www.fairchildsemi.com
FAN5236
双移动友好DDR /双输出PWM控制器
特点
高度灵活的双同步开关脉宽调制
控制器包括模式：
- DDR模式相操作降低
信道干扰
- 90相移的两阶段的DDR模式，可降低
输入纹波
- 双独立监管机构的180°相移
完整的DDR内存电源解决方案
– V
TT
轨道VDDQ / 2
- VDDQ / 2缓冲基准输出
无损电流检测低边MOSFET或
精密过电流检测用电阻
V
CC
欠压锁定
转换器可从+ 5V或3.3V或电池操作
电源输入（ 5 24V ）
优异的动力响应电压前馈
和平均电流模式控制
电源良好信号
同时支持DDR- II和HSTL
轻载迟滞模式最大化EF网络效率
QSOP28 ， TSSOP28
概述
该FAN5236 PWM控制器提供高英法fi效率和
调节两个输出电压可调范围在
从0.9V到5.5V需要电源I / O ，芯片组的，
而在高性能笔记本comput-记忆库
器， PDA和互联网设备。同步整流，阳离子
而在轻载迟滞的操作导致高
英法fi效率在很宽的负载范围内。的迟滞模式
操作可以分别在每个PWM变流器被禁用
如果PWM模式所需的所有负载水平。 EF网络效率，甚至
通过使用MOSFET的进一步增强
DS （ ON）
作为电流
意识的组成部分。
前馈斜坡调制，平均电流模式CON-
控制制度和内部反馈补偿提供
快速负载瞬态响应。乱相操作
180度相移减小了输入电流纹波。 CON组
控制器可以转化成一个完整的DDR内存
通过激活指定引脚的电源解决方案。在
操作的DDR模式的信道之一跟踪输出
把另一个信道的电压，并提供输出电流
库和源能力 - 特点进行适当的必要的
的DDR芯片供电。该缓冲基准电压
通过这种类型的存储器要求也被提供。该
FAN5236监控这些输出，并产生不同的
PGX （电源良好）信号时，软启动结束
和输出是在其设定点的±10％ 。内置的
过电压保护可以防止输出电压从
将设定值的120％以上。正常运行是自动
当过电压条件去matically恢复
了。欠压保护锁存芯片关断时
无论是软后输出低于其设定值的75 ％
启动顺序，该输出完成。可调节的
过电流功能监视输出电流通过感应
横跨下部MOSFET上的电压降。如果电流精度
租金感应是必需的，一个外部电流检测电阻
可任选使用。
应用
DDR V
DDQ
和V
TT
电压产生
移动PC的双通道稳压器
服务器DDR电源
手持式PC电源
REV 。 1.1.7 03年4月4日
FAN5236
产品speci fi cation
销刀豆网络gurations
AGND
LDRV1
PGND1
SW1
HDRV1
BOOT1
ISNS1
EN1
FPWM1
VSEN1
ILIM1
SS1
DDR
VIN
1
2
3
4
5
6
28
27
26
25
24
23
VCC
LDRV2
PGND2
SW2
HDRV2
BOOT2
ISNS2
EN2
FPWM2
VSEN2
ILIM2/REF2
SS2
PG2/REF2OUT
PG1
7
22
FAN5236
8
21
9
10
11
12
13
14
20
19
18
17
16
15
QSOP - 28或TSSOP -28
θ
JA
= 90C / W
引脚德网络nitions
针
数
1
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
引脚名称
AGND
LDRV1
LDRV2
PGND1
PGND2
SW1
SW2
HDRV1
BOOT1
BOOT2
ISNS1
ISNS2
EN1
EN2
FPWM1
FPWM2
引脚功能说明
模拟地。
这是用于IC的信号的接地参考。所有电压电平是
对于此引脚测量。
低侧驱动器。
低压侧（低级） MOSFET驱动器输出。连接到低侧的门
MOSFET。
电源地。
在回报低边MOSFET驱动器。连接到低源
侧MOSFET 。
交换节点。
回报高边MOSFET驱动器和电流检测输入。
连接到高侧MOSFET和低侧MOSFET的漏极 - 源极。
高边驱动器。
高边（上） MOSFET驱动器输出。连接到高侧的门
MOSFET。
开机。
正电源上MOSFET驱动器。连接，如图3 。
电流检测输入。
监控跨下MOSFET或外部的电压降
检测电阻的电流反馈。
启用
。使操作时被拉至逻辑高电平。切换EN也将重设
经过锁存故障条件调节。这是CMOS输入，其状态是
不确定是否处于打开状态。
强制PWM模式。
当逻辑低，抑制了进入迟滞模式的调节。
