 16V
3.8
1.6
3.8
0.8
300
2
0.5
125
2
0.89
1.16
2.35
2
30
4.45
3.95
1
2
10
25
1
4.6
4.10
2.00
mA
A
A
A
V
V
V
dB
兆赫
V/
S
35
0.91
2.5
0.8
±5
A
V
mS
V
S
V
V
%
°C
°C
5
3
5
1.5
345
千赫
V
V
mV / V的
逻辑低
逻辑高
到Vcc
–1
V
SS
编程输出< 90 ％
V
SS
编程输出> 90 ％
20
350
27
500
2.0
1
0.8
V
V
A
1
34
650
%
A
A
REV 。 1.1.7 02年8月29日
5
FAN5240多相PWM控制器，用于AMD移动Athlon 和Duron
2006年3月
FAN5240
多相PWM控制器，用于AMD移动速龙
和Duron
特点
■
CPU核心供电： 0.925V至2.0V的输出范围
■
± 1％的基准精度在整个温度范围
■
动态电压设置与5位DAC
■
6V至24V输入电压范围
■
2相交错开关
■
主动下垂，以减少输出电容的尺寸
■
差分远端电压检测
■
高英法fi效率：
概述
该FAN5240是一款单输出2相同步
降压控制器，功耗AMD的移动CPU核心。该
FAN5240包括一个5位数字 - 模拟转换器
器（DAC） ，调整上述芯的PWM输出电压从
0.925VDC至2.0VDC ，其可在改变
操作。采取特别措施，允许输出
把具有受控转换速率以符合转型
现在， AMD的电源
技术。该FAN5240包括
一个精密基准源，以及专有的架构，
综合补偿提供优异的静态和
动态核心电压调节。所述调节器包括
特殊的电路，它平衡了2相电流为
实现最大的效率。
在轻负载时，当滤波器电感电流变为
不连续，控制器工作在迟滞
模式，极大地提高了系统的EF网络效率。的滞回
操作teretic模式可由FPWM可以抑制
控制引脚。
在FAN5240监视输出电压，并发出
PGOOD （电源良好）时，软启动和完成
输出处于调节状态。销提供添加延迟
到PGOOD与外部电容。
内置的过压保护（ OVP ）强制低
MOSFET ，以防止输出超过一组
电压。 PWM控制器的过流保护电路MONI-
通过感应的电压降器转换器的负载
横跨下部的MOSFET 。过流阈值
通过一个外部电阻设置。如果过电流精度亲
tection是必需的，可选的外部检流
电阻器可以被使用。
■
■
■
■
■
■
>90 ％ EF网络效率在很宽的负载范围内
>80 ％ EF网络效率在轻载
出色的动态响应与电压
前馈和平均电流模式控制
动态占空比钳位最大限度地降低电感电流
积聚
无损电流检测的低边MOSFET或
使用检测电阻精密电流检测
故障保护功能：过电压，过电流，
热关断
控制：启用，强制PWM ，电源良好，电源
良好的延迟
QSOP28 ， TSSOP28
应用
■
AMD移动速龙
CPU V
CORE
调节器
■
图形芯片V
CORE
调节器
订购信息
产品型号
FAN5240QSC
FAN5240QSCX
FAN5240MTC
FAN5240MTCX
温度范围
-10 ° C至85°C
-10 ° C至85°C
-10 ° C至85°C
-10 ° C至85°C
包
QSOP-28
QSOP-28
TSSOP-28
TSSOP-28
填料
轨道
磁带和卷轴
轨道
磁带和卷轴
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FAN5240版本1.2.0
FAN5240多相PWM控制器，用于AMD移动Athlon 和Duron
典型用途
VIN （ BATTERY ）
= 5 24V
+5
C3
C4
24
VIN
21
28
25
C1
BOOT1
C7
Q1
HDRV1
SW1
Q2
27
C2
D2
+5
C8
VCC
+5
R1
PGOOD
EN
C5
FPWM
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
C11
C10
SS
12
11
10
9
8
7
19
14
第1阶段
23
Q3
L1
LDRV1
R2
ISNS1
VCORE +
VCORE
BOOT2
VIN
C9
Q4
HDRV2
SW2
Q6
R3
PGND2
ISNS2
C6
D1
+5
R6
C12
C13
C14
C15
26
PGND1
22
18
17
3
V
CORE
C16
L2
4
第2阶段
20
16
13
15
5
延迟
ILIM
AGND
1
2
6
Q5
