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FAN5230
系统电子稳压器适用于移动PC
特点
5.4V至24V的输入电压范围
五稳压输出:
5V @ 5A ( PWM )
3.3V @ 5A ( PWM )
5V @ 50毫安始终打开(直线)
3.3V @ 50毫安始终打开(直线)
12V /可调@ 120毫安升压器(PWM)
>96 % EF网络效率
迟滞模式,轻负载
PWM模式为:正常负载
主开关稳压器的相位
300kHz的连接固定的开关频率
RDS(ON)电流检测过电流
减少物料清单;马克斯。 EF网络效率
可选的电流检测电阻精密过电流
检测
电源良好信号,所有电压
输入欠压锁定( UVLO )
热关断
符合ACPI
24引脚QSOP
由Intersil ( IPM6220 )第2源
描述
该FAN5230是一款高英法fi效率和精度高
用于笔记本电脑和其他多输出稳压器
类似的电池供电的应用。它集成了三个
脉冲宽度调制(PWM)开关稳压器
控制器和两个线性稳压器转换成5.4V至24V
笔记本电池功率转换成所使用的电路中的电压
围绕该微处理器在这些系统中。
在FAN5230使用的两个主要的PWM控制器
同步模式整流器阳离子提供3.3V和5V电源
在5A每个。他们转出的相位,以减少输入
纹波电流。输入和输出电压的利用率
在电流模式控制的反馈使得快速和稳定
在宽范围的输入和输出的闭环响应
的变化。 PWM控制在正常运行和迟滞
在轻负载控制提供了超过英法fi效率
95%的宽范围的输入和输出的变化。该
第三PWM控制器产生12V的120毫安。一个propri-
etary技术用于准确[± 1 %]感测的输出
把当前使用外部MOSFET的RDS ( ON ) ,
无需外部电流检测电阻,从而节省
电路板空间并降低BOM成本。
两个集成线性稳压器提供备用始终在线
开启电源在3.3V和5V的光( 50毫安)负荷。另外
FAN5230的功能包括过电压,欠电压,并
过电流监测器和热shutdow保护。
当软启动是一个单一的电源良好信号发出
完成后,所有输出都在他们的设置± 10 % 。
应用
笔记本电脑
网络片
电池供电仪器
REV 。 2.8.5 〇一年十月十七日
FAN5230
典型用途
VIN = 5.4-24V
FAN5230
1 VIN
3.3V-ALWAYS@50mA
5V-ALWAYS
2 3.3 ALW
3 CPUMP3.3
4 HSD3.3
3.3V @ 5A
+
5 SW3.3
5V -总是@ 50毫安
6 5V - ALW
7 LSD3.3
8 GND3.3
9 ISEN3.3
10 VFB3.3
SDN3.3
PGOOD
11 SDN3.3
12 PGOOD
LSD5 20
GND5 19
VFB5 18
SDN5 17
SW12 16
VFB12 15
SGND 14
SDWN 13
SDWN
VFB12
SDN5
12V @ 120毫安
+
CPUMP5 24
HSD5 23
SW5 22
ISEN5 21
5V-ALWAYS
5V @ 5A
+
引脚分配
顶视图
VIN
3.3V-ALWAYS
CPUMP3.3
HSD3.3
SW3.3
5V-ALWAYS
LSD3.3
GND3.3
ISEN3.3
VFB3.3
SDN3.3
PGOOD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
CPUMP5
HSD5
SW5
ISEN5
LSD5
GND5
VFB5
SDN5
SW12
VFB12
SGND
SDWN
引脚说明
引脚名称
VIN
3.3V-ALWAYS
CPUMP3.3
HSD3.3
SW3.3
5V-ALWAYS
引脚号引脚功能说明
1
2
3
4
5
6
输入功率。
3.3V总是线性稳压器。
引脚2和6不能超过负载电流
50毫安总和。该引脚应去耦至地用10μF电容。
电荷泵3.3V 。
高侧栅极驱动电压为3.3V 。该引脚为
通过100nF的电容连接到SW3.3 。和5V -总是通过一个二极管
对于3.3V的高侧栅极驱动器。
该引脚直接连接到一个门
N沟道MOSFET 。从这个引脚MOSFET的栅极走线应该是< 1" 。
高侧FET源和低边FET漏极开关节点。
开关
节点为3.3V 。
5V总是线性稳压器输出。
在管脚上的负载电流的总和2
和6不能超过50毫安总数。该引脚应去耦至地
一个10μF电容。
2
REV 。 2.8.5 〇一年十月十七日
FAN5230
引脚说明
(续)
引脚名称
LSD3.3
GND3.3
ISEN3.3
VFB3.3
SDN3.3
PGOOD
SDWN
引脚号引脚功能说明
7
8
9
10
11
12
13
对于3.3V低侧栅极驱动器。
该引脚直接连接到一个门
N沟道MOSFET 。从这个引脚MOSFET的栅极走线应该是< 1" 。
地面3.3V MOSFET。
电流检测为3.3V 。
该引脚应连接到所述底部的排水
MOSFET与适当的电阻器和一个RC滤波器。参见应用部分。
电压反馈3.3V 。
软启动和ON / OFF为3.3V 。
OFF = GND 。 ON =与SDWN =高开。利用
集电极开路器件的控制。
电源良好标记。
集电极开路输出,这将是逻辑低,如果任何输出
电压不超过额定输出电压的89%。
主关机。
关闭所有电源。关闭时低。当高
5V / 3.3V -始终为ON ,而5V / 3.3V ,主要是准备启动的话SDN5 ,
SDN3.3去开。
信号地。
电压反馈为12V 。
FET驱动器的12V升压。
启用/软启动的5V和12V 。