否则扎到VOUT 。该稳压器采用VOUT在这个引脚，以确保顺利
从转型迟滞模式PWM模式。当VOUT预计将超过VCC ，
绑到Vcc 。
输出电压检测。
从输出的反馈。用于调节以及
PG ，欠电压和过电压保护和监测。
电流限制1 。
此引脚与GND之间的电阻设置电流限制。
软启动。
电容器从这个引脚GND节目转换器的转换率
在初始化过程中。在初始化时，此引脚被控5
电流源。
DDR模式控制。
高= DDR模式。低= 2个独立的监管机构运行180 °出
的相位。
3
10
19
11
12
17
13
VSEN1
VSEN2
ILIM1
SS1
SS2
DDR
REV 。 1.1.7 03年4月4日
产品speci fi cation
FAN5236
引脚德网络nitions
14
VIN
（续）
输入电压。
通常连接到电池，提供电压前馈设置
幅度的内部振荡器斜坡。当使用IC从5V的两步转换
输入，连接至100K到地，将设置相应的斜坡增益和
同步信道90异相。
电源良好标记。
漏极开路输出，这将拉低时VSEN是一个外
± 0.9V的基准的10 ％的范围内。
电源良好2 。
如果不是在DDR模式：开漏输出拉低时
VOUT是出于监管或故障状态
参考输出2 。
当在DDR模式，提供REF2的缓冲输出。通常
作为VDDQ / 2的参考。
限流2 。
如果不是在DDR模式下，此引脚与GND之间的电阻设置电流
极限。
参考
在DDR模式寄存器＃ 2时。通常设置为VOUT1 / 2 。
VCC 。
该引脚为芯片以及LDRV缓冲区。在IC启动时，操作
电压此引脚超过4.6V （ UVLO上升） ，并关闭时，它低于4.3V
（ UVLO下降） 。
15
16
PG1
PG2 /
REF2OUT
18
ILIM2 /
REF2
VCC
28
绝对最大额定值
绝对最大额定值是超出该设备可能被损坏的值或具有其使用寿命
受损。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
参数
VCC电源电压：
VIN
BOOT ， SW ， ISNS ， HDRV
BootX的到SWX
所有其他引脚
结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
–0.3
–40
–65
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
27
33
6.5
VCC+0.3
150
150
300
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压VCC
电源电压VIN
环境温度（T
A
)
注1
–10
条件
分钟。
4.75
典型值。
5
马克斯。
5.25
24
85
单位
V
V
°C
注1 ：工业级温度范围（-40℃至+ 85°C ）可能会特别飞兆半导体订购。请联系您的授权仙童
代表了解更多信息。
4
REV 。 1.1.7 03年4月4日
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FAN5236
双移动友好DDR /双输出PWM控制器
特点
高度灵活的双同步开关脉宽调制
控制器包括模式：
- DDR模式相操作降低
信道干扰
- 90相移的两阶段的DDR模式，可降低
输入纹波
- 双独立监管机构的180°相移
完整的DDR内存电源解决方案
– V
TT
轨道VDDQ / 2
- VDDQ / 2缓冲基准输出
无损电流检测低边MOSFET或
精密过电流检测用电阻
V
CC
欠压锁定
转换器可从+ 5V或3.3V或电池操作
电源输入（ 5 24V ）
优异的动力响应电压前馈
和平均电流模式控制
电源良好信号
同时支持DDR- II和HSTL
轻载迟滞模式最大化EF网络效率
QSOP28 ， TSSOP28
概述
该FAN5236 PWM控制器提供高英法fi效率和
调节两个输出电压可调范围在
从0.9V到5.5V需要电源I / O ，芯片组的，
而在高性能笔记本comput-记忆库
器， PDA和互联网设备。同步整流，阳离子
而在轻载迟滞的操作导致高
英法fi效率在很宽的负载范围内。的迟滞模式
操作可以分别在每个PWM变流器被禁用
如果PWM模式所需的所有负载水平。 EF网络效率，甚至
通过使用MOSFET的进一步增强
DS （ ON）
作为电流
意识的组成部分。
前馈斜坡调制，平均电流模式CON-
控制制度和内部反馈补偿提供
快速负载瞬态响应。乱相操作
180度相移减小了输入电流纹波。 CON组