LDRV2
R4
图1. AMD移动速龙/毒龙CPU核电源
表1. BOM为图1
描述
22μF的电容，陶瓷X7R 25V
1μF电容，陶瓷
0.1μF的电容器，陶瓷
0.22μF电容，陶瓷
电容270μF ， 2V ， ESR 15米
10K
， 5 ％电阻
1K
， 1 ％电阻
56.2K
， 1 ％电阻
肖特基二极管40V
电感1.6μH ， 20A ， 2.4米
N沟道SO- 8 MOSFET ，11M
N沟道SO- 8 SyncFET MOSFET ，6M
数量
2
3
6
1
4
2
1
2
2
1
1
1
C1, C2
REF 。
C3, C7, C9
C4–C6, C8, C11, C12
C10
C13–C16
R1
R2, R3, R6
R4
D1, D2
L1, L2
Q1, Q4
Q2, Q3, Q5, Q6
供应商
TDK
任何
任何
任何
松下
任何
任何
任何
飞兆半导体
松下
飞兆半导体
飞兆半导体
产品型号
EEFUE0D271R
MBR0540
ETQP6F0R8LFA
FDS6694
FDS6676S
2
FAN5240版本1.2.0
www.fairchildsemi.com
FAN5240多相PWM控制器，用于AMD移动Athlon 和Duron
引脚CON组fi guration
LDRV2
PGND2
BOOT2
HDRV2
SW2
ISNS2
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
FPWM
ILIM
EN
1
2
3
4
5
6
28
27
26
25
24
23
VCC
LDRV1
PGND1
BOOT1
HDRV1
SW1
ISNS1
VIN
SS
PGOOD
VCORE +
VCORED
延迟
AGND
7
22
FAN5240
21
8
9
10
11
12
13
14
20
19
18
17
16
15
QSOP - 28或TSSOP -28
θ
JA
= 90C / W
引脚分配
针
数
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7 –11
12
13
14
15
16
18
17
针
名字
LDRV2
LDRV1
PGND2
PGND1
BOOT2
BOOT1
HDRV2
HDRV1
SW2
SW1
ISNS2
ISNS1
引脚功能说明
低侧驱动器。
低压侧（低级） MOSFET驱动器输出。
电源地。
在回报低边MOSFET驱动器。
开机。
正电源的上部MOSFET驱动器。连接，如图1 。
高边驱动器。
高侧（上部） MOSFET驱动器输出。
交换节点。
返回的高边MOSFET驱动器。
电流检测输入。
监控跨下MOSFET或外部的电压降
检测电阻的电流反馈。
VID4–VID0
电压识别码。
输入VID DAC 。根据该设定的输出电压
码设定如表图限定。这些输入有1
一个内部上拉。
FPWM
ILIM
EN
AGND
延迟
VCORE +
VCORE-
强制PWM模式。
当逻辑高电平，抑制芯片进入迟滞工作
模式。如果接低电平，迟滞模式将被允许。
电流限制。
此引脚与GND之间的电阻设置电流限制。
启用。
该引脚使芯片运行时要么开着，或拉至V
CC
。切换
EN也将经过锁存故障复位芯片。
模拟地。
这是用于IC的信号的接地参考。所有电压电平是
对于此引脚测量。
电源良好/过流延时。
电容到GND该引脚上延迟PGOOD
从变高，以及延迟所述过流关闭。
VCORE输出检测。
差分感测输出电压的。用于作为调节
以及PGOOD ，欠电压和过电压保护和监测。在电阻
一系列与此VCORE +设置输出电压跌落。
3
FAN5240版本1.2.0
www.fairchildsemi.com
FAN5240多相PWM控制器，用于AMD移动Athlon 和Duron
引脚分配
（续）
针
数
19
针
名字
PGOOD
引脚功能说明
电源良好标记。
漏极开路输出，这将拉低下面的核心输出时
825mV 。 PGOOD延迟其从低到高的转变由CDELAY时确定的时间
VCORE高于875mV 。
软启动。
电容器从这个引脚GND节目转换时的转换率
初始化以及在操作。该引脚被用作参考针对其
输出相比较。在初始化时，此引脚被控25
电流源。
一旦该引脚达到0.5V ，它的功能变化，并采用了电压的值
通过VID编程设定。该电流驱动该引脚，然后限制在± 500
A，即
与C
SS
设置一个控制的压摆率VID代码更改。
输入电压电池。
该电压由振荡器使用的前馈
补偿输入电压变化。
V
CC
.