软启动和ON / OFF为5V & 12V 。
OFF =接地。 ON =与SDWN =高开。
电压反馈为5V 。
地面5V MOSFET。
低边FET驱动5V 。
该引脚直接连接到一个N沟道的栅极
MOSFET。从这个引脚MOSFET的栅极走线应该是< 1" 。
电流检测为5V 。
该引脚应连接到所述底部的排水
MOSFET采用适当的电阻和RC滤波器。参见应用部分。
高侧驱动源和低侧驱动器漏交换节点。
开关节点5V 。
高侧FET驱动5V 。
该引脚直接连接到一个N沟道的栅极
MOSFET。从这个引脚MOSFET的栅极走线应该是< 1" 。
电荷泵5V 。
高侧栅极驱动电压为5V 。高侧栅极驱动器
电压为5V 。此引脚通过一个100nF的电容连接到SW5 。并
5V -总是通过一个二极管。
SGND
VFB12
SW12
SDN5
VFB5
GND5
LSD5
ISEN5
SW5
HSD5
CPUMP5
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
REV 。 2.8.5 〇一年十月十七日
3
FAN5230
绝对最大额定值
1
参数
V
IN
SW , ISEN引脚,引脚SDWN
CPUMP , HSD销
SDN , VFB , V_always销
CPUMP至SW引脚,并且所有其他引脚
条件
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
典型值。
马克斯。
27
27
33
6.5
6.5
单位
V
V
V
V
V
负载电流引脚2和6的总和不得超过总60毫安
注意:
1.强调超越"Absolute最大Ratings"可能会造成永久性损坏设备。连续暴露在绝对
最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。该器件在这些或任何其他条件功能操作
超出了规范的业务部门所标明的是不是暗示。
推荐工作条件
输入电压V
IN
环境温度,T
A
+ 5.4V至24V
-20 ° C至85°C
热信息
热阻, RTH
JA
热阻, RTH
JC
最高结温
存储温度范围
最大焊接温度,焊接10秒
88°C/W
28.5°C/W
150°C
-65 ℃150 ℃的
300°C
电气规格
工作条件
推荐工作条件,除非另有说明指的是框图
参数
供应
V
IN
输入电源电压
输入静态电流
(直流负载专用)注1
H / LSD打开
待用
关机
输入欠压锁定阈值
5V和3.3V稳压器的主要
输出电压精度
振荡器频率(F)
OSC
HSD导通电阻,拉起
HSD导通电阻下拉
LSD导通电阻,拉起
LSD导通电阻下拉
0.1 5.5A , 5.4到24V
-2
255
300
7
4
6
5
+2
345
12
10
9
8
%
千赫
瑞星Vbat的
迟滞
4.3
5.4
1.4
300
<1
4.7
100
24
3
400
5
5.1
V
mA
A
A
V
mV
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
4
REV 。 2.8.5 〇一年十月十七日
FAN5230
工作条件
(续)
推荐工作条件,除非另有说明指的是框图
参数
HSD在输出,V
CPUMP
-V
GS
HSD关闭输出,V
GS
LSD在输出,V
5V-Always
-V
GS
LSD关闭输出,V
GS
斜坡幅度,峰峰值
斜坡补偿
从V增益匝道
IN
误差放大器呃GBW
电流限制阈值
过电压阈值
欠压阈值
SDN / SS全开电压最小。
SDN / SS全关电压最大。
最大占空比
最小PWM时间
VFB3.3输入漏电流
12V稳压器
输出电压精度
V
FB12
V
FB12
输入电流
振荡器频率(F
OSC
/3)
栅极驱动器导通电阻
12V稳压器
(续)
在输出时, V
5V-Always
-V
GS
关闭输出,V
GS
斜坡幅度,峰峰值
误差放大器呃GBW
欠压SHUT DOWN
过电压关闭
最小占空比
最大占空比
5V和3.3V始终
旁路开关导通电阻
线性稳压精度
额定输出电流
过流限制
欠压阈值
参考
内部基准电压准确度
0-70°C
-1
1
%
5.6 24V , 0至50mA ,
5V主开或关
I
3.3
+ I
5
为2μs延迟
为2μs延迟
-3.3
0
100
70
180
75
80
1.3
1.5
2
50
%
mA
mA
%
(根据设计)
为2μs延迟
测量VFB
12
0
32
33
34
70
I = 10μA
I = 10μA
2
1
76
115
80
100
100
mV
mV
V
兆赫
%V
O
%V
O
%
%
高或低
注2
85
V_5 = 4.9 5.1V
和木卫一= 0 150mA电流
-2
2.472
100
100
6
200
115
12
+2
%
V
nA
千赫
40
94
200
55
70
R 2, R 8 = 1K
为2μs延迟
为2μs延迟
(软启动结束)
90
110
70
4.2
800
条件
I = 10μA
I = 10μA
I = 10μA
I = 10μA
VIN = 16V
2
0.5
125
3
135
115
75
180
120
80
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
100
100
单位
mV
mV
mV
mV
V
V
mV / V的
兆赫
A
武%
武%
V
mV
%
纳秒
A
REV 。 2.8.5 〇一年十月十七日
5
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