控制器可以转化成一个完整的DDR内存
通过激活指定引脚的电源解决方案。在
操作的DDR模式的信道之一跟踪输出
把另一个信道的电压，并提供输出电流
库和源能力 - 特点进行适当的必要的
的DDR芯片供电。该缓冲基准电压
通过这种类型的存储器要求也被提供。该
FAN5236监控这些输出，并产生不同的
PGX （电源良好）信号时，软启动结束
和输出是在其设定点的±10％ 。内置的
过电压保护可以防止输出电压从
将设定值的120％以上。正常运行是自动
当过电压条件去matically恢复
了。欠压保护锁存芯片关断时
无论是软后输出低于其设定值的75 ％
启动顺序，该输出完成。可调节的
过电流功能监视输出电流通过感应
横跨下部MOSFET上的电压降。如果电流精度
租金感应是必需的，一个外部电流检测电阻
可任选使用。
应用
DDR V
DDQ
和V
TT
电压产生
移动PC的双通道稳压器
服务器DDR电源
手持式PC电源
REV 。 1.1.9 04年7月12日
FAN5236
产品speci fi cation
销刀豆网络gurations
AGND
LDRV1
PGND1
SW1
HDRV1
BOOT1
ISNS1
EN1
FPWM1
VSEN1
ILIM1
SS1
DDR
VIN
1
2
3
4
5
6
28
27
26
25
24
23
VCC
LDRV2
PGND2
SW2
HDRV2
BOOT2
ISNS2
EN2
FPWM2
VSEN2
ILIM2/REF2
SS2
PG2/REF2OUT
PG1
7
22
FAN5236
8
21
9
10
11
12
13
14
20
19
18
17
16
15
QSOP - 28或TSSOP -28
θ
JA
= 90C / W
引脚德网络nitions
针
数
1
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
引脚名称
AGND
LDRV1
LDRV2
PGND1
PGND2
SW1
SW2
HDRV1
BOOT1
BOOT2
ISNS1
ISNS2
EN1
EN2
FPWM1
FPWM2
引脚功能说明
模拟地。
这是用于IC的信号的接地参考。所有电压电平是
对于此引脚测量。
低侧驱动器。
低压侧（低级） MOSFET驱动器输出。连接到低侧的门
MOSFET。
电源地。
在回报低边MOSFET驱动器。连接到低源
侧MOSFET 。
交换节点。
回报高边MOSFET驱动器和电流检测输入。
连接到高侧MOSFET和低侧MOSFET的漏极 - 源极。
高边驱动器。
高边（上） MOSFET驱动器输出。连接到高侧的门
MOSFET。
开机。
正电源上MOSFET驱动器。连接，如图3 。
电流检测输入。
监控跨下MOSFET或外部的电压降
检测电阻的电流反馈。
启用
。使操作时被拉至逻辑高电平。切换EN也将重设
经过锁存故障条件调节。这是CMOS输入，其状态是
不确定是否处于打开状态。
强制PWM模式。
当逻辑低，抑制了进入迟滞模式的调节。
否则扎到VOUT 。该稳压器采用VOUT在这个引脚，以确保顺利
从转型迟滞模式PWM模式。当VOUT预计将超过VCC ，
绑到Vcc 。
输出电压检测。
从输出的反馈。用于调节以及
PG ，欠电压和过电压保护和监测。
电流限制1 。
此引脚与GND之间的电阻设置电流限制。
软启动。
电容器从这个引脚GND节目转换器的转换率
在初始化过程中。在初始化时，此引脚被控5
电流源。
DDR模式控制。
高= DDR模式。低= 2个独立的监管机构运行180 °出
的相位。
3
10
19
11
12
17
13
VSEN1
VSEN2
ILIM1
SS1
SS2
DDR
REV 。 1.1.9 04年7月12日
产品speci fi cation
FAN5236
引脚德网络nitions
针
数
14
引脚名称
VIN
（续）
引脚功能说明
输入电压。
通常连接到电池，提供电压前馈设置
幅度的内部振荡器斜坡。当使用IC从5V的两步转换
输入，连接至100K到地，将设置相应的斜坡增益和
同步信道90异相。
电源良好标记。
漏极开路输出，这将拉低时VSEN是一个外
± 0.9V的基准的10 ％的范围内。
电源良好2 。
如果不是在DDR模式：开漏输出拉低时
VOUT是出于监管或故障状态
参考输出2 。
当在DDR模式，提供REF2的缓冲输出。通常
作为VDDQ / 2的参考。
限流2 。
如果不是在DDR模式下，此引脚与GND之间的电阻设置电流
极限。
参考
在DDR模式寄存器＃ 2时。通常设置为VOUT1 / 2 。