该引脚为芯片。在IC启动时电压此引脚超出经营
4.6V （ UVLO上升）和关闭时低于4.3V （ UVLO下降） 。
20
SS
21
28
V
IN
V
CC
绝对最大额定值
“绝对最大额定值”，是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。该
设备不应该在这些限制条件下运行。该参数的值去连接定义了电气特性表
不能保证在绝对最大额定值。 “推荐工作条件”表将取消网络网元
条件器件的实际工作。
参数
V
CC
电源电压
V
IN
BOOT ， SW ， HDRV引脚
启动到SW
所有其他引脚
结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
27
33
6.5
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
–0.3
–10
–65
V
CC
+ 0.3
150
150
300
推荐工作条件
参数
电源电压V
CC
电源电压V
IN
环境温度（T
A
)
条件
分钟。
4.75
6
–20
典型值。
5
马克斯。
5.25
24
85
单位
V
V
°C
4
FAN5240版本1.2.0
www.fairchildsemi.com
FAN5240多相PWM控制器，用于AMD移动Athlon 和Duron
电气连接特定的阳离子
(V
CC
= 5V, V
IN
= 6V - 24V ，和T
A
=推荐工作用图1的电路环境温度范围内，
除非另有说明）。
参数
电源
V
CC
当前
V
IN
当前
UVLO阈值
稳压器/控制功能
输出电压
误差放大器增益器
误差放大器呃GBW
误差放大器的转换速率
VCORE +输入电流
ILIM电压
ILIM牛逼
HOLDOFF
过压阈值
过电压保护延时
EN ，输入阈值
相间电流不匹配
超温停机
过温迟滞
产量
DRIVERS
(1)
采购
下沉
LDRV输出电阻
振荡器
频率
斜坡幅度，峰峰值
斜坡补偿
斜坡增益
参考DAC和软启动
VID输入阈值
VID上拉电流
DAC输出精度
软启动充电电流（I
SS
)
逻辑低
逻辑高
到V
CC
V
IN
= 16V
采购
下沉
HDRV输出电阻
逻辑低
逻辑高
条件
工作，C
L
= 10pF的
关机（ EN = 0 ）
操作
关机（ EN = 0 ）
瑞星V
CC
落V
CC
每个表图
分钟。
典型值。
马克斯。
2
单位
mA
A
A
A
V
V
V
dB
兆赫
V/
S
1
10
25
1
4.3
3.8
0.925
4.45
3.95
4.6
4.10
2.00
86
2.7
1
25
R
ILIM
= 30K
C
延迟
=值为22nF
2.2
0.89
1.16
2.35
2
0.8
2
±5
150
25
3.8
1.6
3.8
0.8
255
300
2
0.5
RampAmplitude
----------------------------------------------
V
IN
125
5
3
5
1.5
345
2.5
30
35
0.91
A
V
mS
V
S
V
V
%
°C
°C
千赫
V
V
mV / V的
只有IC的贡献
通过设计保证
0.8
2.0
1
–1
1
27
500
34
650
20
350
V
V
A
%
A
A
V
SS
编程输出< 90 ％
V
SS
编程输出> 90 ％
5
FAN5240版本1.2.0
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