VCC 。
该引脚为芯片以及LDRV缓冲区。在IC启动时，操作
电压此引脚超过4.6V （ UVLO上升） ，并关闭时，它低于4.3V
（ UVLO下降） 。
15
16
PG1
PG2 /
REF2OUT
18
ILIM2 /
REF2
VCC
28
绝对最大额定值
绝对最大额定值是超出该设备可能被损坏的值或具有其使用寿命
受损。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
参数
VCC电源电压：
VIN
BOOT ， SW ， ISNS ， HDRV
BootX的到SWX
所有其他引脚
结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
–0.3
–40
–65
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
27
33
6.5
VCC+0.3
150
150
300
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压VCC
电源电压VIN
环境温度（T
A
)
注1
–10
条件
分钟。
4.75
典型值。
5
马克斯。
5.25
24
85
单位
V
V
°C
注1 ：工业级温度范围（-40℃至+ 85°C ）可能会特别飞兆半导体订购。请联系您的授权仙童
代表了解更多信息。
4
REV 。 1.1.9 04年7月12日
www.fairchildsemi.com
FAN5236
双移动友好DDR /双输出PWM控制器
特点
高度灵活的双同步开关脉宽调制
控制器包括模式：
- DDR模式相操作降低
信道干扰
- 90相移的两阶段的DDR模式，可降低
输入纹波
- 双独立监管机构的180°相移
完整的DDR内存电源解决方案
– V
TT
轨道VDDQ / 2
- VDDQ / 2缓冲基准输出
无损电流检测低边MOSFET或
精密过电流检测用电阻
V
CC
欠压锁定
转换器可从+ 5V或3.3V或电池操作
电源输入（ 5 24V ）
优异的动力响应电压前馈
和平均电流模式控制
电源良好信号
同时支持DDR- II和HSTL
轻载迟滞模式最大化EF网络效率
QSOP28 ， TSSOP28
概述
该FAN5236 PWM控制器提供高英法fi效率和
调节两个输出电压可调范围在
从0.9V到5.5V需要电源I / O ，芯片组的，
而在高性能笔记本comput-记忆库
器， PDA和互联网设备。同步整流，阳离子
而在轻载迟滞的操作导致高
英法fi效率在很宽的负载范围内。的迟滞模式
操作可以分别在每个PWM变流器被禁用
如果PWM模式所需的所有负载水平。 EF网络效率，甚至
通过使用MOSFET的进一步增强
DS （ ON）
作为电流
意识的组成部分。
前馈斜坡调制，平均电流模式CON-
控制制度和内部反馈补偿提供
快速负载瞬态响应。乱相操作
180度相移减小了输入电流纹波。 CON组
控制器可以转化成一个完整的DDR内存
通过激活指定引脚的电源解决方案。在
操作的DDR模式的信道之一跟踪输出
把另一个信道的电压，并提供输出电流
库和源能力 - 特点进行适当的必要的
的DDR芯片供电。该缓冲基准电压
通过这种类型的存储器要求也被提供。该
FAN5236监控这些输出，并产生不同的
PGX （电源良好）信号时，软启动结束
和输出是在其设定点的±10％ 。内置的
过电压保护可以防止输出电压从
将设定值的120％以上。正常运行是自动
当过电压条件去matically恢复
了。欠压保护锁存芯片关断时
无论是软后输出低于其设定值的75 ％
启动顺序，该输出完成。可调节的
过电流功能监视输出电流通过感应
横跨下部MOSFET上的电压降。如果电流精度
租金感应是必需的，一个外部电流检测电阻
可任选使用。
应用
DDR V
DDQ
和V
TT
电压产生
移动PC的双通道稳压器
服务器DDR电源
手持式PC电源
REV 。 1.1.7 03年4月4日
FAN5236
产品speci fi cation
销刀豆网络gurations
AGND
LDRV1
PGND1
SW1
HDRV1
BOOT1
ISNS1
EN1
FPWM1
VSEN1
ILIM1
SS1
DDR
VIN
1
2
3
4
5
6
28
27
26
25
24
23
VCC
LDRV2
PGND2
SW2
HDRV2
BOOT2
ISNS2
EN2
FPWM2
VSEN2
ILIM2/REF2
SS2
PG2/REF2OUT
PG1
7
22
FAN5236
8
21
9
10
11
12
13
14
20
19
18
17
16
15
QSOP - 28或TSSOP -28
θ
JA
= 90C / W
引脚德网络nitions
针
数
1
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
引脚名称
AGND
LDRV1
LDRV2
PGND1
PGND2
SW1
SW2
HDRV1
BOOT1
BOOT2
ISNS1
ISNS2
EN1
EN2
FPWM1
FPWM2
引脚功能说明
模拟地。
这是用于IC的信号的接地参考。所有电压电平是
对于此引脚测量。
低侧驱动器。
低压侧（低级） MOSFET驱动器输出。连接到低侧的门
MOSFET。
电源地。
在回报低边MOSFET驱动器。连接到低源
侧MOSFET 。
交换节点。
回报高边MOSFET驱动器和电流检测输入。
连接到高侧MOSFET和低侧MOSFET的漏极 - 源极。
高边驱动器。
高边（上） MOSFET驱动器输出。连接到高侧的门
MOSFET。
开机。
正电源上MOSFET驱动器。连接，如图3 。
电流检测输入。
监控跨下MOSFET或外部的电压降
检测电阻的电流反馈。
启用
。使操作时被拉至逻辑高电平。切换EN也将重设
经过锁存故障条件调节。这是CMOS输入，其状态是
不确定是否处于打开状态。
强制PWM模式。
当逻辑低，抑制了进入迟滞模式的调节。
否则扎到VOUT 。该稳压器采用VOUT在这个引脚，以确保顺利
从转型迟滞模式PWM模式。当VOUT预计将超过VCC ，
绑到Vcc 。
输出电压检测。
从输出的反馈。用于调节以及
PG ，欠电压和过电压保护和监测。
电流限制1 。
此引脚与GND之间的电阻设置电流限制。
软启动。
电容器从这个引脚GND节目转换器的转换率
在初始化过程中。在初始化时，此引脚被控5
电流源。
DDR模式控制。
高= DDR模式。低= 2个独立的监管机构运行180 °出
的相位。
3
10
19
11
12
17
13
VSEN1
VSEN2
ILIM1
SS1
SS2
DDR
REV 。 1.1.7 03年4月4日
产品speci fi cation
FAN5236
引脚德网络nitions
14
VIN
（续）
输入电压。
通常连接到电池，提供电压前馈设置
幅度的内部振荡器斜坡。当使用IC从5V的两步转换
输入，连接至100K到地，将设置相应的斜坡增益和
同步信道90异相。
电源良好标记。
漏极开路输出，这将拉低时VSEN是一个外
± 0.9V的基准的10 ％的范围内。
电源良好2 。
如果不是在DDR模式：开漏输出拉低时
VOUT是出于监管或故障状态
参考输出2 。
当在DDR模式，提供REF2的缓冲输出。通常
作为VDDQ / 2的参考。
限流2 。
如果不是在DDR模式下，此引脚与GND之间的电阻设置电流
极限。
参考
在DDR模式寄存器＃ 2时。通常设置为VOUT1 / 2 。
VCC 。
该引脚为芯片以及LDRV缓冲区。在IC启动时，操作
电压此引脚超过4.6V （ UVLO上升） ，并关闭时，它低于4.3V
（ UVLO下降） 。
15
16
PG1
PG2 /
REF2OUT
18
ILIM2 /
REF2
VCC
28
绝对最大额定值
绝对最大额定值是超出该设备可能被损坏的值或具有其使用寿命
受损。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
参数
VCC电源电压：
VIN
BOOT ， SW ， ISNS ， HDRV
BootX的到SWX
所有其他引脚
结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
–0.3
–40
–65
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
27
33
6.5
VCC+0.3
150
150
300
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压VCC
电源电压VIN
环境温度（T
A
)
注1
–10
条件
分钟。
4.75
典型值。
5
马克斯。
5.25
24
85
单位
V
V
°C
注1 ：工业级温度范围（-40℃至+ 85°C ）可能会特别飞兆半导体订购。请联系您的授权仙童
代表了解更多信息。
4
REV 。 1.1.7 03年4月4日
QQ：2880707522 复制
